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公开(公告)号:CN116694318A
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202210186331.3
申请日:2022-02-28
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开了一种量子点材料及其制备方法、组合物、发光二极管及显示装置,所述量子点材料包括量子点及结合在所述量子点表面的配体,所述配体具有如下结构式:其中,R1、R2、R3分别独立选自取代或未取代的具有1至20个C原子的直链烷基、或取代或未取代的具有3至20个C原子的支链烷基;*表示与所述量子点结合的连接位点。所述量子点材料具有较高的稳定性,较少的表面缺陷,以及较低的费米能级,在使用所述量子点材料制作量子点发光层时,可以降低空穴从空穴传输层到量子点发光层的传输难度,从而有效地提高空穴传输速率,使得发光二极管的电子‑空穴传输更加平衡,进而提高发光二极管的发光效率及寿命。
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公开(公告)号:CN116410749A
公开(公告)日:2023-07-11
申请号:CN202111648680.4
申请日:2021-12-30
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开一种量子点的纯化方法和量子点,包括提供初始量子点溶液;以及提供金属螯合剂;将金属螯合剂加入初始量子点溶液中进行络合反应,分离,得到纯化后的量子点溶液;其中,金属螯合剂包括第一复合物,以及包覆第一复合物外表面的双硫腙;第一复合物为非离子聚合物与阴离子表面活性剂的复合物。金属螯合剂中的第一复合物带有负电荷,能够快速吸附溶液中的具有正电荷的金属离子到金属螯合剂周围,金属螯合剂外层包覆的双硫腙则与周围的金属离子络合反应,从而可快速且大量除去量子点溶液中的金属离子,从而极大程度减小甚至彻底避免量子点溶液中的金属离子的微量残留,纯化程度高,提高了纯化后的量子点的荧光量子点产率。
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公开(公告)号:CN116351812A
公开(公告)日:2023-06-30
申请号:CN202111621718.9
申请日:2021-12-28
申请人: TCL科技集团股份有限公司
摘要: 本申请公开了一种管路清洗方法及其使用方法,包括:向待清洗的管路中通入清洗流体;对清洗流体进行热处理,以使部分清洗流体汽化后产生蒸汽气泡;通过蒸汽气泡与清洗流体共同清洗管路。部分汽化的清洗流体使管路中的清洗流体总体积变大,提升了清洗流体的流速上限,有助于杂质清理;降低气压可使清洗流体沸点降低,避免了热处理对设备的损伤;使用微波可只针对清洗流体进行加热,对于设备的影响可忽略不计,提升了清洗能力,将此管路清洗方法应用于微流控制备量子点,提高了后续制备的量子点材料的性能。
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