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公开(公告)号：CN1483219A
公开(公告)日：2004-03-17
申请号：CN01820351.5
申请日：2001-12-13
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/31056
Abstract: 作为蚀刻气体用至少包含：C≥4、C/F比在0.625以上的第一氟碳系气体；F≥4、C/F比0.5以下的第二氟碳系气体；Ar气；和O2气的混合气体，对由氧化硅膜等形成的绝缘膜进行蚀刻。据此，即使在形成深径比高的接触孔的情况下，在提高蚀刻速度以及抗蚀剂掩膜选择比的同时，可抑制接触孔变成弯曲状。
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