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公开(公告)号：CN107102350A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710304613.8
申请日：2017-05-03
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01T7/00
CPC classification number: G01T7/005
Abstract: 本发明公开了一种放射性惰性气体监测仪校准方法及系统，所述方法包括：步骤1：利用定值系统对放射性惰性气体定值；步骤2：计算出被校放射性惰性气体监测仪最大量程内的校准因子；步骤3：利用定容装置中的预设空间对腔室进行第一次稀释，并计算出第一次稀释后的放射性气体活度浓度；步骤4：进行多次稀释，分别计算出每次稀释后的放射性气体活度浓度；步骤5：基于计算出的稀释后的放射性气体活度浓度，计算被校仪器不同量程内的校准因子，实现了对放射性惰性气体监测仪进行校准，保证放射性惰性气体监测仪监测结果准确性的技术效果。
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公开(公告)号：CN119730408A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411580739.4
申请日：2024-11-07
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明属于核科学与光学技术领域，涉及一种多层膜结构的选择性发射极及其制备方法。多层膜结构的选择性发射极包括：在镀膜基板上依次交替设有的高折射率难熔膜层和低折射率难熔膜层，高折射率难熔膜层和低折射率难熔膜层共为2～3层，高折射率难熔膜层的厚度不大于500nm，低折射率难熔膜层的厚度不大于100nm。制备方法为采用真空镀膜方法在镀膜基板上依次交替沉积高折射率难熔膜层与低折射率难熔膜层。本发明的选择性发射极，在1473K环境下长期工作性能基本不变，且具有优良的光谱的选择性发射功能，光谱中红外光伏器件匹配的波段占比大于59％，制备方法简易可控，适用于多种红外光伏器件所匹配的选择性发射极。
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公开(公告)号：CN114203330B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202111518716.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。
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公开(公告)号：CN114203326B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202111517496.6
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜及其制备方法、应用，其制备方法包括以下步骤：S1、在PMMA/石墨烯薄膜上制备63NiCl2薄膜，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜；S2、将步骤S1制备的PMMA/石墨烯/63NiCl2薄膜与PMMA/石墨烯薄膜面对面接触，使63NiCl2薄膜置于两层石墨烯之间，获得PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜，然后真空干燥处理；S3、去除PMMA/石墨烯/63NiCl2/石墨烯/PMMA薄膜中的PMMA，获得石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜；S4、将步骤S3获得的石墨烯/63NiCl2/石墨烯薄膜置于真空环境进行还原处理，将63NiCl2还原成63Ni膜，获得石墨烯封装超薄镍‑63辐射源薄膜。通过本发明所述制备方法制备的封装整体厚度较薄，且封装结构中的镍‑63辐射源薄膜的厚度仅约为1μm。
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公开(公告)号：CN117589338A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311610172.6
申请日：2023-11-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01K17/00
Abstract: 本发明公开了一种半导体热电堆作为传感器的量热单元及其应用，包括：量热杯，用于放置样品瓶，所述量热杯采用铝材制成，且所述量热杯的外壁和/或内壁包覆有导热涂层；温差传感器，为半导体热电偶，所述温差传感器的热端与量热杯外壁紧密接触，所述温差传感器的冷端与设置在量热杯外侧的铝吸收体连接，所述温差传感器用于测量量热杯的温度。本发明通过采用铝材制备量热杯，并且在所述量热杯的外壁和/或内壁包覆有导热涂层，提高了量热杯的导热系数，同时采用赛贝克系数远高于传统金属热电偶的半导体热电偶作为温差传感器，能够实现对发热效率较低的样品进行准确测量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116500669A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310664851.5
申请日：2023-06-02
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种可移动式自动定位现场校准测试系统，所述测试系统包括脉冲辐照装置、三维移动平台、校准装置、传感装置和控制装置；脉冲辐照装置、校准装置、传感装置和控制装置均安装在所述三维移动平台上；控制装置与脉冲辐照装置、三维移动平台、校准装置、传感装置均电连接；本发明根据报警探测仪器所在位置，自动控制平台移动至最佳探测位置处，同时根据校准装置发出的靶信号位置影像得到脉冲辐照装置的空间位置偏差值，根据该空间位置偏差值自动控制平台对脉冲辐照装置进行多方向位移的高精度调节，从而使得脉冲辐照装置的发射窗口与被校仪器对齐。本发明提出的测试系统无需人工干预，能够快速准确自动实现固定式辐射报警仪的校准。
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公开(公告)号：CN114203327A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518663.9
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种p‑i‑n结及制备方法、二极管和β核电池，p‑i‑n结由下到上依次为GaN缓冲层、GaN的n型掺杂层、掺入层i层和GaN的p型掺杂层，所述掺入层i层为由不同带隙的半导体材料薄层周期性地交替生长而成的量子阱结构，所述不同带隙的半导体材料包括GaN，还至少包括一种比GaN更宽带隙的半导体材料。本发明一方面通过增大耗尽区的宽度来增加电子空穴对的收集空间，减少扩散运动所带来的影响，从而可以产生更多的载流子，获得更大电流，另一方面引入了更宽带隙的半导体，有利降低由载流子扩散引起的反向饱和电流获得更高的开路电压，进而获得更高的能量转换效率。
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公开(公告)号：CN112068184A
公开(公告)日：2020-12-11
申请号：CN202010966435.7
申请日：2020-09-15
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种直接测量放射源源效率的装置，计数器根据处理后的γ道信号获取γ道计数率；计数器根据处理后的β道信号获取β道计数率；计数器根据符合道信号获取符合道计数率；计数器将γ道计数率、β道计数率和符合道计数率发送至处理单元；处理单元对接收到的数据处理获取放射源的放射性活度值和放射源的表面发射率，并根据放射性活度值和表面发射率计算放射源的源效率。本发明还公开了一种直接测量放射源源效率的方法。本发明一种直接测量放射源源效率的装置和方法，可以同时测量平面放射源的表面发射率和放射性活度，从而直接得到平面放射源的源效率，具有非常好的便捷性和可复现性。
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公开(公告)号：CN105092609B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201410207442.3
申请日：2014-05-16
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明公开了一种辐射防护门屏蔽性能检测装置，包括相对设置的射线源和辐射探测器，还包括驱动射线源和辐射探测器在Y轴方向上同步平行移动的Y轴驱动装置；还包括驱动辐射防护门在X轴方向上移动的X轴驱动装置。本发明还公开了一种辐射防护门屏蔽性能检测方法。本发明的优点在于，增加了X轴驱动装置和Y轴驱动装置，使射线源和辐射探测器经过辐射防护门上的每一个检测点，避免了工作人员手工更换射线源和辐射探测器的位置的问题，使工作人员能够置身于在安全的范围内完成工作，极大的提高了屏蔽性能检测过程的安全性。
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公开(公告)号：CN105092609A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201410207442.3
申请日：2014-05-16
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01N23/02
Abstract: 本发明公开了一种辐射防护门屏蔽性能检测装置，包括相对设置的射线源和辐射探测器，还包括驱动射线源和辐射探测器在Y轴方向上同步平行移动的Y轴驱动装置；还包括驱动辐射防护门在X轴方向上移动的X轴驱动装置。本发明还公开了一种辐射防护门屏蔽性能检测方法。本发明的优点在于，增加了X轴驱动装置和Y轴驱动装置，使射线源和辐射探测器经过辐射防护门上的每一个检测点，避免了工作人员手工更换射线源和辐射探测器的位置的问题，使工作人员能够置身于在安全的范围内完成工作，极大的提高了屏蔽性能检测过程的安全性。
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