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公开(公告)号：CN103035122A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201210543679.X
申请日：2012-12-14
Applicant: 清华大学苏州汽车研究院(吴江)
Abstract: 本发明公开了一种基于智能手机的出租车自动寻呼系统，包括智能手机终端、信息控制中心和车载移动终端，其特征在于：所述信息控制中心可以接收和管理司机或乘客的信誉信息，并根据乘客信誉情况判断是否为其提供服务，可以从智能手机终端接收并转发乘客的打车订单信息、确定下单信息，从车载移动终端接收并转发出租车动态位置信息、确定接单信息和出租车标识信息，可以执行出租车优化选择算法；本发明通过设计信誉评估制度、执行出租车优化呼叫选择算法，有效地解决了出租车空驶率高、污染环境、交通阻塞等问题。
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公开(公告)号：CN102918878A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201180001436.7
申请日：2011-05-31
Abstract: 本发明实施例提供了一种报文发送方法和装置，涉及通信领域，所述方法包括：接收来自第一用户设备的认证请求，根据该第一用户标识，向该第一用户的家乡用户服务器HSS发送用户绑定认证请求，使得该第一用户的HSS根据保存的IMSI和用户标识的绑定关系判断该第一用户设备的IMSI和该第一用户标识的绑定关系是否合法；当该第一用户的HSS确定该第一用户设备的IMSI和该第一用户标识的绑定关系合法时，从该第一用户的HSS下载该第一用户设备的IMSI和该第一用户标识的绑定关系，并在第一用户设备与第二用户设备建立通信后，当接收到来自该第一用户设备的报文时，将符合下载的绑定关系的报文发送给第二用户设备。本发明防止数据传输过程中用户标识伪造的发生，提高了数据传输的安全性。
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公开(公告)号：CN102779739A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201210242463.X
申请日：2012-07-12
Applicant: 清华大学 , 上海集成电路研发中心有限公司
IPC: H01L21/265 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种功率半导体器件背面制造工艺，为解决现有工艺中杂质激活率低等问题而设计。本发明功率半导体器件背面制造工艺至少包括下述步骤：将正面结构加工完毕的硅片减薄；在硅片背面进行晶格预损伤处理；离子注入掺杂；在550℃以下进行杂质推进处理；用激光退火完成晶格修复处理。晶格预损伤处理的方法为：在硅片的背面进行离子注入，注入浓度在1015至1016之间。用于晶格预损伤处理的离子注入的离子为硅离子、锗离子或氢离子。本发明功率半导体器件背面制造工艺利用离子注入损伤产生的增强扩散效应，通过离子注入晶格预损伤处理、低温推进和激光退火的结合，达到离子注入杂质的有效推进和激活，适用于多种功率器件的生产制造。
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公开(公告)号：CN102683399A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210153147.5
申请日：2012-05-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/73 , H01L29/10 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括重掺杂的埋层集电区、集电区、选择性注入集电区、基区、外基区、发射极以及侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
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公开(公告)号：CN102664190A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210153063.1
申请日：2012-05-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/732 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区，在集电区上的基区和外基区、在基区上的发射极、以及在发射极两侧的侧墙，外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102651384A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210153410.0
申请日：2012-05-16
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/10 , H01L29/732 , H01L21/331
Abstract: 本发明公开一种嵌入式外延外基区双极晶体管，为解决现有结构存在TED效应问题而设计。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管至少包括集电区、集电区上的基区和外基区、基区上的发射极、以及发射极两侧的侧墙，所述外基区采用原位掺杂选择性外延工艺生长而成，而且嵌入在集电区内。外基区的一部分位于侧墙的下方。外基区在基区上产生应力。本发明提供一种嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管避免了TED效应，同时也降低了器件的外基区电阻，使器件的性能得到提升。本发明嵌入式外延外基区双极晶体管的制备方法实现了上述嵌入式外延外基区双极晶体管结构，步骤简练，成本低，操作简易，所得结构性能良好。
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公开(公告)号：CN102452692A
公开(公告)日：2012-05-16
申请号：CN201010523355.0
申请日：2010-10-22
Applicant: 清华大学 , 北京市自来水集团有限责任公司
IPC: C02F1/20
Abstract: 一种饮用水突发卤代烷烃类有机物污染时的曝气吹脱方法，属于水处理领域，其特征是：该方法是在水中铺设鼓风曝气系统，通过曝气使得挥发性有机物从水相转移至气相中去除，本发明可以应对饮用水相关水质标准中规定的三氯甲烷、二溴一氯甲烷、一溴二氯甲烷、四氯化碳、三溴甲烷、1，1-二氯乙烯、1，2-二氯乙烯、三氯乙烯、四氯乙烯、1，2-二氯乙烷、1，1，1-三氯乙烷、1，1，2-三氯乙烷等挥发性有机污染物；可以应对超标浓度高达5倍左右的挥发性有机污染物；设备、操作简单，运行成本不高，不会影响自来水厂产水量，便于水厂应用；可高效、安全、经济的实现水源水挥发性有机污染物超标时的城市供水，也可应用于工业水处理。
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公开(公告)号：CN102176085A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110056223.6
申请日：2011-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了属于半导体制造设备范围的使激光光束做大范围移动及扫描动作的机构。激光器、反射镜及处理激光光束的光路组件安装于光学腔中，其中激光器、处理激光束的光路组件分别安装在光学腔两个竖直腔内，光学腔安装于支撑座上，利用该机构，可以在较大范围内移动激光光束，使其对不同的工作站进行扫描或者步进扫描，并覆盖所要处理的全部晶圆片表面。该机构还可以对激光光束进行扩束、匀束、光斑整形、准直等光学处理。光路组件部分处于扫描机构的后面，并且随扫描过程也做同步的移动，通过这样的方式，使作用于工作站上的晶圆片表面不同区域的激光光束稳定一致，从而能够保证激光加工工艺质量的均匀性，稳定性，并实现激光光束利用的高效率。
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公开(公告)号：CN101759650A
公开(公告)日：2010-06-30
申请号：CN200910244635.5
申请日：2009-12-31
Applicant: 清华大学
IPC: C07D239/26 , C09K19/34
Abstract: 本发明公开一种嘧啶类液晶化合物及其制备方法。该嘧啶类液晶化合物，其结构通式如式I所示，其中，R为C1-C15的烷基，优选乙基、丙基、丁基或戊基。本发明提供的制备嘧啶类液晶化合物的方法，包括如下步骤：在(Ph3P)4Pd的催化作用下，将反式-4-烷基环己基苯硼酸与2-氯-5-溴嘧啶进行偶联反应，得到所述嘧啶类液晶化合物。本发明提供的嘧啶类液晶化合物是一种介电各向异性大(Δε)的含氯液晶化合物。该化合物由于具有相对较大的介电常数、较大的ε⊥，适合于多路驱动，在液晶显示领域具有良好的应用前景，尤其是TN、STN型液晶显示领域。
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公开(公告)号：CN101552200A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200810241108.4
申请日：2008-12-30
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/331
Abstract: 本发明公开了属于半导体器件制备技术领域的一种适用于双极晶体管或异质结双极晶体管的选择性隐埋集电区结构的制备方法。所述制备方法是利用器件发射区窗口掩膜版，通过光刻在光刻胶上形成窗口，然后利用大剂量离子注入向该窗口内注入扩散较快的第一导电类型的杂质离子，在重掺杂第一导电类型的集电区衬底或重掺杂第一导电类型的集电区埋层中形成掺杂浓度更高的第一导电类型的附加局部集电区隐埋层，并以此为扩散源，在随后生长低掺杂集电区外延层或热处理过程中向器件发射区窗口扩散、延伸形成杂质浓度呈倒梯度分布的局部选择性隐埋集电区结构，从而同时提高器件的fT和fmax，本发明在常规设备及工艺条件下，无需高能离子注入设备即可实现。
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