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公开(公告)号：CN110610986A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910954779.3
申请日：2019-10-09
Applicant: 重庆邮电大学
IPC: H01L29/06 , H01L29/739
Abstract: 本发明涉及一种利用结终端集成横向续流二极管的RC-IGBT器件，属于半导体技术领域。该器件包括栅极接触区1、发射极接触区2、金属场板3、N型集电极接触区4、P型集电极接触区4’、发射极5、元胞区P型阱6、过渡区P型阱7、第一场限环8、第二场限环9、第三场限环10、N型集电极11、N型缓冲层12、P型集电极13、N型漂移区14、栅氧化层15、场氧化层16。本发明在保证较低关断损耗、反向导通性能及较高的阻断电压的前提下，能够消除在传统器件导通时存在的负阻效应，提高器件的工作稳定性和电流导通能力，同时还能降低制造成本。
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