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公开(公告)号：CN117650150A
公开(公告)日：2024-03-05
申请号：CN202311088689.3
申请日：2023-08-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148 , G01J3/50 , H04N25/70
Abstract: 一种图像传感器包括：传感器基板，包括分别感测第一波长、第二波长和第三波长的光的第一像素、第二像素和第三像素；分色透镜阵列，改变第一波长、第二波长和第三波长的光的相位，并将相变光分别会聚到第一像素、第二像素和第三像素上。分色透镜阵列包括分别面对第一像素至第三像素的第一像素对应区域至第三像素对应区域。第一像素对应区域包括多个第一纳米柱，第二像素对应区域包括多个第二纳米柱，并且第三像素对应区域包括多个第三纳米柱，第二纳米柱之中具有最大截面宽度的第二中心纳米柱与第二像素的中心重叠，并且第三纳米柱之中具有最大截面宽度的第三中心纳米柱与第三像素的中心不重叠。
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公开(公告)号：CN117316965A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310693803.9
申请日：2023-06-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器可以包括像素阵列，该像素阵列包括二维地布置的多个像素。每个像素可以包括：第一超光电二极管，吸收第一波段的光；第二超光电二极管，吸收第二波段的光；以及第三超光电二极管，吸收第三波段的光，其中，第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管可以布置在尺寸小于衍射极限的区域中。布置在像素阵列的中心部分中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式可以与布置在像素阵列的外围中的多个像素中的第一超光电二极管、第二超光电二极管和第三超光电二极管的布置形式相同。
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公开(公告)号：CN116487398A
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN202310041963.5
申请日：2023-01-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了一种图像传感器，该图像传感器包括传感器衬底，该传感器衬底包括多个感光单元；透明间隔物层，设置在传感器衬底上；以及分色透镜阵列，设置在间隔物层之上并且包括多个纳米柱，该多个纳米柱被配置为根据入射光的入射位置来改变入射光的相位，其中，多个纳米柱布置在多个层中，其中，在多个纳米柱中，宽度小于wc的纳米柱可以仅布置在多个层中的任一层中。此外，wc可以大于或等于80nm并且小于或等于200nm。因此，可以增加设置在分色透镜阵列中的纳米柱的最小宽度，这有利于制造工艺。
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公开(公告)号：CN115966578A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211224033.5
申请日：2022-10-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 一种图像传感器，包括：分色透镜阵列，包括分别与多个第一像素相对应的多个第一像素对应区域和分别与多个第二像素相对应的多个第二像素对应区域，其中，所述多个第一像素对应区域和所述多个第二像素对应区域中的每一个包括多个纳米柱，并且在围绕所述分色透镜阵列的中心部分的外围部分中，所述多个第一像素对应区域的多个纳米柱的形状、宽度和布置中的至少一项根据多个纳米柱的方位角方向改变。
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公开(公告)号：CN115914861A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211028875.3
申请日：2022-08-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N25/00 , H04N25/44 , H01L27/146
Abstract: 提供了一种图像传感器，包括：传感器基板，包括第一像素行和第二像素行；间隔层，布置在所述传感器基板上；以及分色透镜阵列，布置在所述间隔层上，其中，所述分色透镜阵列包括：第一分色透镜阵列，从入射光中分离第一光谱范围内的多个波长的光并且使所述多个波长的光会聚到所述第一像素行的多个像素上；以及第二分色透镜阵列，从入射光中分离与所述第一光谱范围不同的第二光谱范围内的多个波长的光并且使该多个波长的光会聚到所述第二像素行的多个像素上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115810643A
公开(公告)日：2023-03-17
申请号：CN202211092411.9
申请日：2022-09-07
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种用于获得超高分辨率图像的图像传感器。该图像传感器包括二维布置的多个像素，该多个像素中的每一个包括：第一超颖光电二极管，选择性地吸收红色波段的光；第二超颖光电二极管，选择性地吸收绿色波段的光；以及第三超颖光电二极管，选择性地吸收蓝色波段的光。图像传感器的多个像素中的每一个的宽度可以小于衍射极限。
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公开(公告)号：CN115621290A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202210353175.5
申请日：2022-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供了一种包括平面纳米光子微透镜阵列的光学传感器以及包括该光学传感器的电子装置。光学传感器可以包括：传感器基板，包括多个用于感测光的光敏单元；滤光层，设置在传感器基板上；以及平面纳米光子微透镜阵列，设置在滤光层上，并且包括多个平面纳米光子微透镜，其中，该多个平面纳米光子微透镜在第一方向以及与第一方向垂直的第二方向上二维布置，并且每个平面纳米光子微透镜包括纳米结构，纳米结构布置为使得透射通过每个平面纳米光子微透镜的光在第一方向和第二方向上具有相变曲线凸出的相位分布。
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公开(公告)号：CN114447009A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111244057.2
申请日：2021-10-25
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 提供了一种包括分色透镜阵列的图像传感器。所述图像传感器包括：传感器基板，包括被配置为感测第一波长光的第一像素和被配置为感测第二波长光的第二像素；以及分色透镜阵列，包括第一波长光会聚区域，所述第一波长光会聚区域中的第一波长光会聚到所述第一像素上，其中，所述第一波长光会聚区域的面积大于所述第一像素的面积，并且所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间的距离小于所述第一波长光会聚区域对于所述第一波长光的焦距。
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公开(公告)号：CN114447007A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111224188.4
申请日：2021-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/374 , H04N5/372 , H04N9/04
Abstract: 提供了一种图像传感器，包括：传感器基板，包括被配置为感测入射在所述传感器基板上的光的第一光敏单元和第二光敏单元；分色透镜阵列，被配置为改变第一波长光的相位和第二波长光的相位，以使所述第一波长光行进到所述第一光敏单元并且使所述第二波长光行进到所述第二光敏单元；以及光谱整形层，包括分别具有第一折射率的多个纳米结构、和设置在所述多个纳米结构之间并且具有第二折射率的介电材料，所述光谱整形层设置在所述传感器基板与所述分色透镜阵列之间，并且被配置为通过反射和/或吸收穿过所述分色透镜阵列的光的一部分，对入射在所述传感器基板上的光的光谱分布进行整形。
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公开(公告)号：CN114447006A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111224127.8
申请日：2021-10-20
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/146
Abstract: 提供一种图像传感器，包括：传感器基板，包括配置为感测红外线波段中的第一波长光的多个第一像素和配置为感测可见光波段中的第二波长光的多个第二像素；以及分色透镜阵列，设置在传感器基板上并且配置为改变入射在分色透镜阵列上的第一波长光的相位以使第一波长光会聚到多个第一像素，其中，分色透镜阵列包括配置为使第一波长光分别会聚在多个第一像素上的多个光会聚区域，并且其中多个光会聚区域中每一个的面积大于多个第一像素中每一个的面积。
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