公开(公告)号：CN1846261A

公开(公告)日：2006-10-11

申请号：CN200480025221.9

申请日：2004-09-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹斗燮 ,  金朱镐 ,  朴仁植 ,  黄仁吾 ,  金铉基

IPC: G11B7/26

Abstract: 本发明提供了一种用来制造信息存储介质的记录母盘及其制造方法。该记录母盘包括：母盘基底；吸热层，涂覆在母盘基底上并在被光束照射的部分处吸收热量；分离层，涂覆在吸热层上，其中，根据被光束照射的部分的温度分布，吸热层和分离层中的至少一层发生体积变化。由于这种结构，模子可容易地与转换层分离，可提供表面粗糙度低的记录母盘，并可制造高密度的信息存储介质。

公开(公告)号：CN1771545A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200580000264.6

申请日：2005-02-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金铉基 ,  黄仁吾 ,  金朱镐 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/24

CPC classification number: G11B7/252 ,  B82Y10/00 ,  G11B7/00454 ,  G11B7/24 ,  G11B7/2531 ,  G11B7/2533 ,  G11B7/2534 ,  G11B2007/24308 ,  G11B2007/24312 ,  G11B2007/24314 ,  G11B2007/24316

Abstract: 本发明提供了一种超解析信息存储介质和使再现信号稳定的方法以及用于将数据记录在超解析信息存储介质上和/或从超解析信息存储介质再现数据的设备。在该信息存储介质上信息被记录为小于入射光束的分辨率的标记，该信息存储介质包括：基底；超解析层，形成在基底上并在入射光束聚焦的部分上产生热反应；相变层，形成在超解析层的上方或下方，并在再现记录标记前结晶。

公开(公告)号：CN1771540A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200580000173.2

申请日：2005-01-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金朱镐 ,  黄仁吾 ,  金铉基 ,  尹斗燮

IPC: G11B7/005

CPC classification number: G11B7/1267

Abstract: 本发明提供了一种用于通过积极地检测根据超分辨率信息存储介质(SRISM)的反射率而变化的阈域，使用实际上适于再现的适当实际再现功率来再现记录在SRISM中的信息的方法和设备。从SRISM再现信息的方法包括：将光束发射到SRISM上，同时改变激光光束的再现功率，接收被SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号电平的变化；基于再现信号电平的变化，计算再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率；和基于参考再现功率设置实际再现功率。用于从SRISM再现信息的设备包括光学拾取单元和信号处理单元。该光学拾取单元包括光源和光电检测器，其中光源将具有一定范围的功率的光束发射到SRISM上，光电检测器接收从SRISM反射的光束，并从接收的光束检测再现信号；该信号处理单元根据被光源发射到SRISM上的光束的再现功率的变化来检测再现信号电平的变化，并基于再现信号电平对再现功率的曲线的梯度改变处的参考再现功率设置从光源发射的光束的实际再现功率。