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公开(公告)号：CN1779981A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510114062.6
申请日：2005-10-18
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/762
CPC classification number: H01L27/115 , H01L27/11521
Abstract: 提供一种非易失性存储器及其制造方法。形成与焊盘氧化物层相比较具有高刻蚀速率的绝缘层作为第一STI膜和第二STI膜之间的缓冲层，第一STI膜形成为半导体衬底的下部分，以及第二STI膜形成为半导体衬底的上部分，以获得用于SAP结构的柱子CD。在刻蚀焊盘氧化物层的工序中，缓冲层与焊盘氧化物层相比被更迅速地刻蚀，因此保证足够的柱子CD，而没有过度的湿法回蚀。由此，在实现SAP结构中，可以防止缺陷发生如沟槽或裂缝，以及可以形成均匀厚度的隧道氧化物层。
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