公开(公告)号：CN113195800A

公开(公告)日：2021-07-30

申请号：CN201980080253.5

申请日：2019-12-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  平林润 ,  藤田实 ,  井之口大辅 ,  有马润 ,  近藤牧雄

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。

公开(公告)号：CN111801804A

公开(公告)日：2020-10-20

申请号：CN201980016365.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司 ,  TDK株式会社

Inventor： 佐佐木公平 ,  藤田实 ,  平林润 ,  有马润

IPC: H01L29/872 ,  C30B29/16 ,  C30B33/08 ,  H01L21/329 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具备：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有沟槽(12)；阳极电极(13)；阴极电极(14)；绝缘膜(15)；以及沟槽电极(16)，第2半导体层(11)在包含沟槽(12)的内表面的区域具有厚度为0.8μm以下的绝缘性的干式蚀刻损伤层(11a)。

公开(公告)号：CN111095570A

公开(公告)日：2020-05-01

申请号：CN201880058896.5

申请日：2018-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  平林润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  井之口大辅

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。

公开(公告)号：CN113195800B

公开(公告)日：2024-09-03

申请号：CN201980080253.5

申请日：2019-12-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 川崎克己 ,  平林润 ,  藤田实 ,  井之口大辅 ,  有马润 ,  近藤牧雄

IPC: C30B11/00 ,  C30B29/16

Abstract: 本发明是收纳单晶生长用原料熔融液(8)并使其固化的单晶生长用坩埚(5A)，其具备：围绕原料熔融液(8)的侧壁部(5s)、及连续于侧壁部(5s)并支撑原料熔融液(8)的底部(5b)，侧壁部(5s)在横截面图中，在内侧具有周长冗余性。侧壁部(5s)在横截面图中，在任一部位上在内侧具有周长冗余的部位，如果在单晶生长后的冷却步骤中单晶生长用坩埚(5A)被冷却，则在横截面图中，在内侧周长冗余的部位向单晶生长用坩埚(5A)的外侧扩展。

公开(公告)号：CN111801804B

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN201980016365.4

申请日：2019-02-25

Applicant: 株式会社田村制作所 ,  诺维晶科股份有限公司 ,  TDK株式会社

Inventor： 佐佐木公平 ,  藤田实 ,  平林润 ,  有马润

IPC: H01L29/872 ,  C30B29/16 ,  C30B33/08 ,  H01L21/329 ,  H01L29/41 ,  H01L29/47 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L29/94

Abstract: 提供一种沟槽MOS型肖特基二极管(1)，其具备：第1半导体层(10)，其包括Ga2O3系单晶；第2半导体层(11)，其包括Ga2O3系单晶，具有沟槽(12)；阳极电极(13)；阴极电极(14)；绝缘膜(15)；以及沟槽电极(16)，第2半导体层(11)在包含沟槽(12)的内表面的区域具有厚度为0.8μm以下的绝缘性的干式蚀刻损伤层(11a)。

公开(公告)号：CN117043911A

公开(公告)日：2023-11-10

申请号：CN202280023312.7

申请日：2022-02-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田实 ,  有马润 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L21/301

Abstract: [技术问题]良好地分割以(001)面为主面的β型氧化镓基板。[解决手段]本发明具备：沿着以(001)面为主面的β型氧化镓基板10的(100)面的延伸方向形成多个分割槽13的工序；通过在与分割槽13的延伸方向垂直的方向上进行切断，从而将β型氧化镓基板10加工成长条状的工序；以及，通过沿着分割槽13解理长条状的β型氧化镓基板10，从而进行单片化的工序。这样，由于沿着解理面形成多个分割槽13，因此通过沿着分割槽13进行解理，不会在解理面产生薄片状的剥离，能够良好地进行分割。

公开(公告)号：CN111095570B

公开(公告)日：2023-07-25

申请号：CN201880058896.5

申请日：2018-08-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  平林润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  井之口大辅

IPC: H01L29/872 ,  H01L21/28 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47

Abstract: 本发明提供一种肖特基势垒二极管，其难以产生因电场集中而引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；以及与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)。漂移层(30)具有在俯视时设置于包围阳极电极(40)的位置的外周沟道(10)。如此，当在漂移层(30)设置外周沟道(10)时，电场因外周沟道(10)的存在而被分散。由此，由于缓和了阳极电极(40)的角部中的电场集中，因此难以产生绝缘破坏。

公开(公告)号：CN114830354A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080087234.8

申请日：2020-10-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 藤田实 ,  有马润 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06

Abstract: 本发明的课题在于在氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止由沟槽与场绝缘层的对准偏差引起的绝缘破坏。该肖特基势垒二极管具备：与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；隔着绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁并且与阳极电极(40)电连接的金属膜(64)；以及场绝缘层(70)。场绝缘层(70)包含：位于漂移层(30)的上表面(31)与阳极电极(40)之间的第一部分(71)以及隔着金属膜(64)和绝缘膜(63)覆盖沟槽(61)的内壁的第二部分(72)。由此，即使沟槽(61)与场绝缘层(70)的对准发生偏差，也不会发生绝缘破坏。

公开(公告)号：CN114830353A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202080087212.1

申请日：2020-10-05

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 有马润 ,  藤田实 ,  川崎克己 ,  平林润

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明的课题在于在使用了氧化镓的肖特基势垒二极管中，防止阳极电极与保护膜的界面的剥离。肖特基势垒二极管(11)具备：由氧化镓构成的半导体基板(20)；设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)；与漂移层(30)肖特基接触的阳极电极(40)；与半导体基板(20)欧姆接触的阴极电极(50)；覆盖设置于漂移层(30)的沟槽(61)的内壁的绝缘膜(63)；和覆盖阳极电极(40)的保护膜(70)，保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内。这样保护膜(70)的一部分(72)嵌入沟槽(61)内，因此，阳极电极(40)与保护膜(70)的密合性提高。由此，能够防止阳极电极(40)与保护膜(70)的界面的剥离。

公开(公告)号：CN112924738A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN202011394307.6

申请日：2020-12-03

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 罗永辉 ,  上正史 ,  平林润

IPC: G01R15/20

Abstract: 本发明提供一种测量误差小的电流传感器。电流传感器(1)具备：母线(10)，其包含：同轴配置的筒状结构部(11、12)，以及配置在被筒状结构部(11、12)包围的中空区域(10a)中的感测部(13)；以及磁传感器(20)，配置在中空区域(10a)中，检测由测量对象电流(I)中的、流过感测部(13)的电流分量生成的磁场。母线(10)构成为使测量对象电流(I)中的、沿+z方向流过筒状结构部(11)的电流分量中的至少一部分沿‑z方向流过筒状结构部(12)。由此，因为从母线(10)辐射到外部的磁场的大部分被抵消，所以减小了母线(10)的电感。