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公开(公告)号：CN117750868A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410186184.9
申请日：2024-02-20
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: H10N30/853 , H10N30/88 , H10N30/072
Abstract: 本发明公开了一种复合压电衬底及其制备方法。该复合压电衬底包括：层叠设置的支撑基板、辅助键合层和压电材料层；辅助键合层与压电材料层键合连接；压电材料层的材料包括铌酸锂或钽酸锂；支撑基板的材料包括采用化学气相沉积法制备的多晶碳化硅，支撑基板内部的多晶碳化硅晶粒具有预设长度比、预设取向的晶粒占比之差和预设尺寸范围；其中，预设长度比为多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的厚度方向的长度与多晶碳化硅晶粒平行于支撑基板的延伸方向的长度之间的比值。本发明实施例的技术方案可在保证压电器件具有较高Q值的情况下，降低支撑基板的加工难度和成本。
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公开(公告)号：CN117241654A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311508028.1
申请日：2023-11-14
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: H10N30/082 , H10N30/085 , H10N30/086
Abstract: 本发明涉及一种基于机械减薄技术制备复合压电衬底的方法，所述方法包括：首先，将压电材料与半导体材料衬底进行键合，得到含有压电层的键合体；然后，将压电层中远离键合面一侧的边缘圆角通过加工L型倒角去除，控制L型倒角的水平段位于键合面的上方，得到倒角后的键合体；之后，依次进行腐蚀处理、机械减薄处理和抛光处理，得到复合压电衬底。本发明提供的方法通过对压电层加工L型倒角和腐蚀处理能够去除倒角痕迹，避免机械减薄时出现边缘撕裂、崩边等问题，还能使复合压电衬底与抓取结构更加匹配，避免因结构受力不均导致在机械或人工抓取、运输、存储等过程中发生衬底崩边问题，且外形美观，产品良率较高。
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公开(公告)号：CN117156947A
公开(公告)日：2023-12-01
申请号：CN202311423341.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种复合压电衬底的制备方法，所述制备方法包括：首先，将压电材料供体的待键合面进行离子注入，在压电材料供体的待键合面形成损伤层，得到含有损伤层的压电材料供体；然后，将含有损伤层的压电材料供体和半导体材料衬底进行键合，得到键合体；之后，将键合体的支撑层与压电材料陪片进行临时键合，得到第一复合衬底；接着，将第一复合衬底进行热处理，得到第二复合衬底和压电材料供体剩余部分；最后，将第二复合衬底进行解键合，得到复合压电衬底和压电材料陪片。本发明提供的制备方法能够实现压电材料供体完整剥离，减少复合压电衬底的加工步骤，避免现有技术中产生的碎屑污染，提升产品良率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN116900929B
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311181675.6
申请日：2023-09-14
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B1/00 , B24B37/005 , B08B3/12 , H01L21/306 , H01L21/02
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种化学机械抛光的方法。本发明的化学机械抛光的方法采用化学机械抛光装置完成，该化学机械抛光装置包括抛光台、抛光垫、抛光头、氧化组件和抛光液组件，抛光垫设置于抛光台上；抛光头用于吸附晶圆的背面，抛光头能够旋转，并使晶圆压向抛光垫；氧化组件包括混气腔体、臭氧气源件和氢气气源件，臭氧气源件通过第一管路与混气腔体连通，氢气气源件通过第二管路与混气腔体连通，混气腔体的顶部安装有射频电源件，混气腔体的内部安装有紫光灯；抛光液组件用于向抛光垫上喷淋抛光液。该化学机械抛光装置，通过设置氧化组件，有效提高了对晶圆表面的氧化效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117066238A
公开(公告)日：2023-11-17
申请号：CN202311337709.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: B08B9/28 , B08B9/34 , B08B9/44 , F26B21/00 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种晶圆片盒清洗设备及晶圆片盒清洗方法，属于半导体晶圆片盒清洗技术领域。晶圆片盒清洗设备包括腔体、放置架和两个清洗模组，腔体开设有用于与外界连通的窗口；放置架设于腔体内，放置架用于承载若干晶圆片盒；两个清洗模组分别设于放置架的两侧，清洗模组包括驱动机构、喷头和连接组件，连接组件一端连接喷头，另一端连接超纯水供应组件和高纯氮气供应组件，超纯水供应组件用于供应超纯水，高纯氮气供应组件用于供应高纯氮气，使喷头能够择一地喷出超纯水和高纯氮气，驱动机构能够驱动喷头运动以使超纯水和高纯氮气覆盖若干晶圆片盒，解决了结构繁杂、施工难度大和成本高的问题，并且能够有效清洗晶圆片盒。
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公开(公告)号：CN118085731A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202410509104.9
申请日：2024-04-26
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: C09G1/02 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供了一种碳化硅晶圆抛光用的抛光液及其制备方法与抛光方法，所述抛光液包括如下组分：氧化剂、分散剂、第一磨料、第二磨料、pH调节剂和溶剂；所述第一磨料为青蒿素晶体；所述第二磨料包括二氧化铈、二氧化钛或二氧化硅中的任意一种或至少两种的组合。采用第一磨料与第二磨料相结合的方式兼顾了抛光液对SiC晶圆的抛光效率和抛光效果。采用紫外光催化辅助的化学机械抛光，简化了传统抛光工艺粗抛+精抛的抛光模式，缩短了抛光工艺步骤，提高了抛光效率。
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公开(公告)号：CN117433669B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311754875.6
申请日：2023-12-20
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明属于半导体制造技术领域，公开了一种晶圆键合力测试装置及测试方法。该晶圆键合力测试装置包括键合晶圆夹具、压电刀片、刀片推进器和信号收集处理组件，键合晶圆夹具用于固定待测试的键合晶圆片；压电刀片用于插入键合晶圆片的键合界面，压电刀片包括上电极层、压电层和下电极层，压电层设置于上电极层和下电极层之间；刀片推进器用于夹持压电刀片并能以恒定力或恒定速度推动压电刀片插入键合晶圆片的键合界面；信号收集处理组件与压电刀片电性连接，信号收集处理组件用于收集压电刀片的电压信号并将电压信号转化为压力值。本发明提供的测试方法使用上述晶圆键合力测试装置，可以快速准确地测试出键合界面的键合力。
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公开(公告)号：CN117156947B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311423341.5
申请日：2023-10-31
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
Abstract: 本发明涉及一种复合压电衬底的制备方法，所述制备方法包括：首先，将压电材料供体的待键合面进行离子注入，在压电材料供体的待键合面形成损伤层，得到含有损伤层的压电材料供体；然后，将含有损伤层的压电材料供体和半导体材料衬底进行键合，得到键合体；之后，将键合体的支撑层与压电材料陪片进行临时键合，得到第一复合衬底；接着，将第一复合衬底进行热处理，得到第二复合衬底和压电材料供体剩余部分；最后，将第二复合衬底进行解键合，得到复合压电衬底和压电材料陪片。本发明提供的制备方法能够实现压电材料供体完整剥离，减少复合压电衬底的加工步骤，避免现有技术中产生的碎屑污染，提升产品良率，降低生产成本。
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公开(公告)号：CN117066238B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311337709.6
申请日：2023-10-17
Applicant: 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 , 青禾晶元(晋城)半导体材料有限公司
IPC: B08B9/28 , B08B9/34 , B08B9/44 , F26B21/00 , H01L21/673
Abstract: 本发明公开了一种晶圆片盒清洗设备及晶圆片盒清洗方法，属于半导体晶圆片盒清洗技术领域。晶圆片盒清洗设备包括腔体、放置架和两个清洗模组，腔体开设有用于与外界连通的窗口；放置架设于腔体内，放置架用于承载若干晶圆片盒；两个清洗模组分别设于放置架的两侧，清洗模组包括驱动机构、喷头和连接组件，连接组件一端连接喷头，另一端连接超纯水供应组件和高纯氮气供应组件，超纯水供应组件用于供应超纯水，高纯氮气供应组件用于供应高纯氮气，使喷头能够择一地喷出超纯水和高纯氮气，驱动机构能够驱动喷头运动以使超纯水和高纯氮气覆盖若干晶圆片盒，解决了结构繁杂、施工难度大和成本高的问题，并且能够有效清洗晶圆片
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