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公开(公告)号:CN100536309C
公开(公告)日:2009-09-02
申请号:CN200510124820.2
申请日:2005-11-21
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 京野羊一
IPC: H02M7/515
CPC classification number: H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 流经电抗器(5)的电流流经电阻器(9),其根据电流的值产生电压。当由电阻器(9)产生的电压大于或者等于晶体管(18)的阀值时,晶体管(18)处于导通状态。当流经电抗器(5)的电流减小,并且由电阻器(9)产生的电压变得小于晶体管(18)的阀值时,晶体管(18)截止,并且NMOS(16)导通。因而,通过二极管(14)降低NMOS(7)的栅极电压,确保NMOS(7)在流经变压器(2)的次级线圈(2b)的电流变成零之前截止。
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公开(公告)号:CN100514816C
公开(公告)日:2009-07-15
申请号:CN200710001936.6
申请日:2007-01-15
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 京野羊一
IPC: H02M3/28 , H02M3/338 , H02M7/48 , H02M7/5383 , H02H7/122
CPC classification number: H02M3/337 , H02M3/3376 , Y02B70/1433
Abstract: 一种谐振开关电源装置,具有串联连接在DC电源的输出端之间并且交替导通和关断的第一开关元件和第二开关元件;包括变压器的初级线圈和电流谐振电容器,并与第二开关元件并联的串联谐振电路;控制第一和第二开关元件的控制器;整流/平滑电路,用于对在第二开关元件的导通期间在变压器次级线圈上产生的电压进行整流和平滑并输出经过整流平滑的电压;检测通过串联谐振电路的电流的电流检测器;和过流保护器,如果电流检测器检测到预定的电流值,则关断第一和第二开关元件一预定期间,从而将变压器的激励能归零。
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公开(公告)号:CN100420136C
公开(公告)日:2008-09-17
申请号:CN200480028082.5
申请日:2004-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 京野羊一
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 开关电源装置设有通过1次线圈(N1)而与直流电源(1)连接的主开关(Q1)。平滑电容器(Co)通过同步整流元件(Q2)连接在2次线圈(N2)上。同步整流元件(Q2)由同步整流半导体开关(8)和二极管(D0)的并联电路构成。为了在二极管(D0)成为导通的期间中使同步整流半导体开关(8)导通,设有导通期间确定用电容器(C1)、充电用二极管(D1)、电阻(R1)、放电用电阻(R2)、开关状态信号检测部件(11)和逻辑电路部件(20)。通过逻辑电路部件(20),能够正确地设定同步整流半导体开关(8)的导通期间。
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公开(公告)号:CN101005235A
公开(公告)日:2007-07-25
申请号:CN200610168018.8
申请日:2006-12-15
Applicant: 三垦电气株式会社
CPC classification number: H02M3/33523 , H02M1/32
Abstract: 本发明的电源装置的过热保护电路,不采用专用的感温元件,而采用肖特基势垒二极管(SBD)进行过热保护。该过热保护电路在直流电源装置(1A)中,使由与整流二极管(D51A)热耦合的肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的温度引起的反向漏电流(Ir)流入到输出电压检测电路(10A)内的光耦合器(PC1)。由此,当肖特基势垒二极管(SBD)(D51B)的反向漏电流(Ir)增大时(整流二极管(D51A)的温度由于过载而上升时),使输出电压检测电路(10A)的反馈信号增大,使输出电压降低,从而进行直流电源装置(1A)的过热保护。
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公开(公告)号:CN1985427A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580023200.8
申请日:2005-09-20
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 京野羊一
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 在直流电源装置中设置:导通检测电路(17、18),用于在整流用MOS-FET(15、16)的整个导通期间内输出检测信号Vp1、Vp2;以及与导通检测电路(17、18)连接的计时电路(19、20)。利用计时电路(19、20)计时一方的整流用MOS-FET(15)内流动的电流ID1变为零之前的导通检测电路(17、18)的检测信号Vp1、Vp2的输出期间,由于可在被计时的期间即将结束时截止另一方的整流用MOS-FET(16),因而可通过在整流电路的导通期间内有效截止整流用MOS-FET(15、16)高效进行直流电源装置的同步整流。
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公开(公告)号:CN1985426A
公开(公告)日:2007-06-20
申请号:CN200580023252.5
申请日:2005-09-20
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H02M1/08 , H02M7/5387
CPC classification number: H03K19/018557 , H02M1/08 , H02M7/538 , H03K17/162 , H03K17/6871
Abstract: 驱动装置的电位状态检测电路(29)根据第一电阻(13)与第三电阻(15)的连接点(17)、第三电阻(15)与第一控制用MOSFET(8)的连接点(18)、第二电阻(14)与第四电阻(16)的连接点(19)以及第四电阻(16)与第二控制用MOSFET(9)的连接点(20)的电位差,将信号给予驱动电路(30),驱动电路(30)基于第一串联电路(11)与第二串联电路(12)的电位,给第一MOSFET(1)的控制端以驱动信号,给负载(4)供电。此时,当适当地设定第一电阻(13)、第二电阻(14)、第三电阻(15)、第四电阻(16)的电阻值,即使产生因急剧电位上升带来的异常信号或噪声,电位状态检测电路(29)也可检测各连接点(17-20)的电位,并可靠地产生输出来防止驱动电路(30)的误操作。
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公开(公告)号:CN1860671A
公开(公告)日:2006-11-08
申请号:CN200480028082.5
申请日:2004-09-27
Applicant: 三垦电气株式会社
Inventor: 京野羊一
IPC: H02M3/28
CPC classification number: H02M3/33592 , Y02B70/1475
Abstract: 开关电源装置设有通过1次线圈N1而与直流电源1连接的主开关Q1。平滑电容器Co通过同步整流元件Q2连接在2次线圈N2上。同步整流元件Q2由同步整流半导体开关8和二极管D0的并联电路构成。为了在二极管D0成为导通的期间中使同步整流半导体开关8导通,设有导通期间确定用电容器C1、充电用二极管D1、电阻R1、放电用电阻R2、开关状态信号检测部件11和逻辑电路部件20。通过逻辑电路部件20,能够正确地设定同步整流半导体开关8的导通期间。
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