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公开(公告)号：CN108002393B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201711445044.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/12
Abstract: 本发明涉及抛光液后处理领域，特别是涉及一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法。本发明提供一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法，包括：将回收的硅溶胶抛光液浓缩；采用碱液将浓缩液溶解；将溶解液稀释、过滤；将所得液体进行阳离子树脂交换处理；将所得交换液进行阴离子树脂交换处理；将所得交换液进行阳离子树脂交换处理，获得硅酸。本发明所提供的制备硅酸的方法制备获得的硅酸可以重新用于硅溶胶的生产，有效地实现了废料的循环再利用，降低了抛光液厂家的废液处理成本，很大程度上解决了目前处理废液成本高、资源浪费等问题。
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公开(公告)号：CN111925731A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN202010722551.4
申请日：2020-07-24
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及一种碳酸钙/二氧化硅核壳型纳米复合磨料及其制备方法和应用，所述复合磨料以碳酸钙纳米颗粒为核，二氧化硅颗粒为壳。本发明具有独特的结构和性能，相比纯硅溶胶而言，对硅片、氧化硅片、二氧化硅层、氮化硅层等介质层材料的抛光速率更快；相比氧化铝磨料而言，对介质层材料的抛光后的表面质量更好，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN111748287A
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN202010620169.2
申请日：2020-06-30
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 , 上海新安纳电子科技有限公司 , 浙江新创纳电子科技有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种SiC晶圆抛光液及其制备方法和应用，按重量百分比，包括如下组分：液相载体35-90％；磨料颗粒0.01-40％；氧化剂0.01-30％。本发明通过选择合理的磨料颗粒和氧化剂并进行合理组合，使得抛光液的抛光质量、抛光速率亦获得很大提升；制备方法简单，成本低，具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN109987609A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711473611.8
申请日：2017-12-29
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/145
Abstract: 本发明涉及无机纳米材料领域，特别是涉及一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法。本发明提供一种疏水二氧化硅溶胶的制备方法，包括：1）在溶剂体系中，将硅烷前驱体快速加入碱和去离子水的混合液中中搅拌混合反应，后经过陈化，得到初始的粒径均一的二氧化硅溶胶；2）将初始的二氧化硅溶胶与含氟疏水剂的溶液混合，制得具有高疏水性的二氧化硅溶胶。本发明针对如何提升二氧化硅涂层疏水性的问题，选取合适的疏水剂，通过条件简单、简便可行的方法制得可用于多种基材的二氧化硅溶胶。
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公开(公告)号：CN108002393A
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201711445044.5
申请日：2017-12-27
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B33/12
Abstract: 本发明涉及抛光液后处理领域，特别是涉及一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法。本发明提供一种利用回收的硅溶胶抛光液制备硅酸的方法，包括：将回收的硅溶胶抛光液浓缩；采用碱液将浓缩液溶解；将溶解液稀释、过滤；将所得液体进行阳离子树脂交换处理；将所得交换液进行阴离子树脂交换处理；将所得交换液进行阳离子树脂交换处理，获得硅酸。本发明所提供的制备硅酸的方法制备获得的硅酸可以重新用于硅溶胶的生产，有效地实现了废料的循环再利用，降低了抛光液厂家的废液处理成本，很大程度上解决了目前处理废液成本高、资源浪费等问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104593776B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201410836073.4
申请日：2014-12-24
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C23F3/04
Abstract: 一种用于钛的化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下原料组分及重量百分含量：氧化剂1~5wt%、表面活性剂0.01~4wt%、有机添加剂0.01~3wt5、抛光颗粒0.2~30wt%、余量为pH调节剂和水。本发明中的化学机械抛光液利用不同成分化学机械抛光液对钛金属速率可控、表面质量好且低腐蚀的抛光，可满足工业中对于钛金属表面质量的需求。
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公开(公告)号：CN103897603B
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201210586914.1
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及化学机械抛光液领域，尤其涉及一种可有效应用于相变材料GST的化学机械抛光。本发明提供一种GST中性化学机械抛光液，以重量百分比计，包括如下组分：二氧化硅抛光颗粒0.2‑30wt%；氧化剂0.01‑5wt%；表面活性剂0.01‑4wt%；余量为pH值调节剂和去离子水；所述GST中性化学机械抛光液的pH值为6‑8。本发明提供的用于相变材料GST的中性化学机械抛光液，所述的经过烷基改性，金属氧化物包裹，胺型改性，无机离子改性等方法改性的SiO2抛光颗粒，在pH值6‑8范围内，zeta电位的绝对值30‑80mv，胶体达到了稳定，从而形成稳定的中性化学机械抛光液。
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公开(公告)号：CN104592897B
公开(公告)日：2016-08-10
申请号：CN201410853223.2
申请日：2014-12-31
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/02
Abstract: 一种化学机械抛光液，以所述化学机械抛光液的总质量计，所述化学机械抛光液包括以下组分及重量百分含量：无机纳米颗粒10~50wt%、化学添加剂0.01?5wt%、余量为pH调节剂和水；所述无机纳米颗粒至少包括二氧化硅和石墨烯；以所述化学机械抛光液的总质量计，所述石墨烯的质量百分含量为0.01~10wt%。本发明中公开的化学机械抛光液在抛光蓝宝石等高硬度材料时具有以下有益效果：由于石墨烯颗粒的硬度高，所以抛光速度快；效率高；抛光蓝宝石等高硬度材料的表面粗糙度低，无明显橘皮、腐蚀坑或划伤等缺陷。
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公开(公告)号：CN103897604B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201210587505.3
申请日：2012-12-28
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C09G1/02
Abstract: 本发明涉及计算机领域，具体涉及一种可有效应用于计算机NiP硬盘的计算机硬盘化学机械抛光液。计算机硬盘化学机械抛光液，为含有氧化剂、研磨粒子、盐类添加剂以及pH调节剂的水溶液；所述盐类添加剂通式为X-R-Y，其中X为阳离子，Y为阴离子，R为直链烃基或其衍生物。通过本发明提供的化学机械抛光浆液，硬盘的抛光速率达到了90nm/min,表面粗糙度较低，硬盘的表面质量和加工效率得到了有效的提高。
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公开(公告)号：CN103500795B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201310461919.6
申请日：2013-09-30
Applicant: 上海新安纳电子科技有限公司 , 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种相变存储器电极结构的制备方法，首先在硅衬底上依次沉积第一绝缘层和第二绝缘层，然后刻蚀形成贯通第一绝缘层和第二绝缘层的圆孔状凹槽Ⅰ；在凹槽Ⅰ内沉积钨材料；再通过干法回蚀刻蚀填充于凹槽Ⅰ内的钨材料至其上表面与第一绝缘层的上表面齐平，形成圆孔状凹槽Ⅱ，沟槽Ⅱ底部的钨材料作为下电极；然后在凹槽Ⅱ的内表面及第二绝缘层的上表面上沉积导电薄膜层，继而在沟槽Ⅱ内填充第三绝缘层材料，然后化学机械抛光去除第二绝缘层上表面上多余的第三绝缘层材料和导电薄膜层，剩余导电薄膜层作为上电极；本方法具有大大提高器件的良率，并提高硅片内环形电极高度的均匀性，使得相变过程中的电阻分布变窄，提高器件的稳定性的特点。
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