公开(公告)号：CN1215620C

公开(公告)日：2005-08-17

申请号：CN01131277.7

申请日：2001-08-29

Applicant: 三洋电机株式会社

Inventor： 竹内邦生 ,  广山良治 ,  冈本重之 ,  富永浩司 ,  野村康彦 ,  井上大二朗

IPC: H01S5/00 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01S5/16 ,  H01S5/0425 ,  H01S5/168

Abstract: 本发明涉及半导体激光元件及其制造方法。P型AlGaInP第1覆盖层上，在脊部的侧面及开孔区域的上方的脊部的上表面区域形成有n型GaAs电流阻挡层。端面近旁的区域上的p型GaAs顶盖层上形成隆起部，端面近旁的第1电极区域上形成隆起区域。第1电极的隆起区域间的区域上形成具有比隆起区域的高度大的厚度的第2电极。