公开(公告)号：CN104638081A

公开(公告)日：2015-05-20

申请号：CN201510028792.8

申请日：2015-01-20

Applicant: 中国科学院半导体研究所

Inventor： 袁国栋 ,  王克超 ,  李晋闽

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/02 ,  H01L33/007 ,  H01L33/10 ,  H01L33/24

Abstract: 一种基于晶硅光伏技术的硅基GaN发光器件，包括：一N型或P型硅(100)的衬底；一随机分布的正金字塔结构，其制作在衬底上；一缓冲反射层，其制作在正金字塔结构的表面，该缓冲反射层的材料为高温AlN或低温AlN；一发光层，其制作在缓冲反射层上，该发光层的表面平行于正金字塔结构表面，或平行于衬底的表面；一透明导电氧化物层，其制作在发光层上，该透明导电氧化物层的表面为一平面；一上电极层，其制作在透明导电氧化物层上，该上电极层为网状分布；一下电极层，其制作在衬底的背面。本发明可以有效地释放外延材料应力，从而得到高质量的外延GaN，制造低成本、高效的发光LED。