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公开(公告)号：CN109749743A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811319973.6
申请日：2018-11-07
Applicant: 三星电子株式会社 , 秀博瑞殷株式会社
Inventor： 韩勋 , 裴相元 , 洪荣泽 , 朴宰完 , 李珍旭 , 林廷训
IPC: C09K13/06 , H01L21/311
Abstract: 提供了蚀刻组合物、蚀刻氮化硅层的方法和半导体器件制造方法。用于蚀刻的组合物可以包括磷酸、铵类化合物、盐酸和多磷酸盐类化合物二者中的至少一种以及含硅化合物。
