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公开(公告)号:CN100429174C
公开(公告)日:2008-10-29
申请号:CN200610080726.6
申请日:2006-05-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域。本发明按摩尔比BaCO3∶TiO2=1∶(4.4~4.6)配比原料;外加添加剂五氧化二钒(V2O5),其添加量为原料重量的0.2~5.0wt%,外加添加剂二氧化锡(SnO2),其添加量为原料重量的0~3.0wt%,外加添加剂三氧化二铝(Al2O3),其添加量为原料重量的0~3.0wt%配成混合料;在混合料中分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合,在140~200℃下烘干,装入刚玉莫来石匣钵中,高温煅烧得到所需材料。本发明制造的Ba2Ti9O20陶瓷粉体可以广泛应用于各类高性能微波陶瓷材料的制备,在多层带通滤波器、高通滤波器,低通滤波器,双工器,天线、巴伦等多层微波频率器件的设计和生产中具有广阔应用前景。
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公开(公告)号:CN101148320A
公开(公告)日:2008-03-26
申请号:CN200710045990.0
申请日:2007-09-14
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
Abstract: 本发明涉及一种8~14μm透射硫卤微晶玻璃,其特征在于所述的硫卤玻璃的组成为:(100-x-y-z)Ge-xGa-ySe-zCsI,其中,5≤x≤30,45≤y≤65,1≤z≤20。它通过对硫卤玻璃采取合适的热处理工艺获得,本发明制备的硫卤微晶玻璃在8~14μm具有良好的透光性,同时具有较好的机械性能,可应用于红外传输领域,如热成像系统等。
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公开(公告)号:CN1844046A
公开(公告)日:2006-10-11
申请号:CN200610080726.6
申请日:2006-05-15
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
IPC: C04B35/468 , C04B35/622
Abstract: 本发明涉及一种纯相钡钛系陶瓷材料的制备方法,属于陶瓷材料制备技术领域。本发明按摩尔比BaCO3∶TiO2=1∶(4.4~4.6)配比原料;外加添加剂五氧化二钒(V2O5),其添加量为原料重量的0.2~5.0wt%,外加添加剂二氧化锡(SnO2),其添加量为原料重量的0~3.0wt%,外加添加剂三氧化二铝(Al2O3),其添加量为原料重量的0~3.0wt%配成混合料;在混合料中分别加入去离子水和氧化锆球,在球磨机中滚动球磨混合,在140~200℃下烘干,装入刚玉莫来石匣钵中,高温煅烧得到所需材料。本发明制造的Ba2Ti9O20陶瓷粉体可以广泛应用于各类高性能微波陶瓷材料的制备,在多层带通滤波器、高通滤波器,低通滤波器,双工器,天线、巴伦等多层微波频率器件的设计和生产中具有广阔应用前景。
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公开(公告)号:CN1060455C
公开(公告)日:2001-01-10
申请号:CN98110901.2
申请日:1998-06-16
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: C03C10/0045
Abstract: 一种高频低损耗微晶玻璃介质材料的制造方法,属于微晶玻璃领域。本发明提供的系统为MgO-Al2O3-SiO2-TiO2-CeO2系统。具体组成范围(重量比)为:SiO2(28-35),TiO2(18-27),Al2O3(18-25),MgO(5-10),CeO2(13-19)。玻璃熔制温度为1480-1500℃,保温3小时,退火温度为700℃,保温1小时。第一段晶化温度为860±10℃,第二段晶化温度为1170-1240℃。经上述工艺制得的微晶玻璃,在1GHz以上频率,介电常数大于9小于15,介电损耗在6×10-4以下。是一类实用的高频低损耗微晶玻璃介质材料。
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公开(公告)号:CN1250754A
公开(公告)日:2000-04-19
申请号:CN99124020.0
申请日:1999-11-17
Applicant: 中国科学院上海硅酸盐研究所
CPC classification number: C03C10/00 , C03C10/0045
Abstract: 本发明提供了一种高频低损耗微波介质材料的制造方法,该材料属于MgO-Al2O3-SiO2-CeO2-TiO2系统微晶玻璃,其具体组成范围(重量比)为MgO(2~8),Al2O3(10~19),SiO2(20~31),CeO2(10~18),TiO2(30~50)玻璃熔制温度为1480~1500℃保温3小时,退火温度为700℃保温1小时,第一段晶化温度为860±10℃第二段晶化温度为1200±10℃,经上述工艺制得的微晶玻璃在1GHZ以上频率下,介电常数为15~20,介电损耗为9~6×10-4,是一类实用的高频低损耗微波介质材料。
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