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公开(公告)号：CN109665834B
公开(公告)日：2021-08-03
申请号：CN201910156692.1
申请日：2019-03-01
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/457 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种相组成可控的氧化铟镓锌靶材及其制备方法。制备方法包括：氧化铟粉末、氧化镓粉末、氧化锌粉末按照设定的摩尔比例混合，得到混合粉末；混合粉末与设定量的分散剂、粘结剂、球磨介质混合，利用球磨装置，控制球磨参数，进行球磨混合，得到混合物料；混合物料在造粒机上进行喷雾造粒；喷雾造粒得到的产物模压成型，得到靶材素坯；靶材素坯进行烧结，得到相组成可控的IGZO靶材。通过对制备过程中工艺参数的有效控制，根据原料摩尔比获得了物相单一且物相可控的高品质IGZO靶材，靶材中不含有其它杂相成分，晶粒间及内部不存在二次相组织，晶粒间结合致密，靶材致密度高，具有较高的产业利用价值。
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公开(公告)号：CN109468604A
公开(公告)日：2019-03-15
申请号：CN201910026546.7
申请日：2019-01-11
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明公开了一种高透射率IGZO薄膜的制备方法，该方法包括：基片处理步骤、预溅射步骤和镀膜步骤。本方法有效地提高了IGZO薄膜的透射率，无需对衬底进行加热或对IGZO透明导电薄膜进行后期热处理，避免了高温热处理过程对沉积IGZO透明导电薄膜的不耐高温的衬底的不利影响，制得的薄膜颗粒尺寸适宜、薄膜连续且均匀，薄膜表面平整、光滑，无孔洞等表面缺陷。降低了生产成本，简化了生产工艺，扩大了IGZO透明导电薄膜的推广领域和范围，具有巨大的工业价值。
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公开(公告)号：CN108409340A
公开(公告)日：2018-08-17
申请号：CN201810466234.3
申请日：2018-05-16
Applicant: 郑州大学
IPC: C04B35/64 , C04B35/453 , C04B35/10
Abstract: 本发明公开了一种管状靶材的内旋转高温烧结方法，包括管状靶材素坯成型、加热烧结管状靶材素坯，加热过程中使管状靶材素坯处于旋转状态，以及，降温直至室温、得到烧结好的管状靶材。本发明实施例公开的管状靶材的内旋转高温烧结方法，能够制备出收缩均匀、无开裂、无烧结变形的管状靶材，制备方法简单，易于工业化应用。
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公开(公告)号：CN108190943A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201810281107.6
申请日：2018-04-02
Applicant: 郑州大学
Abstract: 本发明提供一种金属锡氧化合成纳米二氧化锡的方法，该方法具体包括：将金属锡与硝酸溶液反应，得到含有锡酸的浆料；将含有锡酸的浆料进行水热处理；然后将所得浆料进行洗涤；最后将所得浆料烘干、煅烧，得到纳米二氧化锡。本方法工艺过程简单，安全可靠，使用原料少，带入的杂离子少，所得产物纯度高、分散性好、结晶度高。
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公开(公告)号：CN119430867A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411700165.X
申请日：2024-11-26
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , C04B35/638
Abstract: 本发明公开了高功函数金属氧化物靶材及其制备方法。该制备方法包括：将高功函数金属氧化物粉体、氧化铟粉体、氧化锌粉体按设定质量比混合为混合粉体；将混合粉体设置在去离子水中，并加入分散剂，调制成浆料；将浆料进行高能砂磨，且在砂磨结束前加入粘结剂；将浆料喷雾造粒，得到球形造粒粉；将球形造粒粉模压成型、冷等静压，得到靶材素坯；将靶材素坯进行脱脂烧结一体化处理，得到高功函数金属氧化物靶材。本发明实施例公开的高功函数金属氧化物靶材，晶粒尺寸小，分布均匀，靶材密度高，电学性能优良，可用于制备柔性OLED阳极层薄膜材料，简化器件结构，降本增效。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119219053A
公开(公告)日：2024-12-31
申请号：CN202411329695.8
申请日：2024-09-24
Abstract: 本发明实施例公开了优分散性纳米氧化铟镓锌粉体的制备方法，包括：将氨水与碳酸氢铵溶液组成的沉淀剂滴加至反应物混合溶液中，搅拌反应物混合溶液进行第一次沉淀反应，温度为40～60℃，搅拌速度为300～500rpm/min，当pH值达到3.2～4.8时，停止滴加沉淀剂；温度为60～80℃、搅拌速度为500～700rpm/min下继续滴加沉淀剂进行第二次沉淀反应，至混合溶液pH值达到5.4～6.5；温度控制在60～80℃、搅拌速度控制在700～1000rpm/min下继续滴加沉淀剂进行第三次沉淀反应，当pH值达到7.8～8.3时，停止滴加沉淀剂；保持溶液的pH值在7.8～8.3进行第四次沉淀反应，持续搅拌2～4h直至无气泡产生；混合溶液进行老化处理，得到白色沉淀物；白色沉淀物进行烘干处理，得到前驱体粉体；前驱体粉体进行高温煅烧处理，得到优分散性的纳米氧化铟镓锌粉体。
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公开(公告)号：CN119083382A
公开(公告)日：2024-12-06
申请号：CN202411207624.0
申请日：2024-08-30
Applicant: 河南省生态环境技术中心 , 郑州大学
IPC: E02B7/00 , E02B8/00 , C02F1/28 , C02F1/00 , C02F1/52 , C02F1/56 , C02F101/20 , C02F101/30 , C02F103/00
Abstract: 本发明公开了一种水体突发污染应急处理装置，涉及水体污染防治技术领域。包括可拆卸拦截坝，可拆卸拦截坝设置在河道内，可拆卸拦截坝朝向河流上游的一侧设置有污染物吸附层，可拆卸拦截坝上设置有凹槽，凹槽的一端与朝向河流上游一侧连通，凹槽的另一端与朝向河流下游一侧连通，凹槽内设置有活性炭，可拆卸拦截坝朝向河岸的两端对称设置有铁链，铁链远离可拆卸拦截坝的一端固定在河岸上。本发明可快速处理河道中的突发污染性事件，可在突发事件现场快速部署，可在原位去除污染物，适应各种河道条件，便于拆卸和移动，可重复利用，净化效果好，处理效率高。
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公开(公告)号：CN116986625B
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202310528473.8
申请日：2023-05-11
Applicant: 郑州大学
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明提出了一种原位沉淀自分散氧化铟粉体的制备方法，属于氧化物粉体制备的技术领域，用以解决化学沉淀法制备In2O3粉体时易产生团聚的技术问题。其制备方法为在搅拌状态下向铟盐溶液中滴加沉淀剂进行沉淀反应，反应结束后取出沉淀完成的前驱体浆料对其静置老化，老化后进行洗涤、煅烧处理，获得原位沉淀自分散粉体；所述沉淀剂包括碳酸氢铵和氨水。本发明采用碳酸氢铵加氨水混合溶液作为沉淀剂，而并非传统的单一氨水沉淀剂。不需要其它外加辅助设备，利用了碳酸氢铵高温易分解的特性，有效降低化学沉淀法生产In2O3粉体中存在的团聚问题，并且由于是原位冲散形核质点使其均匀化，粉体的粒径及分散均匀性也得到提升。
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公开(公告)号：CN118359429A
公开(公告)日：2024-07-19
申请号：CN202410293407.1
申请日：2024-03-14
IPC: C04B35/457 , C04B35/622 , C04B35/64 , C04B38/00 , C23C14/08 , C23C14/32
Abstract: 本发明属于无机材料制备技术领域，具体涉及低密度氧化镓掺杂氧化锡反应等离子体沉积靶材的制备方法。该方法先将SnO2、Ga2O3、分散剂和去离子水混合并进行一次球磨混合，然后烘干、粉碎、过筛并在1000～1500℃下进行1～10h煅烧，接着将得到的煅烧粉体、分散剂和去离子水混合球磨，然后加入粘结剂球磨得到浆料，接下来将浆料干燥、造粒，并进行二次压制，最后进行无压氧气氛阶段烧结，得氧化锡镓RPD靶材。本发明成功制备了RPD镀膜所需氧化锡镓靶材，其密度及组织可控。
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公开(公告)号：CN118270829A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202410409361.5
申请日：2024-04-07
IPC: C01G15/00
Abstract: 本发明属于半导体粉体制备技术领域，公开了一种棒状氧化镓及其制备方法，用以提出一种棒状纳米氧化镓的制备方法。本发明以尿素作为沉淀剂，通过将其加入到镓盐溶液中，经沉淀反应、室温老化后得到沉淀物，后经洗涤、离心、干燥、研磨和筛分后得到前驱体羟基氧化镓；然后经梯度升温、降温处理后得到棒状氧化镓。通过调控氧化镓的合成过程，使用一种节能、高效、不需高温高压、低成本的制备方法，获得棒状氧化镓材料，为工业生产氧化镓半导体器件提供一种棒状氧化镓粉末材料。
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