公开(公告)号：CN112650472A

公开(公告)日：2021-04-13

申请号：CN202011477771.1

申请日：2020-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 陈静 ,  王青 ,  葛浩 ,  谢甜甜 ,  吕迎欢

IPC: G06F7/58 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明提供了一种构造赝自旋的装置，包括一晶体管，所述晶体管的栅极为输入端，源/漏极电学接地，漏/源极通过一隧道结电学连接至工作电平，所述隧道结为真随机数发生源，故所述晶体管的漏/源极端电平值即输出一随机数，所述随机数可以作为赝自旋取随机向上向下的状态，用以构造赝自旋。本发明由于采用真实物理过程作为真随机数的信号源，具有随机和不可预测等特性，因此消除了伪随机数的周期性和相关性等问题，产生的随机数分布均匀，符合不相关等特性，是一种高质量的真随机数，并利用在电子赝自旋构造上，可以实现真正满足量子态的随机的自旋态构造。

公开(公告)号：CN112581988A

公开(公告)日：2021-03-30

申请号：CN202011473468.4

申请日：2020-12-15

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 陈静 ,  吕迎欢 ,  葛浩 ,  谢甜甜 ,  王青

IPC: G11C5/06 ,  G11C5/02 ,  G11C11/411

Abstract: 一种静态随机存储器单元，包括电学串联的第一传输晶体管和第二传输晶体管，以及并联在第一和第二传输晶体管之间的两个对置互锁的第一和第二反相器，所述第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，所述第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管，所述静态随机存储器单元的晶体管采用背栅晶体管。本发明在原有传统6管存储单元的基础上添加背栅结构连接电位，通过调节背栅来调节晶体管沟道的导电能力，可以在不改变版图尺寸的情况下实现电学参数调节的目的，降低了研发成本。

公开(公告)号：CN111613262A

公开(公告)日：2020-09-01

申请号：CN202010324686.5

申请日：2020-04-22

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海华力微电子有限公司

Inventor： 陈静 ,  吕迎欢 ,  王硕 ,  葛浩 ,  谢甜甜

IPC: G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 本申请实施例提供了一种新型静态存储单元，该新型静态存储单元是通过第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管，第七晶体管和第八晶体管，这八个晶体管的电性连接得到的具有特定功能的新型静态存储单元。相较于原有的存储单元，通过增加的第一晶体管、第二晶体管和其他6个晶体管的结合得到的新型静态存储单元采用FDSOI工艺，在不增加面积的情况下可以抑制附体效应，而且具有低功耗和高性能的优势；此外，该新型静态存储单元不仅可以在抗单粒子效应能力上得到提高，还可以在存储数据的稳定性上得到增加。