公开(公告)号：CN109792080B

公开(公告)日：2021-10-26

申请号：CN201780059769.2

申请日：2017-09-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤洋 ,  大石昌弘 ,  塚田岳夫 ,  矶道岳步 ,  上野哲也

IPC: H01M10/0562 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01B1/06

Abstract: 本发明提供一种全固体锂离子二次电池，其具有包含下述通式(1)所表示的化合物的活性物质层，固体电解质层包含下述通式(2)所表示的化合物。LiaVbAlcTidPeO12……(1)(其中，所述通式(1)中，a、b、c、d及e是分别满足0.5≤a≤3.0；1.20＜b≤2.00；0.01≤c＜0.06；0.01≤d＜0.60；2.80≤e≤3.20的数。)LifVgAlhTiiPjO12……(2)(其中，所述通式(2)中，f、g、h、i及j是分别满足0.5≤f≤3.0；0.01≤g＜1.00；0.09＜h≤0.30；1.40＜i≤2.00；2.80≤j≤3.20的数)。

公开(公告)号：CN109792080A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780059769.2

申请日：2017-09-25

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤洋 ,  大石昌弘 ,  塚田岳夫 ,  矶道岳步 ,  上野哲也

IPC: H01M10/0562 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01B1/06

CPC classification number: H01M10/0562 ,  H01B1/06 ,  H01M4/136 ,  H01M4/58 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0525 ,  H01M10/058 ,  H01M2300/0071

Abstract: 本发明提供一种全固体锂离子二次电池，其具有包含下述通式(1)所表示的化合物的活性物质层，固体电解质层包含下述通式(2)所表示的化合物。LiaVbAlcTidPeO12……(1)(其中，所述通式(1)中，a、b、c、d及e是分别满足0.5≤a≤3.0；1.20＜b≤2.00；0.01≤c＜0.06；0.01≤d＜0.60；2.80≤e≤3.20的数。)LifVgAlhTiiPjO12……(2)(其中，所述通式(2)中，f、g、h、i及j是分别满足0.5≤f≤3.0；0.01≤g＜1.00；0.09＜h≤0.30；1.40＜i≤2.00；2.80≤j≤3.20的数)。

公开(公告)号：CN105977528B

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201610136569.X

申请日：2016-03-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 益子泰辅 ,  田中祯一 ,  塚田岳夫

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供一种具有良好的离子传导率的在含Al的LixLa3Zr2O12(6≤x≤8)中具有高烧结密度的石榴石型锂离子传导性氧化物。本发明的石榴石型锂离子传导性氧化物以LixLa3Zr2O12(6≤x≤8)表示，其特征在于，含有Al，进一步具有元素T(T为Ni、Cu、Co、Fe的任一种以上)，相对于上述石榴石型锂离子传导性氧化物的总量，含有以Al2O3换算为2.5mol％≤Al2O3≤15mol％的量的上述Al，相对于上述石榴石型锂离子传导性氧化物的总量，含有25mol％≤T≤100mol％的量的上述元素T。

公开(公告)号：CN105977529A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201610137537.1

申请日：2016-03-10

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 塚田岳夫 ,  田中祯一 ,  角田宏郁 ,  益子泰辅

IPC: H01M10/0562 ,  C04B35/48 ,  C04B35/50 ,  H01M10/0525

Abstract: 本发明提供一种晶粒内电阻成分贡献的离子传导率较高的具有石榴石型或类似石榴石型的晶体结构的锂离子传导性氧化物陶瓷材料。本发明的具有石榴石型或类似石榴石型的晶体结构的锂离子传导性氧化物陶瓷材料含有Li、La、Zr和O，且还含有选自稀土元素中的一种以上的元素。

公开(公告)号：CN102442825B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201110309878.X

申请日：2011-09-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 日高重和 ,  石井辰也 ,  塚田岳夫 ,  夏井秀定 ,  增田健一郎

IPC: C04B35/468 ,  C04B35/626 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/468 ,  C01G23/003 ,  C01P2002/72 ,  C01P2004/52 ,  C01P2004/62 ,  C01P2006/12 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/767

Abstract: 六方晶系钛酸钡粉末、其制造方法、电介质陶瓷组合物、电子部件及电子部件的制造方法，一种六方晶系钛酸钡粉末，其以通式(Ba1-αMα)A(Ti1-βGaβ)BO3表示，晶体结构为六方晶，所述M的有效离子半径相对于12配位时的Ba2+的有效离子半径为±25％以内，所述A、B、α和β满足0.975≤(A/B)≤1.015、0.0015≤α≤0.005、0.075≤β≤0.15的关系。

公开(公告)号：CN102731089A

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN201210087451.4

申请日：2012-03-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 石井辰也 ,  增田健一郎 ,  日高重和 ,  夏井秀定 ,  塚田岳夫

IPC: C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/4682 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/81 ,  H01G4/1227

Abstract: 本发明涉及半导体陶瓷和层叠型半导体陶瓷电容器，更具体地，涉及BaTiO3系晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用其的层叠型半导体陶瓷电容器。其目的在于提供通过提高半导体陶瓷部分的绝缘性，从而可兼具作为半导体陶瓷的高介电特性和高绝缘电阻的层叠型半导体陶瓷电容器。本发明所述的BaTiO3系半导体陶瓷，其特征在于，其由BaA(Ti1-α-βGaαNbβ)BO3所示，A/B摩尔比在0.900以上且1.060以下的范围，α/β摩尔比在0.92以上且100以下的范围。

公开(公告)号：CN100439285C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200610056980.2

申请日：2006-03-07

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 家住久美子 ,  塚田岳夫 ,  井上正良 ,  山崎纯一 ,  七尾胜 ,  古川正仁 ,  坂本英也 ,  坂本典正

IPC: C04B35/491 ,  H01L41/187

Abstract: 本发明提供一种压电陶瓷组合物，其主成分为以Pb、Ti、Zr为构成元素的复合氧化物，含有从Mn、Co、Cr、Fe、Ni中选择的至少一种作为第一副成分，该第一副成分的含量换算成氧化物为小于等于0.2质量%(但不包括0)；或者，含有以CuOx(x≥0)表示的成分中的至少一种作为第一副成分，此时的第一副成分的含量换算成CuO为小于等于3.0质量%(但不包括0)。压电陶瓷组合物在还原烧成条件下烧成，所述还原烧成条件例如为烧成温度在800℃～1200℃，氧分压为1×10-10～1×10-6大气压。本发明可以使用Cu、Ni等廉价金属材料作为电极材料，可以抑制高温下电阻、电气机械结合系数kr的下降。

公开(公告)号：CN1309682C

公开(公告)日：2007-04-11

申请号：CN01124350.3

申请日：2001-07-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 七尾胜 ,  广瀬正和 ,  塚田岳夫

IPC: C04B35/453 ,  C04B35/495 ,  H01L41/187

CPC classification number: H01L41/187 ,  C04B35/475

Abstract: 本发明提供一种不含铅，具有十分高的居里点，并且显示优良压电特性的压电陶瓷。该压电陶瓷中含有作为铋层状化合物的Bi3TiNbO9型结晶和/或MBi2Nb2O9型结晶，式中的M表示选自Sr、Ba和Ca的至少一种元素，其中所含的Bi、Ti、M和Nb是主成分元素，作为上述主成分元素的氧化物，其摩尔比以通式(Bi3-xMx)z(Nb1+yTi1-y)O9表示，其中，0＜x，y≤0.8，0.95≤z≤1.05，当摩尔比Ba/(M+Bi)以xB/3表示并且摩尔比Ca/(M+Bi)以xc/3表示时，0≤xB≤0.5，0≤xc＜0.4。

公开(公告)号：CN118946936A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202380027197.5

申请日：2023-03-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 竹内启子 ,  田中祯一 ,  益子泰辅 ,  塚田岳夫

IPC: H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562

Abstract: 本发明的固体电解质层(3)具有：第一相区域(31)，其包含第一固体电解质，该第一固体电解质含有Li、Si、P以及O，且具有γ‑Li3PO4型的晶体结构；以及，第二相区域(32)，其包含第二固体电解质，上述第二固体电解质含有Li、Si、P以及O，由与上述第一固体电解质不同的组成构成，且具有Li4SiO4型的晶体结构。本发明的固体电解质层(3)中，上述第一相区域(31)的体积与上述第二相区域(32)的体积之比优选为0.1以上9以下。

公开(公告)号：CN118922895A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202380027193.7

申请日：2023-03-17

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 竹内启子 ,  田中祯一 ,  益子泰辅 ,  塚田岳夫

IPC: H01B1/06 ,  H01B1/08 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562

Abstract: 本发明的固体电解质层(3)具有：第一相区域(31)，其包含第一固体电解质，该第一固体电解质含有Li、Si、V以及O，且具有γ‑Li3PO4型的晶体结构；以及，第二相区域(32)，其包含第二固体电解质，该第二固体电解质含有Li、Si、V以及O，由与上述第一固体电解质不同的组成构成，且具有Li4SiO4型的晶体结构。本发明的固体电解质层(3)中，上述第一相区域(31)的体积与上述第二相区域(32)的体积之比优选为0.1以上9以下。