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公开(公告)号：CN116593335A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310496281.3
申请日：2023-05-05
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
Abstract: 本发明公开了一种复杂构件力学性能的微磁无损自动检测方法，包括：A、设置待测构件；B、机器视觉单元识别待测构件位置；C、主控计算机将当前扫查路径信息和检测点信息传送至机器人控制器：主控计算机根据条形码信息从数据库中获取传感器路径标定信息，并传送至机器人控制器；机器人控制器将轮廓信息和传感器路径标定信息转换成当前扫查路径信息和检测点坐标；D、进行微磁无损检测。本发明实现了构件硬度、强度等力学性能和残余应力的自动化无损检测，尤其可对摆放位置不固定、具有复杂曲面特征的构件进行检测。
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公开(公告)号：CN116087070A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202111305986.X
申请日：2021-11-05
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
Abstract: 本发明公开了一种太阳辐射试验装置，属于环境试验设备技术领域，包括箱体、试验腔体、试验箱门、底架、太阳辐射模块、淋雨模块、循环通道和控制器；试验箱的上部设有箱体，箱体中设有试验腔体和试验箱门，试验箱门设置在箱体的一侧；试验箱的下部设有底架，试验箱的一侧设有控制器；太阳辐射模块设置在试验箱箱体的顶部，所述淋雨模块包括水箱、喷淋水泵、喷嘴和连接管路，水箱和喷淋水泵设置在试验箱的底架上，喷嘴设置在箱体的顶部，喷嘴与水箱之间通过连接管路和喷淋水泵相连接；太阳辐射模块和淋雨模块分别与控制器连接。本发明的太阳辐射试验箱，将淋雨模拟功能模块加入了太阳辐射试验箱中，可以模拟各种环境循环试验。
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公开(公告)号：CN115232504A
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202210833953.0
申请日：2022-07-14
Applicant: 中建材创新科技研究院有限公司 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: C09D5/34
Abstract: 本申请公开了一种内墙硬石膏腻子及其制备方法，其中，所述内墙腻子粉包括：硬石膏、复掺材料；所述硬石膏与所述复掺材料的重量比为(1000:1)至(3:1)；所述复掺材料包括无机材料和有机材料中的任意一种或更多种；所述无机材料选自灰钙、水泥、建筑石膏和石灰中的任意一种或更多种；所述有机材料选自瓜尔胶、聚乙烯醇、预糊化淀粉和胶粉中的任意一种或更多种。本申请提供的内墙硬石膏腻子与水拌和形成的浆体，无结块，施工性刮涂无障碍，手工均可打磨，可便捷的进行施工操作；干燥时间(表干)较快，可有效缩短施工周期；涂抹至5mm时也无明显流挂现象，且标准状态粘接强度符合内墙硬石膏腻子要求，可确保涂抹平整且无掉皮等现象。
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公开(公告)号：CN114739762A
公开(公告)日：2022-07-12
申请号：CN202210259628.8
申请日：2022-03-16
Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 本发明涉及一种镍钴锰酸锂标准样品的制备方法，属于化学标准样品制备领域。按照成分配比称取硝酸镍、硝酸钴、硝酸锰、硝酸镁、硝酸钙、硝酸铜、硝酸铁、硝酸锌和硝酸锆，加入去离子水中搅拌，配成混合溶液；将含硅溶液添加至氢氧化钠溶液中，搅拌均匀；将混合溶液与含硅的氢氧化钠溶液和氨水进行共沉淀反应，得到镍钴锰酸锂前驱体；镍钴锰酸锂前驱体与碳酸锂和碳酸钠混合均匀，在管式炉中进行烧结，室温冷却后研磨，过筛，混匀；采用化学法和ICP法对各定值成分进行检测，对各定值元素进行均匀性初检；在氮气保护下进行分装。该方法制备流程简单，成本低，得到的标准样品均匀性和稳定性良好；可用于校准仪器和评价分析方法。
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公开(公告)号：CN112341249B
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202011097171.2
申请日：2020-10-14
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
IPC: C04B41/47
Abstract: 本发明涉及一种绿松石无差异优化方法，属于珠宝加工技术领域。先将待加工的绿松石与川蜡放置于高压釜中；密闭高压釜，减压至100kPa以下；高压釜内部升温至90‑95℃，待川蜡融化并浸没绿松石后，向高压釜内充入保护气体，增压至0.2‑0.3MPa；保温10‑12小时，期间连续增加压力至1.0‑3.0MPa；自然降温至常温，释放压力，取出绿松石。本发明通过在中温环境下对绿松石进行浸蜡，有效改变绿松石的颜色质地；采用先降压、后加压的方式进行浸蜡，使蜡油成分更好的渗入绿松石内部；通过较长时间的高压浸蜡，实现了不同颜色品质的绿松石经过优化后，达到较为一致的蔚蓝色；本方法生产的绿松石颜色稳定持久，不易褪色。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113532984A
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN202110704606.3
申请日：2021-06-24
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高纯钨痕量元素分析用标准样品及其制备方法，属于高纯金属分析检测领域。该标准样品包括Al，As，B，Ba，Bi，Ca，Cd，Cu，Cr，Co，Fe，Hf，K，Mg，Mn，Mo，Na，Ni，P，Pb，Sb，Si，Sn，Sr，Ta，Ti，Zn和Zr元素，含量均为0.1ppm～500ppm，余量为W。将原料放入蒸发搅拌器得到粗钨酸铵晶体；氢化还原得到钨粉；机械搅拌，球磨破碎，再次机械搅拌混合；进行杂质元素含量检测；压块，烧结；化学标准样品成分均匀性检查和定值。本发明方法得到的高纯钨标准样品，形状规则、成分均匀、稳定性好、定值准确，可以用于高纯钨痕量元素测定结果的校正和仪器设备状态的监控。
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公开(公告)号：CN113514534A
公开(公告)日：2021-10-19
申请号：CN202110763611.1
申请日：2021-07-06
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司 , 国标(北京)检验认证有限公司
Abstract: 本发明涉及一种应用辉光放电质谱分析小尺寸导电和非导电材料的方法，属于材料分析领域。该方法先将石墨粉置于铝杯中，轻轻振荡铝杯，使石墨粉表面平整；将小尺寸导电材料或非导电材料置于石墨粉上；盖上数层硫酸纸；用压片机压紧，制成测试样品；进行直流辉光放电质谱分析。采用本发明的分析方法，无需研磨、无需烧结、无需加热，前处理简单，避免了污染；避免了以金属作为导电介质时，不能测定该金属元素的问题，及由该金属元素形成的质谱干扰；缩短了分析时间，提高了分析效率；能适合屑状、颗粒状、粉末状等小尺寸导电材料以及细颗粒状、粉末状非导电材料的分析，普适性强，应用范围广；具有很好的放电稳定性、分析重复性、分析准确性。
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公开(公告)号：CN110108541B
公开(公告)日：2021-09-03
申请号：CN201910418484.4
申请日：2019-05-20
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 国合通用测试评价认证股份公司
Abstract: 本发明公开了一种高纯金微观组织样品的制备方法，其包括以下步骤：(1)采用热镶嵌料对高纯金样品进行热镶嵌；(2)将镶嵌后样品在SiC水砂纸上研磨；(3)对研磨后的样品进行两次机械抛光，抛光剂为2.5μm和1.0μm的金刚石抛光液，每次抛光时间为30s‑3min，抛光盘转速为100r/min‑200r/min；(4)采用三氯化铁+盐酸+双氧水+水混合溶液对样品进行腐蚀；(5)将腐蚀后的样品冲洗、干燥，然后在显微镜下观察高纯金样品的微观组织。本发明采用的腐蚀液为三氯化铁+盐酸+双氧水的水溶液，化学性质较稳定、腐蚀性弱、对人体伤害小，相对于王水更加安全。
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公开(公告)号：CN113155945A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN202110228445.5
申请日：2021-03-02
Applicant: 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: G01N27/68
Abstract: 本发明涉及一种定量测定单晶硅中替位碳的方法，属于半导体检测领域。将单晶硅标准样品制成棒状参考样，用氢氟酸和硝酸浸泡腐蚀，用去离子水超声清洗，反复若干次，将冲洗后的硅棒用高纯氮气吹干或烘干；采用低压源直流辉光放电质谱法，优化放电条件，采集C的离子信号计数值，将离子信号计数值与对应的参考样标示值进行关联来校准仪器的相对灵敏度因子，得到校准后的相对灵敏度因子；采用相同的方法制备单晶硅待测样品的棒状测试样品，采用低压源直流辉光放电质谱法在相同条件下进行检测，得到待测样品中C的离子信号计数值，计算得到待测样品中C的准确含量。本发明的方法样品用量少、灵敏度高、检出限低、精密度高、准确度好、同时简单易操作。
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公开(公告)号：CN111896432A
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN202010537753.1
申请日：2020-06-12
Applicant: 国标(北京)检验认证有限公司 , 国合通用测试评价认证股份公司
IPC: G01N15/02 , G01N23/2055 , G01N23/207
Abstract: 本发明公开了属于X射线衍射分析技术领域的一种铜及其合金晶粒尺寸的高通量检测方法。步骤包括：在未知晶粒尺寸的工件待测点上放置内孔尺寸为2mm的遮光孔或透光管；采用X射线衍射装置，测定待测点的德拜衍射斑图谱；当存在衍射斑点，德拜环不可见，晶粒尺寸＞1mm；德拜环可见，晶粒尺寸≤1mm。为进一步区分细小晶粒的粒径区间，依次缩小遮光孔尺寸再次测量，并根据德拜环的形态，快速判定晶粒的尺寸范围。本发明无需破坏工件，特别适用于甄别晶粒粗大的大型工件，真正实现高速高通量的在线原位大规模检测。
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