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公开(公告)号：CN103199054A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210006254.5
申请日：2012-01-10
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种制作穿硅通孔(Through Silicon Via，TSV)时采用的二次湿法腐蚀晶圆的分离工艺，其特点在于首先将裸支撑晶圆进行第一次KOH湿法腐蚀到一定厚度后，通过溅射TiW和Au层，与TSV晶圆进行Au-Au键合。待TSV晶圆完成TSV电镀填充后，对裸支撑晶圆进行第二次KOH湿法腐蚀去除，最后放入Au腐蚀液去掉键合介质，获得完整的TSV晶圆。该方法操作简便，成本低，具有较高的可靠性和实用性。
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