基于磁介电效应探测磁场方法、试验装置及其工作方法

    公开(公告)号:CN112327225B

    公开(公告)日:2024-08-09

    申请号:CN202011223082.8

    申请日:2020-11-05

    Abstract: 本发明提出了一种基于磁介电效应探测磁场方法、试验装置及其工作方法,包括磁电复合探测结构,磁电复合探测结构由尖晶石铁氧体和压电陶瓷层叠复合而成,待测交变磁场被铁氧体材料捕获后产生与激励同频的机械应变,后经层间耦合传递至压电陶瓷材料,最后以电容信号的方式输出,实现交流磁场的探测,利用阻抗分析仪对磁电复合探测结构扫描电容谱完成磁传感器件灵敏度以及分辨率等典型传感参数的测量。本发明与传统电磁传感器感应探测方式相比,摆脱了外加偏置磁场的限制同时提高了探测灵敏度,且不易受到外界工频信号的干扰,信噪比更强,整体装置更加紧凑。

    基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用

    公开(公告)号:CN115855878A

    公开(公告)日:2023-03-28

    申请号:CN202211669540.X

    申请日:2022-12-24

    Abstract: 本发明属于精密测量领域,涉及一种基于面内光子自旋霍尔效应的偏振态调制型纳米级薄膜折射率测量方法及其应用。通过建立不同厚度的薄膜材料在各折射率下,面内光子自旋分裂位移随入射偏振态变化的数据库;将待检测的纳米级薄膜放到样品台上,在某入射角下,依次采集不同入射偏振态时面内光子自旋分裂位移的测量数据。将该测量数据与数据库中的相应理论数据进行比对,进而确定被测纳米级薄膜的折射率。本发明的检测系统结构简单、易于操作,且测量时调制的是入射偏振态而非入射角,因此,测量过程中不会引入因入射角变动而引起的偏心误差。此外,该方法测量的是光斑质心的偏移,其不受环境光的影响,因而该方法具有测量精度高和稳定性好等优点。

    基于纳米金的分裂型适体传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN112630439A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202011437992.6

    申请日:2020-12-11

    Abstract: 本发明属于传感器领域,涉及分裂型适体传感器,特别是指基于纳米金的分裂型适体传感器及其制备方法和应用。本申请基于能量转移原理,利用纳米金淬灭FAM荧光基团;结合分裂型核酸适体识别机制,构建了一种基于纳米金的高灵敏分裂型适体传感器。对传感器制备条件进行实验优化,如AuNPs与P2的结合过程中的柠檬酸钠用量、AuNPs与P2的比例、工作溶液的稳定时间等。利用优化后的工作溶液检测ATP,结果表明该传感器检测范围为30pmol/L到15 nmol/L,高灵敏线性检测范围为30pmol/L到3330pmol/L,检出限为30pmol/L,且具有良好的特异性,是一种极具应用潜力的分裂型适体传感器。

    一种分布式低频磁电机械天线收发系统及设计方法

    公开(公告)号:CN119652342A

    公开(公告)日:2025-03-18

    申请号:CN202411810779.3

    申请日:2024-12-10

    Abstract: 本发明属于长波通信天线系统技术领域,公开了一种分布式低频磁电机械天线收发系统,包括信号放大器、功率放大器、1:N型磁电功率分配器和按分布式节点布置的N路通信通道;所述1:N型磁电功率分配器由磁电复合材料及密绕在磁电复合材料外部的线圈构成,所述线圈的两个线端引出作为功率输入端口,所述磁电复合材料是由一层压电层和粘结在压电层两侧的两层磁致伸缩层构成的对称结构,所述压电层沿长度方向切割成N份并引出N个独立的功率输出端口;所述N个通信通道由N个磁电机械天线和对应放置的N个线圈组成,每个1:N型磁电功率分配器的功率输出端口与每个磁电机械天线中压电层引线连接以提供辐射激励源。

    一种利用环形磁电传感器探测平行涡旋交直流双模态磁场的方法

    公开(公告)号:CN113156346B

    公开(公告)日:2024-10-29

    申请号:CN202110347430.0

    申请日:2021-03-31

    Abstract: 本发明属于磁场探测技术领域,公开了一种利用环形磁电传感器探测平行/涡旋交直流双模态磁场的方法,所述环形磁电传感器包括密封在非磁性外壳内的环形磁电复合元件以及均匀密绕在所述非磁性外壳外围的铜质线圈;所述环形磁电复合元件包括两层磁致伸缩元件和一层压电陶瓷元件,所述磁致伸缩元件位于所述压电陶瓷元件的上下两侧形成对称型同心圆环结构,所述磁致伸缩元件的材料为Ni0.2Zn0.8Fe2O4,所述压电陶瓷元件的材料为PZT‑8;所述方法包括以下步骤:将环形磁电传感器置于亥姆霍兹线圈中央,调节平行磁场大小,实现平行直流/交流双模态磁场的探测;将环形磁电传感器穿过通电导线,调节涡流磁场大小,实现涡流直流/交流双模态磁场的探测。

    一种用于双参数检测的荧光传感器的构建方法及应用

    公开(公告)号:CN116819064A

    公开(公告)日:2023-09-29

    申请号:CN202310701544.X

    申请日:2023-06-13

    Abstract: 本发明属于传感器领域,涉及双参数检测模式的探索,特别是指一种用于双参数检测的荧光传感器的构建方法及应用。本申请的用于双参数同时检测的荧光传感检测方法。在优化条件下,分别以(PTEN、AD、HBV、P53‑2)为目标1,以5种不同碱基长度的DNA序列(BRCA2、DNA19、K‑ras、P53、DNA36)为目标2,结果表明在更换不同目标1与目标2后,传感器能均能实现准确测量,证明此方法具有实验设计简单、操作方便且普适性强,单次激发即可实现双目标的同时检测,同时此传感器也可以应用于生物的多参数检测核酸序列以外的相关分子,为双参数传感器实际应用提供了理论基础。

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