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公开(公告)号：CN102222761A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110090543.3
申请日：2011-04-12
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)和硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)溶解在乙二醇甲醚中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙二醇-20000(polyethylene glycol，PEG-20000)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锆氧(La2Zr2O7)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得高品质的La2Zr2O7薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
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公开(公告)号：CN101847482A
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：CN201010200268.1
申请日：2010-06-13
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种具有丰富磁性质的磁性材料，其分子式为SmCo1-xFexAsO，0＜x＜0.3，具有ZrCuSiAs型晶体结构。该磁性材料具有丰富的磁性质，0＜x＜0.2时，随着温度的降低，先后发生了铁磁和反铁磁转变，随掺Fe量的增加，铁磁转变温度增加，而反铁磁转变温度下降，而且在反铁磁转变温度以下，在磁化强度随磁场的变化曲线中，发生了变磁性转变；0.2≤x＜0.3时，反铁磁性被完全抑制，成为一种铁磁性材料，而且铁磁转变温度接近室温，有利于实际应用。该材料性能稳定，制备简单。
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公开(公告)号：CN103755382A
公开(公告)日：2014-04-30
申请号：CN201410016180.2
申请日：2014-01-14
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B41/50
Abstract: 一种制备高温超导涂层导体RESbO3缓冲层及其制备方法，属于高温超导材料制备技术领域。所述高温超导涂层导体缓冲层，是由RE2O3和Sb2O3外延成相热处理生成的RESbO3氧化物固溶体，RE为Y（钇）、Sm（钐）、Dy（镝）或Ho（钬）中的一种。它能在900℃以上氢氩还原气体的环境中外延生成，并且结构致密，表面平整，能在随后的涂层导体超导层的制备过程中保持结构的稳定。所述高温超导涂层导体缓冲层的制备方法采用以乙酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在氢氩还原气氛中进行制备，具备操作简单，成本低廉，适合大规模沉积等优点。主要用于制备高温超导涂层导体的RESbO3缓冲层。
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公开(公告)号：CN102745983B
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201210150303.2
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后，使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Eu1-xCaxBiO3，其中0.1≤x≤0.4。此外，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明Eu1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，成本低廉，适合大规模沉积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102509763B
公开(公告)日：2013-10-30
申请号：CN201110341294.0
申请日：2011-11-02
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La0.7Sr0.3MnO3缓冲层薄膜的方法，属于高温超导材料制备技术领域。该方法制备的薄膜平整致密，织构良好，可以充分发挥La0.7Sr0.3MnO3作为导电型缓冲层薄膜具有的隔离、外延、电流传输的三重功效。本发明包括以下步骤：分析纯氧化镧(La2O3)按阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例，溶解于乙酸中(乙酸与阳离子摩尔比为10∶1)。待完全溶解后，将溶液置于红外干燥箱中，待溶液被烘干成白色固体后取出。将乙酸锶和乙酸锰按照上述阳离子比La∶Sr∶Mn＝0.7∶0.3∶1的比例与制得的白色固体(即乙酸镧)混和溶解在丙酸中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锶锰氧La0.7Sr0.3MnO3高温超导涂层导体缓冲层。该方法成本不高，制作工艺简单，操作控制容易，不污染环境。
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公开(公告)号：CN102222761B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110090543.3
申请日：2011-04-12
Applicant: 西南交通大学
IPC: H01L39/24
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体La2Zr2O7缓冲层薄膜的方法，包括以下步骤：将硝酸镧(La(NO3)3·6H2O)和硝酸锆(Zr(NO3)4·5H2O)溶解在乙二醇甲醚中，形成无水溶液；向无水溶液中加入聚乙二醇-20000(polyethylene glycol，PEG-20000)，制成成膜性好的胶体；再将胶体涂覆在基片上，干燥后，放入烧结炉中烧结成相，即得镧锆氧(La2Zr2O7)高温超导涂层导体缓冲层。该方法的制作成本低，易制得高品质的La2Zr2O7薄膜，能有效地发挥涂层导体缓冲层的作用。
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公开(公告)号：CN102122549B
公开(公告)日：2012-11-07
申请号：CN201110020772.8
申请日：2011-01-18
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明提供了一种葡萄糖在制备掺杂二硼化镁超导材料中的用途，涉及高温超导材料制备技术领域。其作法是：按摩尔比1∶2-2.1分别称量镁粉和硼粉；再按镁粉和硼粉的总质量与葡萄糖的质量比1∶0.03-0.1称量葡萄糖，将镁粉、硼粉和葡萄糖的粉末均匀混合成混合粉末，然后在氩气气氛保护下进行烧结，烧结的温度为800℃-900℃、保温时间0.5-2个小时，即得一种以葡萄糖为碳源的掺杂二硼化镁的超导材料。利用该法制备的二硼化镁超导材料，临界电流密度显著提高，尤其是在高磁场下临界电流密很高，有利于其在高磁场下的应用，实用性强。
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公开(公告)号：CN102723141A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210181622.X
申请日：2012-06-05
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层，其特征在于，为对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xCaxBiO3固溶体，其中0.1≤x≤0.4。本发明所述高温超导涂层导体的Gd1-xCaxBiO3缓冲层，它是对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代后，将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整，并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明所述的Gd1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，操作控制容易，适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号：CN102701729A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210149578.4
申请日：2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Sm1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。一，提供了一种高温超导涂层导体的缓冲层，它是对高温超导涂层导体SmBiO3缓冲层进行Sm的Ca的替代后，将使SmBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调，从而调整SmBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况，得到的一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Sm1-xCaxBiO3，其中0.1≤x≤0.4。此外，该缓冲层能在800℃左右空气中外延生长，其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。二，公开了Sm1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法，该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备，具有成本低廉，适合大规模沉积等优点。
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