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公开(公告)号：CN103840263A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410018050.2
申请日：2014-01-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关可控的各向异性零折射率器件，由亚波长尺度上的多个加载PIN二极管的开口谐振环单元规则排列构成，所述单个谐振单元包括在介质基板上表面加工的开口谐振环结构，焊接在开口谐振环单元上端开口之间的PIN二极管，所述介质基板下表面加工两个金属条带以作为直流馈电线，在所述介质基板内部打两个金属化通孔，连接直流馈电线与PIN二极管的正负极，每个PIN二极管的正负极分别通过一个金属化通孔连接介质基板背面的直流馈电线，所有馈电线组合成馈电网络，所述介质基板下表面的馈电网络分为正、负两部分，分别连接每排所有PIN二极管的负极和正极，对介质基板上表面的所有PIN二极管施加偏置电压，以改变PIN二极管的工作状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN204303994U
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201420566211.7
申请日：2014-09-28
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种基于新型人工电磁材料的变形龙伯透镜，其由15层圆形介质薄层沿径向等间距排列而成，每层上周期分布着“I”型金属结构单元。越远离透镜中心的薄层上附着的“I”型结构尺寸越小，其等效的介质常数也就越小。最外层的等效介电常数近似为1，等效磁导率也近似为1，达到匹配空气层的目的。变形龙伯透镜较传统龙伯透镜的变化在于馈源的位置，变形龙伯透镜在其内部有一圆形轨道供馈源在其上做移动。馈源产生的柱面波通过透镜的作用，以平面波的形式出射。随着馈源在轨道上的运动，平面波的出射方向随之发生改变，从而实现了波束的宽角度扫描。本实用新型具有设计加工简单，实现柱面波到平面波的转换，在雷达，天线等领域有广阔的应有前景。
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公开(公告)号：CN204680754U
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201520209034.1
申请日：2015-04-08
Applicant: 东南大学
IPC: H01Q15/14
Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹宽带随机表面，包括金属贴片层、介质层和金属地板层；所述介质层位于金属贴片层和金属地板层之间，介质层是聚酰亚胺或者其他有机高分子聚合物介质材料，厚度为微米量级；所述金属地板层膜层厚度为200纳米及以上，使入射波不能透射；所述金属贴片层在介质层的上表面，其基本单元有井字形结构和回字形结构两种。在较宽频带内归一化反射相位可以覆盖0～360°角度。整个阵列将不同反射相位的单元随机排列或经过算法优化而成。本实用新型具有易于设计、易于加工、宽频带等优点，可在较宽频带内有效缩减二维金属目标体在后向散射主要方向上的散射强度。本实用新型是单层结构，可通过标准光刻技术进行加工制作，在太赫兹应用中有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN204348919U
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201520027917.0
申请日：2015-01-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 本实用新型公开了一种太赫兹宽带编码随机表面。该随机表面包括金属贴片层(1)，介质层(2)和金属地板层(3)；所述介质层(2)位于金属贴片层(1)和金属地板层(3)之间，介质层(2)是聚酰亚胺或者其他有机高分子聚合物介质材料，厚度为微米量级；所述金属地板层(3)位于介质层(2)下表面，膜层厚度为200纳米及以上，用于防止电磁波透射；所述金属贴片层(1)的基本单元为一阶迭代的闵科夫斯基环。本实用新型具有易于设计、易于加工、宽频带等优点，可在较宽频带内有效缩减二维金属目标体在后向散射主要方向上的散射强度，单层结构可通过标准光刻技术进行加工制作，在太赫兹低散射表面等方面有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN203787570U
公开(公告)日：2014-08-20
申请号：CN201420024375.7
申请日：2014-01-15
Applicant: 东南大学
Abstract: 一种开关可控的各向异性零折射率器件，由亚波长尺度上的多个加载PIN二极管的开口谐振环单元规则排列构成，所述单个谐振单元包括在介质基板上表面加工的开口谐振环结构，焊接在开口谐振环单元上端开口之间的PIN二极管，所述介质基板下表面加工两个金属条带以作为直流馈电线，在所述介质基板内部打两个金属化通孔，连接直流馈电线与PIN二极管的正负极，每个PIN二极管的正负极分别通过一个金属化通孔连接介质基板背面的直流馈电线，所有馈电线组合成馈电网络，所述介质基板下表面的馈电网络分为正、负两部分，分别连接每排所有PIN二极管的负极和正极，对介质基板上表面的所有PIN二极管施加偏置电压，以改变PIN二极管的工作状态。
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