公开(公告)号：CN108428700B

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN201810212502.9

申请日：2018-03-15

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 郭涛 ,  郑平平 ,  孙柏 ,  余洲 ,  刘连 ,  赵勇

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明公开了一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底：将基片清洗、吹干后放入磁控溅射室中，备用；S2：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装Cu2ZnSnSe4化合物靶材，预溅射以除去Cu2ZnSnSe4化合物靶材表面的污染物；S3：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：经步骤S2处理后，保持溅射条件在基片进行溅射沉积，溅射时间为20min，获得Cu2ZnSnSe4薄膜。S4：制备上电极：在沉积好的Cu2ZnSnSe4薄膜表面沉积上电极，获得所需器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。

公开(公告)号：CN108428700A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201810212502.9

申请日：2018-03-15

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 郭涛 ,  郑平平 ,  孙柏 ,  余洲 ,  刘连 ,  赵勇

IPC: H01L27/108

Abstract: 本发明公开了一种室温下忆阻及负微分效应稳定共存器件的制备方法，包括以下步骤：S1：清洗衬底：将基片清洗、吹干后放入磁控溅射室中，备用；S2：预溅射：在磁控溅射靶枪上安装Cu2ZnSnSe4化合物靶材，预溅射以除去Cu2ZnSnSe4化合物靶材表面的污染物；S3：溅射沉积Cu2ZnSnSe4薄膜：经步骤S2处理后，保持溅射条件在基片进行溅射沉积，溅射时间为20min，获得Cu2ZnSnSe4薄膜。S4：制备上电极：在沉积好的Cu2ZnSnSe4薄膜表面沉积上电极，获得所需器件。该制备方法操作简单、薄膜厚度均匀可控、重复性好、沉积速度快、制备成本低、效率高，适合工业化大规模生产，值得在业内推广。

公开(公告)号：CN106229074B

公开(公告)日：2018-01-23

申请号：CN201610716190.6

申请日：2016-08-24

Applicant: 西南交通大学

Inventor： 王文涛 ,  赵勇 ,  刘连 ,  王明江 ,  霍堡垒

IPC: H01B12/00 ,  H01B13/00 ,  H01R4/68 ,  H01R43/02

CPC classification number: Y02E40/64

Abstract: 一种稀土钡铜氧高温超导带材的接头连接方法，其做法主要是：A、剥离保护层：带材的连接端部浸入腐蚀液中去除表面的铜和银保护层；B、熔融扩散：将A步的带材连接端部搭接并夹紧，然后将其置于热压炉中的压力装置的正下方；再抽真空，相对真空度为‑400Pa到‑10Pa；随后对连接端部进行加压；同时升温至800‑1000℃，保温1‑10min，使接头表面局部熔融；C、织构融合：将炉温降至700‑800℃，保温1‑10h；D、超导电性再生：去掉夹具，然后采用激光熔融技术在端部形成渗氧通孔，再置于高压热处理设备，充入氧气，升温至300‑600℃，保温100‑400h。该法形成的接头在液氮温度下具有超导特性，避免了超导带材接头处的热损耗，扩大了稀土钡铜氧高温超导带材的应用范围，尤其适用于超导储能的应用。

公开(公告)号：CN102412341B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201110348538.8

申请日：2011-11-07

Applicant: 西南交通大学 ,  成都欣源光伏科技有限公司

Inventor： 余洲 ,  晏传鹏 ,  刘连 ,  张勇 ,  李珂 ,  赵勇 ,  刘斌

IPC: H01L31/18 ,  C23C14/35

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种含Cu量分层变化的铜铟镓硒薄膜的磁控溅射制备方法，其做法是：将CuIn0.7Ga0.3Se2靶材，交替进行低功率密度溅射和高功率密度溅射，交替次数至少为一次；每次交替中均先进行低功率密度溅射形成一层含Cu量高的沉积层，后进行高功率密度溅射形成含Cu量低的沉积层；最后在真空中热处理形成含Cu量分层变化的CIGS光吸收层薄膜。该法可以方便的制备出所需要的Cu含量分层变化的铜铟镓硒薄膜，制备时只需一个靶材，制备方法简单，对设备要求低，工艺稳定；且制备的薄膜各层的成分均匀性好，薄膜质量高。