公开(公告)号：CN101488558A

公开(公告)日：2009-07-22

申请号：CN200910046633.5

申请日：2009-02-25

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 凌云 ,  龚岳峰 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: H01L45/00 ,  G11C11/56 ,  C22C12/00

Abstract: 本发明揭示了一种用于相变存储器的M－Sb－Se相变薄膜材料，其组分为(SbxSe1－x)1－yMy，y为0.2％－15％原子比，x为50％－ 95％原子比，掺杂元素M为钨元素、铝元素、铟元素、银元素、铜元素、镍元素、镓元素、钛元素、锡元素、氧元素、及氮元素中的一者或两者。本发明所提供的M－Sb－Se相变薄膜材料比常用的Ge2Sb2Te5材料具有更快的结晶速度，可以有更快的读写速度，有着更好的数据保持特性，有着比SbSe两元材料更好的热稳定性。同时该材料不含元素Te，是一种环境友好材料，与CMOS工艺兼容性好。

公开(公告)号：CN101262005A

公开(公告)日：2008-09-10

申请号：CN200810035940.9

申请日：2008-04-11

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所

Inventor： 凌云 ,  宋志棠 ,  封松林

IPC: H01L27/24 ,  H01L23/522 ,  H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  G11C11/56 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明属于微电子技术领域，本发明公开了一种具有肖特基二极管的相变存储器件及其制备方法。其基本特征在于：该结构单元由肖特基二极管与相变存储器构成，肖特基二极管作为相变存储器的选通管，肖特基二极管通过固相外延技术生长N型或者P型Si单晶薄膜，与金属薄膜构成金属半导体接触。该方法制备的肖特基二极管有性能稳定，速度快，驱动电流大的特点。本发明公开的结构特点是用于高密度相变存储器，同时降低相变存储器生产成本。