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公开(公告)号:CN101042977B
公开(公告)日:2011-12-21
申请号:CN200610060018.6
申请日:2006-03-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J37/073 , H01J37/26 , H01J2201/30411 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2237/06341 , H01J2237/28
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源,其包括:一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层,该导电基体具有一锥形顶部,该碳纳米管一端通过范德华力附着于导电基体顶部的表面,另一端沿该导电基体顶部向外延伸,该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。
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公开(公告)号:CN101042977A
公开(公告)日:2007-09-26
申请号:CN200610060018.6
申请日:2006-03-22
Applicant: 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
CPC classification number: H01J1/3044 , H01J37/073 , H01J37/26 , H01J2201/30411 , H01J2201/30434 , H01J2201/30469 , H01J2237/06341 , H01J2237/28
Abstract: 本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源,其包括:一导电基体、一碳纳米管和一导电金属层,该导电基体具有一顶部,该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接,另一端沿该导电基体顶部向外延伸,该导电金属层形成于该碳纳米管表面与该导电基体顶部表面。本发明还涉及上述碳纳米管场发射电子源的制造方法。
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