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公开(公告)号：CN104277852A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410097333.0
申请日：2014-03-17
Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/127 , H01L33/0083 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L51/502
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包含具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、与所述第一端部或所述第二端部中的一个端部接触的第一端盖、以及与所述第一端盖接触的第二端盖；其中所述第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维纳米颗粒延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中所述第二端盖包含第二半导体，并且所述第二端盖从所述第一端盖延伸，形成了第二纳米晶体异质结；其中所述第一半导体不同于所述第二半导体。
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公开(公告)号：CN104277852B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201410097333.0
申请日：2014-03-17
Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/127 , H01L33/0083 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L51/502
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包含具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、与所述第一端部或所述第二端部中的一个端部接触的第一端盖、以及与所述第一端盖接触的第二端盖；其中所述第一端盖包含第一半导体，并且所述第一端盖从所述一维纳米颗粒延伸，形成了第一纳米晶体异质结；其中所述第二端盖包含第二半导体，并且所述第二端盖从所述第一端盖延伸，形成了第二纳米晶体异质结；其中所述第一半导体不同于所述第二半导体。
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公开(公告)号：CN104046359B
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201410098085.1
申请日：2014-03-17
Applicant: 伊利诺斯大学科技管理办公室 , 罗门哈斯电子材料有限公司 , 陶氏环球技术有限公司
CPC classification number: H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/127 , H01L29/22 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L33/0083 , H01L33/28 , H01L51/50 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/95
Abstract: 本发明公开了一种半导体纳米颗粒，其包括具有第一端部和第二端部的一维半导体纳米颗粒、包含第一半导体的第一结点、以及包含第二半导体的第二结点；其中，所述第二端部与所述第一端部相反；其中所述第一结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第一异质结；其中所述第二结点与所述一维半导体纳米颗粒的径向表面相接触，在接触的位点处形成第二异质结；其中所述第一异质结组成上不同于所述第二异质结。
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