公开(公告)号：CN117924229A

公开(公告)日：2024-04-26

申请号：CN202311382082.6

申请日：2023-10-24

Applicant: 株式会社德山 ,  国立大学法人大阪大学

Inventor： 关雅彦 ,  真岛和志 ,  S·K·穆拉尼 ,  S·R·塔普基尔 ,  M·R·纳迪维迪

IPC: C07D309/30 ,  C07H7/04 ,  C07H1/00

Abstract: 本发明涉及保护葡糖酸内酯及使用该保护葡糖酸内酯的C‑芳基羟基糖苷的制造方法。本发明的目的是提供保护葡糖酸内酯及使用该保护葡糖酸内酯的C‑芳基羟基糖苷的制造方法。本发明提供下述式(I)所示的保护葡糖酸内酯及使用该保护葡糖酸内酯的C‑芳基羟基糖苷的制造方法。式(I)中，R表示下述式：‑C(‑L1)(‑L2)‑O‑L3所示的基团。式中，L1、L2及L3各自独立地表示可具有取代基的烷基。#imgabs0#

公开(公告)号：CN117597194A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202280047269.8

申请日：2022-08-24

Applicant: 株式会社亚斯通 ,  株式会社德山

Inventor： 水口和夫 ,  大村信彦 ,  岸野刚之 ,  中谷道人

IPC: B01J41/14

Abstract: 提供进行电渗析时的电阻小、并且制造成本不会增大的、1价阴离子的选择透过性优异的阴离子交换膜及其制造方法。所使用的阴离子交换膜为具有叔氨基和季铵基作为官能团的阴离子交换膜，利用X射线光电子能谱法对该具有叔氨基和季铵基作为官能团的阴离子交换膜表面进行测定时的叔氨基相对于季铵基的强度比为1.0以上。

公开(公告)号：CN115989192B

公开(公告)日：2024-02-02

申请号：CN202180052523.9

申请日：2021-08-26

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 崎田学 ,  小柳信一郎

IPC: C01B33/037

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种不仅表面的铜浓度低，铁和锌这两者表面浓度也低的多晶硅破碎块。本发明的多晶硅破碎块的特征在于，表面金属浓度为15.0pptw以下，该表面金属浓度中，铜浓度为0.30pptw以下，进一步，该表面金属浓度中，铁和锌的合计浓度为2.00pptw以下，优选的是，铁浓度为1.25pptw以下，锌浓度为0.75pptw以下。

公开(公告)号：CN111886239B

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN201980019616.4

申请日：2019-03-14

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 川崎刚美 ,  百田润二 ,  河村智宏 ,  岸真由美 ,  中谷道人

IPC: C07F9/94 ,  C08F212/08 ,  C08F220/06 ,  C07F9/09

Abstract: 提供一种具有(甲基)丙烯酰基的磷酸酯与铋键合得到的铋化合物，其毒性少，可溶于单体，可用于光学用途，且可代替铅化合物，以及提供一种通过使(甲基)丙烯酸铋或次水杨酸铋与具有(甲基)丙烯酰基的磷酸酯反应而脱水，制造所述铋化合物的方法。

公开(公告)号：CN117062753A

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202280025019.4

申请日：2022-03-25

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 水谷康博 ,  今井贵久 ,  藤井正美 ,  川口一博

IPC: B65B51/10

Abstract: 本发明涉及在密封容纳袋的开口部时减少容纳袋产生的褶皱。密封装置(1)包括：接触件(10)，其被插入到容纳多晶硅(S1)的容纳袋(B1)中；密封件，用于将密封部位(SE)密封；驱动机构(20)，用于驱动接触件(10)以拉动开口部(B2)；以及夹紧件(30)，其能够在比第一距离(D1)短的第二距离(D2)上夹紧容纳袋(B1)，所述第一距离(D1)是容纳袋(B1)沿着开口部(B2)的长度。

公开(公告)号：CN115175872B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN202180013576.X

申请日：2021-04-01

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 中村正博

IPC: C01B33/14 ,  C09D201/00 ,  C09D7/42

Abstract: 本发明的二氧化硅被用作涂料的消光剂时，发挥高消光性且还能够抑制乳化的发生；该二氧化硅具有如下特征：具有初级粒子凝聚的凝聚结构，下式(1)所示的粒径比(R)为4.3～5.2，浓度1.48质量百分比的水分散液相对于波长700nm的光的吸光度小于等于0.6，并且，利用氦比重瓶测量的粒子密度大于等于2.18g/㎝3，式(1)R＝LD50/CD50所述式(1)中，(LD50)表示利用激光衍射散射法测量的所述二氧化硅的基于体积基准的累积50％粒径(μm)，(CD50)表示利用库尔特计数法测量的所述二氧化硅的基于体积基准的累积50％粒径(μm)。

公开(公告)号：CN116745237A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280011710.7

申请日：2022-02-22

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 柿木智行 ,  台木祥太

IPC: C01B21/064

Abstract: [课题]本发明的目的在于，提供一种六方氮化硼粉末，其能够得到耐焊接热优异的树脂组合物。[解决方案]通过六方氮化硼粉末，可以改善树脂组合物的耐焊接热，对于所述六方氮化硼粉末，将水作为吸附物种而测得的BET比表面积(SW)与将氮作为吸附物种而测得的BET比表面积(SN)之比(SW/SN)为0.07以下。另外，通过六方氮化硼粉末的制造方法，可以得到能改善树脂组合物的耐焊接热的六方氮化硼粉末，所述制造方法包括将溶出硼量为60ppm以下的粗六方氮化硼粉末在露点温度‑85℃以下的氮气气氛下以1300℃以上且2200℃以下进行加热处理的工序。

公开(公告)号：CN113226983B

公开(公告)日：2023-09-08

申请号：CN202080007229.1

申请日：2020-03-10

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 蔵本晃匡 ,  金近幸博

IPC: C01B21/072 ,  C08L101/00 ,  C08K3/28

Abstract: 一种氮化铝粒子，至少包含第一六边形锥台(1‑a)和第二六边形锥台(1‑b)，形成使第一六边形锥台(1‑a)的下底面(3)与第二六边形锥台(1‑b)的下底面(3)相对的形状，对于第一六边形锥台(1‑a)和第二六边形锥台(1‑b)的每一个，上底面(2)的面积S1为60μm2以上且4800μm2以下，并且所述S1相对于下底面(3)的面积S2的比例(S1/S2)为0.5以上且小于1，第一六边形锥台(1‑a)的高度h1及第二六边形锥台(1‑b)的高度h2分别为5μm以上且20μm以下。

公开(公告)号：CN110352177B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201880013910.X

申请日：2018-03-07

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 秋吉彩生

IPC: C01B33/035

Abstract: 本申请的问题在于，提供一种多晶硅加工品的新型制造方法，其包含：防止在处理通过西门子法得到的多晶硅棒时，因存在于上述多晶硅棒端部的碳构件导致的多晶硅棒表面的碳污染的工序。本申请的技术方案在于，提供一种多晶硅加工品的制造方法，其特征在于，将在利用西门子法的反应器内使与电极连接的碳构件所保持的硅芯线析出多晶硅而得到的多晶硅棒，在其端部包含上述碳构件的状态下取出，在对上述多晶硅棒进行加工的方法中，包括：将上述多晶硅棒从上述电极卸下至进行加工为止的期间，使用包覆材料包覆存在于上述多晶硅棒的端部的碳构件，由此，在将多晶硅棒与碳构件隔离的状态下进行处理的工序。

公开(公告)号：CN110799457B

公开(公告)日：2023-07-11

申请号：CN201880040126.8

申请日：2018-06-04

Applicant: 株式会社德山

Inventor： 镰田诚

IPC: C01B33/035

Abstract: 本发明实现了一种多晶硅的有效的制造方法。本发明是通过西门子法进行的多晶硅的制造方法，反应器和废气处理设备通过设置在废气管道上的截止阀连接，上述截止阀设置在上述反应器的废气出口附近，通过在上述反应器的废气出口和上述截止阀之间的间接冷却型冷却器来冷却废气。