公开(公告)号：CN113630101B

公开(公告)日：2024-05-24

申请号：CN202110944319.X

申请日：2021-08-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张丽萍 ,  张师斌 ,  周鸿燕 ,  吴进波

IPC: H03H9/17 ,  H03H9/02

Abstract: 本发明提供一种固态装配型横向振荡声波谐振器，所述声波谐振器包括：小散射角支撑衬底；压电层，形成于所述小散射角支撑衬底的上表面，所述压电层包括：横向谐振结构及凹槽结构，所述凹槽结构形成于所述横向谐振结构的两侧；少数量/小占空比图案化电极，形成于所述横向谐振结构的上表面；其中，在对所述少数量/小占空比图案化电极施加电势时，所述声波谐振器在所述横向谐振结构中激发并产生多阶模式响应的等间距高次谐波。通过本发明提供的固态装配型横向振荡声波谐振器，实现了声波谐振器在接收器相关器件定义的频率上具有等距谐振。

公开(公告)号：CN115021705B

公开(公告)日：2024-04-09

申请号：CN202210742047.X

申请日：2022-06-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  吴进波 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  张丽萍

IPC: H03H9/02 ,  H03H9/56 ,  H03H9/58

Abstract: 本发明涉及微电子技术领域，本发明公开了一种高频声波谐振器及应用其的滤波器。该高频声波谐振器包括由下至上依次层叠的支撑衬底、底电极、压电薄膜和叉指换能器；该叉指换能器包括第一汇流条和多个间隔设置的第一电极；该多个第一电极的同一侧与该第一汇流条连接；该多个第一电极中相邻的第一电极的中心之间的间隔距离与目标模式的频率之积小于该支撑衬底的声速；该目标模式为该高频声波谐振器在纵向电场作用下激发的高阶模式；本申请提供的该声波谐振器建立在异质集成衬底上，具有结构简单且压电薄膜强度高，仍能够保证声波谐振器的品质的特点。

公开(公告)号：CN114362705B

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202111466618.3

申请日：2021-12-03

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张丽萍 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  周鸿燕

IPC: H03H3/02 ,  H03H3/08 ,  H03H9/02

Abstract: 本申请涉及微电子器件技术领域，特别是涉及一种声波谐振器及其制备方法，方法包括：提供单晶压电层；对单晶压电层的上表面进行镀膜处理形成第一预设深度的缓冲层；在缓冲层的目标注入区域注入离子，以自单晶压电层的上表面至单晶压电层第二预设深度处形成改性压电层；对缓冲层进行去膜处理，以去除缓冲层；在改性压电层的上表面形成图案化电极，得到声波谐振器。本申请通过对单晶压电层进行离子注入，在单晶压电层的高度方向上形成了材料性质不同的改性压电层，利用改性压电层不同的改性压电材料特性，提高了声波谐振器的工作频率和品质因数，并且降低了声波谐振器的器件损耗。

公开(公告)号：CN113300683B

公开(公告)日：2023-03-10

申请号：CN202110573352.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  周鸿燕 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  张丽萍

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种声表面波谐振器及其制备方法，所述声表面波谐振器包括：衬底结构；压电薄膜，形成于所述衬底结构上表面；叉指电极，嵌埋于所述压电薄膜中；其中，所述压电薄膜的厚度大于所述叉指电极的厚度，且所述压电薄膜的电极嵌入面与所述衬底结构接触。通过本发明提供的声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器工作频率低，无法满足5G通信需求的问题。

公开(公告)号：CN114124023A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111440361.4

申请日：2021-11-30

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  张丽萍 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  周鸿燕

IPC: H03H9/02 ,  H03H3/02

Abstract: 本发明公开了一种多层同质的压电结构及制备方法，包括单晶压电层、设置于所述单晶压电层上表面的图案化电极换能器组件，以及位于所述单晶压电层中预设深度处的至少一层反射层；所述反射层与所述单晶压电层为同质材料，并且所述反射层由所述单晶压电层通过离子注入改性而成，以使得所述反射层与所述单晶压电层的声速不同。本发明仅利用离子注入技术，通过调控注入能量和注入剂量，即可在单晶压电层中插入至少一层同质但经由改性而成的反射层，增强对声波的纵向反射，减小能量损耗，提高谐振频率，增大器件的品质因数，大大简化制备工艺，降低成本。

公开(公告)号：CN113300683A

公开(公告)日：2021-08-24

申请号：CN202110573352.6

申请日：2021-05-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 欧欣 ,  周鸿燕 ,  张师斌 ,  郑鹏程 ,  张丽萍

IPC: H03H3/02 ,  H03H9/25

Abstract: 本发明提供一种声表面波谐振器及其制备方法，所述声表面波谐振器包括：衬底结构；压电薄膜，形成于所述衬底结构上表面；叉指电极，嵌埋于所述压电薄膜中；其中，所述压电薄膜的厚度大于所述叉指电极的厚度，且所述压电薄膜的电极嵌入面与所述衬底结构接触。通过本发明提供的声表面波谐振器及其制备方法，解决了现有声表面波谐振器工作频率低，无法满足5G通信需求的问题。