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公开(公告)号：CN102969976B
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201210470268.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构、合成通道、输出波导结构和直流偏置电路；合成通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，合成通道内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片，薄膜芯片的一组连接到金属上基座上，另一组连接到金属下基座上，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本发明基于微纳技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；本发明具有端口性能好的特点；本发明具有效率较高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN101764273B
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201010106341.9
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 圆形过模波导紧凑型多级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件，可以在同样的频率上，在基本不影响主模通过的同时，滤掉圆形过模波导中的多种高次模。该圆形过模波导紧凑型多级高次模多模滤模器包括圆形过模波导(1)和两个或两个以上形状和尺寸都相同的模片(2)，其中：模片(2)位于圆形过模波导(1)的内部，模片(2)为薄的导体片，其形状为圆环形，模片(2)与圆形过模波导(1)的横截面平行，模片(2)的圆环外径等于在圆形过模波导内腔(3)的内径；两个相邻模片(2)以及圆形过模波导(1)在两个相邻模片(2)之间的空间就构成了一个谐振单元(4)；两个相邻模片(2)之间的距离处于从小于主模的波导波长到主模波导波长两到三倍之间的范围。
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公开(公告)号：CN101764275B
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：CN201010106358.4
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 圆形过模波导单级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件，可以同时滤掉圆形过模波导中的多种高次模。该高次模滤模器包括圆形过模波导(1)和模片(2)；其中：模片(2)位于圆形过模波导(1)的内部，模片(2)为薄的导体片，其形状为圆环形，模片(2)与圆形过模波导(1)的横截面平行，模片(2)的圆环外径等于在圆形过模波导内腔(3)的内径。圆形过模波导里多个高次模的传输受到抑制，而主模的传输损耗较小，计算表明，在同样的频率上，多个高次模的传输损耗均大于20dB，而主模的传输损耗不到1dB；其次，本发明的结构简单，易于加工。
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公开(公告)号：CN101728601B
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201010106328.3
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 矩形过模波导紧凑型多级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件，可以在同样的频率上，在基本不影响主模通过的同时，滤掉矩形过模波导中的多种高次模。在矩形过模波导(1)的同一横截面里，有两块平行的模片(2)；该两块模片(2)分别为与内腔窄壁(3)的两侧；这样的两块模片(2)构成一组平行模片；模片(2)在矩形过模波导(1)内的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度；模片(2)的宽度小于矩形过模波导(1)内腔宽壁宽度(4)的一半；矩形过模波导(1)里有两组或两组以上的平行模片(2)；相邻两组平行模片(2)以及矩形过模波导(1)在相邻两组平行模片(2)之间的空间构成一个谐振单元(5)。
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公开(公告)号：CN103152066A
公开(公告)日：2013-06-12
申请号：CN201310036833.9
申请日：2013-01-30
Applicant: 东南大学
IPC: H04B1/16
Abstract: 本发明公开了一种多芯片集成E波段接收模块，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置中频低通滤波电路、本振电路以及下变频结构；中频输入端采用标准SMA接头，本振输入端为标准波导法兰结构，射频输出端为标准波导法兰结构。该模块中波导与微带电路之间的信号耦合通过过渡结构实现，低损耗基片电路及各功能砷化镓芯片通过金丝键合实现电气连接。本发明基于多芯片集成技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102969976A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210470268.2
申请日：2012-11-19
Applicant: 东南大学
IPC: H03B19/00
Abstract: 本发明公开了一种紧凑型太赫兹功率合成倍频电路，包括金属上基座和金属下基座，金属上基座和金属下基座形成的腔体内分别设置结构相同的输入波导结构、合成通道、输出波导结构和直流偏置电路；合成通道的一端连接输入波导结构，另一端连接输出波导结构，合成通道内设置两组相互镜像对称的薄膜芯片，薄膜芯片的一组连接到金属上基座上，另一组连接到金属下基座上，直流偏置电路上设置芯片电容，芯片电容和薄膜芯片相连。本发明基于微纳技术，具有结构紧凑、集成度高的特点；本发明具有端口性能好的特点；本发明具有效率较高的特点；同时具有成本低，一致性好，便于规模制造的特点。
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公开(公告)号：CN101764278A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN201010106331.5
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 短路筒温度补偿矩形波导谐振腔涉及一种波导谐振腔，可以显著降低温度对谐振腔谐振频率的影响。该谐振腔由金属腔体(1)、短路筒(2)、支撑体(3)及一个或数个输入输出耦合装置(4)所组成，其中；短路筒(2)位于金属腔体(1)中，短路筒(2)的形状为长方体，支撑体(3)位于金属腔体(1)内的第一顶面腔壁(6)和短路筒(2)的底面(5)之间，短路筒(2)、金属腔体(1)的第二顶面腔壁(9)、金属腔体的宽面腔壁(8)及窄面腔壁(10)构成了电磁波的谐振空间(11)；输入输出耦合装置(4)位于谐振空间(11)部分的金属腔体(1)的顶面腔壁(9)或宽面腔壁(8)或窄面腔壁(10)上。
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公开(公告)号：CN101752641A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN201010106356.5
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: U形温补短路器矩形波导谐振腔可以显著降低温度对谐振腔TE101和TEm0n模式谐振频率的影响。该超低温漂U形短路器矩形波导谐振腔由金属腔体(1)、U形短路器(2)、支撑体(3)及一个或数个输入输出耦合装置(4)所组成；其中，U形短路器(2)位于金属腔体(1)中，支撑体(3)的一头与金属腔体(1)的顶面腔壁(6)连接，支撑体(2)的另一头与U形短路器(2)的底面(5)连接；U形短路器(2)、金属腔体(1)的另一顶面腔壁(9)、金属腔体的两侧面腔壁(10)及上下面腔壁(8)构成了电磁波的谐振空间(11)；输入输出耦合装置(4)位于谐振空间(11)部分的金属腔体(1)的顶面腔壁(9)或窄面腔壁(10)或宽面腔壁(8)上。
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公开(公告)号：CN101728601A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN201010106328.3
申请日：2010-02-02
Applicant: 东南大学
Abstract: 矩形过模波导紧凑型多级高次模多模滤模器涉及一种微波波导元件，可以在同样的频率上，在基本不影响主模通过的同时，滤掉矩形过模波导中的多种高次模。在矩形过模波导(1)的同一横截面里，有两块平行的模片(2)；该两块模片(2)分别为与内腔窄壁(3)的两侧；这样的两块模片(2)构成一组平行模片；模片(2)在矩形过模波导(1)内的高度等于矩形过模波导(1)内腔窄壁(3)的高度；模片(2)的宽度小于矩形过模波导(1)内腔宽壁宽度(4)的一半；矩形过模波导(1)里有两组或两组以上的平行模片(2)；相邻两组平行模片(2)以及矩形过模波导(1)在相邻两组平行模片(2)之间的空间构成一个谐振单元(5)。
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公开(公告)号：CN101217211A
公开(公告)日：2008-07-09
申请号：CN200810019397.3
申请日：2008-01-08
Applicant: 东南大学
Abstract: 毫米波低反射高隔离功率合成器涉及一种能够工作在毫米波及其以上频段的低反射且输入端口之间高隔离的功率合成器，该合成器第一输入传输线(1)的一端是第一输入端口(8)，第二输入传输线(2)的一端是第二输入端口(9)，第一输入传输线(1)的另一端与第二输入传输线(2)的另一端相连并在此与输出传输线(4)的一端相连形成三线交汇处(7)，隔离传输线(3)接在第一输入传输线(1)与第二输入传输线(2)之间，吸收材料(11)放在隔离传输线(3)上，该低反射高隔离功率合成器解决了在毫米波或者更高频段的功率合成器由于没有可用的集中参数隔离电阻造成的三个端口不能同时匹配以及输入传输线之间隔离不好的问题。
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