公开(公告)号：CN102103058A

公开(公告)日：2011-06-22

申请号：CN200910201333.X

申请日：2009-12-17

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  吴燕红 ,  成海涛 ,  戴斌 ,  吴紫阳

IPC: G01N5/02 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法，用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的 晶向占优的金膜、位于 晶向占优的金膜上的单分子层以及位于单分子层上的生化敏感膜。由于柱状电极阵列是不连续的，并且高度远大于直径，生化膜内的应力不会传递到梁结构上，不会对梁结构的共振频率产生影响，可提高痕量质量传感器的信噪比。

公开(公告)号：CN101567394A

公开(公告)日：2009-10-28

申请号：CN200910052205.3

申请日：2009-05-27

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 杨恒 ,  成海涛 ,  戴斌 ,  吴燕红 ,  李昕欣 ,  王跃林

IPC: H01L29/808 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/337 ,  G01B7/02

Abstract: 本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。

公开(公告)号：CN101311105A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：CN200810033916.1

申请日：2008-02-26

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 吴燕红 ,  陆荣 ,  杨恒 ,  王跃林

IPC: B82B1/00 ,  B82B3/00

Abstract: 本发明涉及一种在普通硅片上与衬底绝缘的纳米梁结构及制作方法。其特征在于所述纳米梁通过各向异性湿法腐蚀形成，并通过干法腐蚀结合无电极电化学腐蚀自停止实现梁厚度的控制；纳米梁由金属连线提供力学支撑，金属连线与衬底间电学绝缘；纳米梁的周围与下方为各向异性湿法腐蚀形成的腐蚀区；且纳米梁为可动结构，上下自由振动。本发明是基于各向异性湿法腐蚀、干法刻蚀及无电极电化学腐蚀自停止方法制作的。包括梁区台阶制作、深刻蚀、电学连接与力学支撑结构制作、纳米梁释放四个步骤，具有加工精度高、一致性高、重复性好的特点。