公开(公告)号：CN1164766A

公开(公告)日：1997-11-12

申请号：CN97111663.6

申请日：1997-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋

IPC: H01L29/744 ,  H01L21/332

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/739

Abstract: 一种功率半导体器件，该器件具有形成于阱中源区之间的第一导电类型重掺杂半导体材料的欧姆接触区、形成于阱区中各源区下的扩散层，该扩散层的掺杂量轻于欧姆接触区，重于阱。形成器件的方法包括以下步骤：在阱中源区间形成欧姆接触区，该区有第一导电类型的重掺杂半导体材料；在阱中各源区之下形成禁止闭锁区，该区包围各源区的底部，扩散区的掺杂量轻于欧姆接触区，重于阱。

公开(公告)号：CN1156328A

公开(公告)日：1997-08-06

申请号：CN96105128.0

申请日：1996-05-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金台勋

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/744

CPC classification number: H01L29/66333 ,  H01L29/1095

Abstract: 本发明涉及具有控制闩锁的杂质注入结构的功率半导体器件，提供能改善闩锁并使制造工艺简单化，可缩小芯片尺寸的功率半导体器件及其制造方法。依照在高浓度n+型半导体层14内的低浓度的p-型阱19内，在设于前述阱19表面的高浓度n+型源结区25之间设置掺以高浓度杂质的p+型阴极接触区27的工艺；及在前述阴极接触区27与前述阱19之间，覆盖前述源结区25的下部作延伸，在前述阱19内设置掺以比前述阴极接触区27的杂质浓度低，比前述阱19的杂质浓度高的杂质的p型杂质扩散区24的工艺来制造功率半导体器件。