公开(公告)号：CN1564308A

公开(公告)日：2005-01-12

申请号：CN200410017080.8

申请日：2004-03-19

Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 ,  上海新傲科技有限公司

Inventor： 安正华 ,  林成鲁 ,  张苗 ,  刘卫丽 ,  门传玲

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/20 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种绝缘体上硅结构及制备方法，属于微电子技术领域。其特征在于先后通过Al薄膜沉积、键合、离子注入，结合热处理等技术来制备以氮化铝或氧化铝或AlN、Al2O3、Si3N4或SiO2中两种或多种复合层为埋层的SOI结构衬底材料，即先在硅片表面淀积Al薄膜，然后通过键合技术实现层转移，最后经N或O离子注入形成所需埋层材料。所制备的绝缘层上硅结构由三层构成，顶层为单晶硅层，厚度为20－2000nm，中间是绝缘埋层，厚度为50－500nm，底层为硅衬底。得到的SOI衬底材料具有良好的热传导性能，适合高温、大功率或辐照环境下的SOI电路的需要。