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公开(公告)号:CN105633393A
公开(公告)日:2016-06-01
申请号:CN201610027691.3
申请日:2016-01-15
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明公开了一种钛酸锂-二氧化钛复合材料制备方法,属于锂电池负极材料的制备技术领域。它能有效地解决多维多孔微纳材料的成形问题。a、将蝴蝶翅膀在乙醇溶液中清洗,干燥箱中干燥;b、将乙酸锂和钛酸四丁酯按锂和钛离子质量比4~4.5︰5比例称量,溶解于有机溶剂中,加入水解抑制剂搅拌超声得到均匀的钛酸锂前驱体溶液;c、将步骤a中清洗过的蝴蝶翅膀平铺在载玻片上,将步骤b配置的前驱体溶液用滴管均匀滴到蝴蝶翅膀表面,然后放置在干燥箱中干燥;d、将步骤c中干燥的蝴蝶翅膀放置在石英舟中,在有氧气氛下于800℃烧结1小时,即得到具有蝴蝶翅膀微观结构的钛酸锂-二氧化钛复合纳米材料。主要用于锂电池负极材料。
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公开(公告)号:CN104129985B
公开(公告)日:2016-04-06
申请号:CN201410322592.9
申请日:2014-07-08
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种表面具有纳米颗粒析出相的高温超导涂层导体Eu0.6Sr0.4BiO3缓冲层及其制备方法。采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备。目标物高温超导涂层导体缓冲层材料其名义组分为Eu0.6Sr0.4BiO3,其表面具有均匀弥撒分布的纳米析出相SrO2,析出相尺寸在100nm左右。本发明通过过饱和掺杂在缓冲层表面直接获得析出相颗粒,纳米析出相SrO2赋予了为其上超导层提供钉扎中心的可能。方法具有成本低廉,适合大规模沉积等优点,为其上超导层提供钉扎中心的性能得到验证。
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公开(公告)号:CN102854478B
公开(公告)日:2015-05-20
申请号:CN201210319057.9
申请日:2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
Abstract: 本发明提供一种单块高温超导块材磁悬浮特性测试装置,其特征在于:包括有由顶板、底座以及固定杆构成一个固定支架,固定支架为竖直放置或平躺放置,便于对单块高温超导块材悬浮和导向力的测试,在顶板中间有一通孔,移动杆穿过该孔,通过伺服电机驱动移动杆上下移动,移动的位移由位移传感器测得,液氮低温容器固定连接在底座上,在液氮低温容器的下部连接用于测试悬浮系统的悬浮、导向力的力传感器,永磁体与位移传感器设置在一起。本发明与现有技术相比,可以在同一台装置上实现对系统静态悬浮和导向力,以及在外部磁扰动下的动态悬浮和导向力进行测试,该装置结构测试内容多样、结构相对简单,体积小,操作方便,避免了现有某些技术中的测试内容单一、结构复杂、操作繁琐以及成本高的缺陷。
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公开(公告)号:CN102723141B
公开(公告)日:2014-10-15
申请号:CN201210181622.X
申请日:2012-06-05
Applicant: 西南交通大学
CPC classification number: Y02E40/64
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体Gd1-xCaxBiO3缓冲层,其特征在于,为对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代进而外延成相热处理生成氧化物Gd1-xCaxBiO3固溶体,其中0.1≤x≤0.4。本发明所述高温超导涂层导体的Gd1-xCaxBiO3缓冲层,它是对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Ca的替代后,将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况,该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长,其结构致密并且表面平整,并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明所述的Gd1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法,该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,具有成本低廉,操作控制容易,适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号:CN102863216A
公开(公告)日:2013-01-09
申请号:CN201210318961.8
申请日:2012-09-03
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种化学溶液动态制备RexCe1-xOy缓冲层长带的方法,其具体作法是:a、湿膜的制备:按稀土与铈的离子比配制硝酸盐混合物,并将其溶解在高分子有机溶剂中合成胶体。将胶体装入储液筒内,将基带安置在牵引带上,由步进电机带动前进,胶体由上置步进电机带动下压通过狭缝涂覆口涂覆于基带上,形成湿膜;b、干膜的制备:将涂覆好的湿膜通过恒温红外干燥区域,形成干膜;c、分解成相:将干膜通过长带气氛多区控温炉,在各温区H2/Ar还原气氛充足的保护下,通过350oC-520oC分解区,然后通过1000oC-1200oC结晶区,最后通过降温区,随炉冷却,即可制得涂层导体RexCe1-xOy缓冲层长带。该方法制备工艺与物理法相比简单易行、成本低、不污染环境,可获得任意长度临界厚度达到150-200nm的RexCe1-xOy缓冲层长带。
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公开(公告)号:CN102745983A
公开(公告)日:2012-10-24
申请号:CN201210150303.2
申请日:2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种高温超导涂层导体的Eu1-xCaxBiO3缓冲层及其制备的方法。对高温超导涂层导体EuBiO3缓冲层进行Eu的Ca的替代后,使EuBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整EuBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况,得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Eu1-xCaxBiO3,其中0.1≤x≤0.4。此外,该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长,其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。本发明Eu1-xCaxBiO3缓冲层的制备方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,成本低廉,适合大规模沉积。
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公开(公告)号:CN102701728A
公开(公告)日:2012-10-03
申请号:CN201210149549.8
申请日:2012-05-15
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/453 , C04B35/622
Abstract: 本发明公开了一种制备高温超导涂层导体的Gd1-xPbxBiO3缓冲层及其制备的方法,对高温超导涂层导体GdBiO3缓冲层进行Gd的Pb的替代后,将使GdBiO3缓冲层元素环境和晶格参数产生微调,从而调整GdBiO3缓冲层与REBCO超导层的晶格失配情况,得到一系列新的高温超导涂层导体的缓冲层Gd1-xPbxBiO3,其中0.1≤x≤0.2。此外,该缓冲层能在810℃左右空气中外延生长,其结构致密并且表面平整。并在随后的高温超导涂层导体的超导层的制备过程中保持结构的稳定。公开了Gd1-xPbxBiO3缓冲层的制备方法,该方法采用以硝酸盐作为前驱物的化学溶液沉积法在空气中进行制备,成本低廉,适合大规模沉积等优点。
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公开(公告)号:CN102557600A
公开(公告)日:2012-07-11
申请号:CN201110383359.8
申请日:2011-11-28
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/26 , C04B35/622
Abstract: 一种制备钇钡铁氧陶瓷材料的方法,其做法是:按制备钇钡铁氧YBa2Fe3O8的摩尔比Y∶Ba∶Fe=1∶2∶3称取原料Y(NO3)3·6H2O,Ba(OH)2·8H2O和Fe(NO3)3·9H2O;将原料研磨,并均匀混合得混合原料;称取摩尔比为1∶1的硝酸钾和硝酸钠的混合物作熔盐;熔盐与原料中的Y(NO3)3·6H2O的摩尔比为10~30∶1;将混合原料和熔盐均匀混合,盛入刚玉坩埚,放入箱式电炉中;先加热至150~300℃,保温3~5小时;再加热至600~850℃,保温15~30小时,混合原料在熔盐中反应生成粉体,冷却至室温;用蒸馏水和酒精冲洗反应器中的粉体,洗净后干燥即得。该方法制备的钇钡铁氧陶瓷材料,其化学组分易于控制、成分稳定、颗粒度均匀可控,且制备工艺简单。
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公开(公告)号:CN102442822A
公开(公告)日:2012-05-09
申请号:CN201110269273.2
申请日:2011-09-13
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种制备高临界电流密度钆钡铜氧超导薄膜的方法,其具体作法是:a、无氟前驱溶液制备:将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸锌,按钆∶钡∶铜∶锌的化学计量比1∶2∶3-X∶X,0.0002≤X≤0.006的比例溶解于丙酸中,得前驱溶液;b、在a步的前驱溶液中,加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG),得到无氟涂层胶体;c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜;d、将c步的制得的带薄膜基片进行分解热处理后再进行成相热处理,即得。该方法制得的锌掺杂的GdBCO超导薄膜具有双轴织构,表面平整,在磁场下的临界电流密度高。且其成本低廉、工艺简单,适合于大规模工业化生产。
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公开(公告)号:CN102424575A
公开(公告)日:2012-04-25
申请号:CN201110269278.5
申请日:2011-09-13
Applicant: 西南交通大学
IPC: C04B35/45 , C04B35/622
Abstract: 一种钴掺杂钆钡铜氧超导薄膜的制备方法,其具体作法是:a、无氟前驱溶液制备:将乙酸钆、乙酸钡、乙酸铜及乙酸钴,按钆∶钡∶铜∶钴的化学计量比1∶2∶3-X∶X,0.0003≤X≤0.008的比例溶解于丙酸中,得前驱溶液;b、在a步的前驱溶液中,加入高分子材料聚乙烯醇缩丁醛(PVB),得到无氟涂层胶体;c、涂敷及干燥在基片上形成薄膜;d、将c步的制得的带薄膜基片进行分解热处理后再进行成相热处理,即得。该方法成本低廉、工艺简单,对环境无污染,适合于大规模工业化生产;该方法制得的Co掺杂的GdBCO超导薄膜具有高度双轴织构,表面平整、致密,在磁场下的临界电流密度高。
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