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公开(公告)号：CN114001639B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202111373603.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 中北大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及薄膜应变传感器，具体是一种四应变缝隙四电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法。本发明解决了现有薄膜应变传感器在应用于低应变或微应变测量环境时应变偏小、灵敏度和线性度偏低的问题。一种四应变缝隙四电阻栅式薄膜应变传感器，包括H形金属基底、矩形过渡膜层、矩形绝缘膜层、四个镍铬薄膜电阻栅；其中，矩形过渡膜层沉积于H形金属基底的上表面中部；矩形绝缘膜层沉积于矩形过渡膜层的上表面，且矩形绝缘膜层的表面贯通开设有四道呈十字形分布的应变缝隙；四道应变缝隙的首端均封闭；四道应变缝隙的尾端一一对应地贯通矩形绝缘膜层的四个端面中部。本发明适用于切削加工中的切削力测量。
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公开(公告)号：CN114001640B
公开(公告)日：2024-06-18
申请号：CN202111373690.1
申请日：2021-11-19
Applicant: 中北大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及薄膜应变传感器，具体是一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法。本发明解决了现有薄膜应变传感器在应用于低应变或微应变测量环境时应变偏小、灵敏度和线性度偏低的问题。一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器，包括矩形不锈钢基底、矩形氮化钛过渡膜层、条形氮化硅绝缘膜层、两个矩形氮化硅绝缘膜层、两个镍铬薄膜电阻栅；其中，矩形不锈钢基底的表面四角各贯通开设有一个安装圆孔；矩形氮化钛过渡膜层沉积于矩形不锈钢基底的上表面中部；条形氮化硅绝缘膜层和两个矩形氮化硅绝缘膜层均沉积于矩形氮化钛过渡膜层的上表面。本发明适用于切削加工中的切削力测量。
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公开(公告)号：CN114284830B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210092819.X
申请日：2022-01-26
Applicant: 中北大学
IPC: H01R43/05 , H01R43/052
Abstract: 本发明公开一种自动端子压接装置，包括工作台、送线装置、剥线装置、端子送料装置、压接装置；工作台上横向延伸有V形槽；送线装置包括送线电机、设置在V形槽两侧的两个棘轮，两个棘轮旋转带动线缆向V形槽末端进给或后退；剥线装置设置在V形槽中段，包括在V形槽两侧的上剥线刀、下剥线刀、驱动上剥线刀与下剥线刀开合运动的剥线驱动机构；端子送料装置在V形槽末端设有端子出口，将端子尾部朝向V形槽横向排出；压接装置包括铆压驱动机构、压杆、在V形槽末端的压槽，铆压驱动机构连接并驱动压杆压向或远离压槽。本发明实现绝缘开剥和端子铆压过程的自动化，提升工作效率。
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公开(公告)号：CN114001640A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111373690.1
申请日：2021-11-19
Applicant: 中北大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及薄膜应变传感器，具体是一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法。本发明解决了现有薄膜应变传感器在应用于低应变或微应变测量环境时应变偏小、灵敏度和线性度偏低的问题。一种双应变缝隙双电阻栅式薄膜应变传感器，包括矩形不锈钢基底、矩形氮化钛过渡膜层、条形氮化硅绝缘膜层、两个矩形氮化硅绝缘膜层、两个镍铬薄膜电阻栅；其中，矩形不锈钢基底的表面四角各贯通开设有一个安装圆孔；矩形氮化钛过渡膜层沉积于矩形不锈钢基底的上表面中部；条形氮化硅绝缘膜层和两个矩形氮化硅绝缘膜层均沉积于矩形氮化钛过渡膜层的上表面。本发明适用于切削加工中的切削力测量。
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公开(公告)号：CN109465752B
公开(公告)日：2021-01-15
申请号：CN201811513955.1
申请日：2018-12-01
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开的一种基于PLC金相试件制备装置的控制系统，包括PLC，PLC分别连接有机械手、配液与注模控制系统、镶嵌控制系统、打磨与抛光控制系统以及腐蚀、清洗与晾干控制系统；所述配液与注模控制系统，用于控制亚克力粉和固化剂的的配比，并将配好的液体依次注入八个模具，以及完成配液台的清洗；镶嵌控制系统，用于控制机械手将切屑依此镶嵌到8个模具中；打磨与抛光控制系统，用于控制机械手对试件进行打磨与抛光；腐蚀、清洗与晾干控制系统，控制机械手夹紧试件依次在腐蚀台和清洗台停留3秒，依此完成对试件的腐蚀和清洗，最后将试件放入晾干台。本发明具有广泛适用性、强灵活性、高效率的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108296501B
公开(公告)日：2019-04-02
申请号：CN201810125413.0
申请日：2018-02-08
Applicant: 中北大学
IPC: B23B27/00
Abstract: 本发明涉及减振刀杆，具体是一种可调式双螺向减振刀杆。本发明解决了现有减振刀杆在加工工况发生改变时必须更换减振刀具的问题。一种可调式双螺向减振刀杆，包括中空圆柱形刀杆体、中空圆柱形控制块、中空圆柱形定位块、调整杆、圆柱形堵头；其中，中空圆柱形刀杆体的前端封闭、后端设有敞口；中空圆柱形刀杆体的内孔为前细后粗的台阶孔；中空圆柱形控制块的前端封闭、后端设有敞口；中空圆柱形控制块的内侧面设有右旋内螺纹；中空圆柱形控制块的外侧面与台阶孔的细孔孔壁间隙配合，且中空圆柱形控制块的前外端面与中空圆柱形刀杆体的前内端面之间形成减振腔室。本发明适用于金属切削加工。
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公开(公告)号：CN109465752A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201811513955.1
申请日：2018-12-01
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明公开的一种基于PLC金相试件制备装置的控制系统，包括PLC，PLC分别连接有机械手、配液与注模控制系统、镶嵌控制系统、打磨与抛光控制系统以及腐蚀、清洗与晾干控制系统；所述配液与注模控制系统，用于控制亚克力粉和固化剂的的配比，并将配好的液体依次注入八个模具，以及完成配液台的清洗；镶嵌控制系统，用于控制机械手将切屑依此镶嵌到8个模具中；打磨与抛光控制系统，用于控制机械手对试件进行打磨与抛光；腐蚀、清洗与晾干控制系统，控制机械手夹紧试件依次在腐蚀台和清洗台停留3秒，依此完成对试件的腐蚀和清洗，最后将试件放入晾干台。本发明具有广泛适用性、强灵活性、高效率的特点。
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公开(公告)号：CN115921967B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202310246243.2
申请日：2023-03-15
Applicant: 中北大学
Abstract: 本发明涉及铣削加工中的铣削力测量技术，具体是一种具有嵌套压紧式敏感结构的铣削力测量刀具系统。本发明解决了现有铣削力测量技术测量精度低、适用范围受限的问题。一种具有嵌套压紧式敏感结构的铣削力测量刀具系统，包括连接方块、铣刀刀柄、中心螺钉、垫片、铣刀刀盘、四个径向弹性方套筒、四个紧固圆盘A、四个紧固圆套筒A、四个转接圆盘A、四组定位螺钉A、四个竖向弹性方套筒、四个紧固圆盘B、四个紧固圆套筒B、四个转接圆盘B、四组定位螺钉B、四根连接圆梁、四组装配螺钉A、四组装配螺钉B、保护圆套筒、保护圆盘、四个锁紧螺钉A、四个锁紧螺钉B。本发明适用于各种场合（例如实验室、生产现场等）下的铣削加工。
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公开(公告)号：CN115876071A
公开(公告)日：2023-03-31
申请号：CN202310216296.X
申请日：2023-03-08
Applicant: 中北大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及薄膜应变传感器，具体是一种镂空型四电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法。本发明解决了现有薄膜应变传感器在应用于低应变或微应变测量环境时应变偏小、灵敏度和线性度偏低的问题。一种镂空型四电阻栅式薄膜应变传感器，包括金属镂空基底、环形过渡膜层、环形绝缘膜层、四个扇形镍铬薄膜电阻栅；其中，金属镂空基底包括环形镂空段和延伸设置于环形镂空段外侧面的两个U形镂空段；环形过渡膜层沉积于环形镂空段的上表面；环形绝缘膜层沉积于环形过渡膜层的上表面；四个扇形镍铬薄膜电阻栅均沉积于环形绝缘膜层的上表面。本发明适用于切削加工中的切削力测量。
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公开(公告)号：CN114001639A
公开(公告)日：2022-02-01
申请号：CN202111373603.2
申请日：2021-11-19
Applicant: 中北大学
IPC: G01B7/16
Abstract: 本发明涉及薄膜应变传感器，具体是一种四应变缝隙四电阻栅式薄膜应变传感器及其制备方法。本发明解决了现有薄膜应变传感器在应用于低应变或微应变测量环境时应变偏小、灵敏度和线性度偏低的问题。一种四应变缝隙四电阻栅式薄膜应变传感器，包括H形金属基底、矩形过渡膜层、矩形绝缘膜层、四个镍铬薄膜电阻栅；其中，矩形过渡膜层沉积于H形金属基底的上表面中部；矩形绝缘膜层沉积于矩形过渡膜层的上表面，且矩形绝缘膜层的表面贯通开设有四道呈十字形分布的应变缝隙；四道应变缝隙的首端均封闭；四道应变缝隙的尾端一一对应地贯通矩形绝缘膜层的四个端面中部。本发明适用于切削加工中的切削力测量。
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