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公开(公告)号:CN107425143A
公开(公告)日:2017-12-01
申请号:CN201710461353.5
申请日:2017-06-16
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/56
CPC classification number: H01L51/56 , H01L51/0024
Abstract: 本发明涉及一种层压法制备电致发光器件的方法:在第一基底和第二基底表面分别涂覆电极材料,形成阳极和阴极;制备器件顶部分:在阳极相对第一基底的表面形成第一复合层,第一复合层包括空穴传输材料和粘合剂;制备器件底部分:在阴极相对第二基底的表面形成电子传输层,电子传输层上形成发光层,发光层上形成第二复合层,第二复合层包括空穴传输材料和粘合剂;将器件顶部分和器件底部分压合,固化处理后,得到电致发光器件。本发明利用双面覆涂粘合剂的层压方法制备器件,解决了全溶液制备器件中电极接触差的问题,兼容大面积卷对卷制造工艺,器件性能突出且成本低廉。
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公开(公告)号:CN107068865A
公开(公告)日:2017-08-18
申请号:CN201611142357.9
申请日:2016-12-12
Applicant: 苏州大学
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521 , H01L51/4213 , H01L51/447
Abstract: 本发明涉及一种具有纳米陷光结构的钙钛矿太阳能电池及其制备方法,所述钙钛矿太阳能电池包括依次层叠的衬底、透明电极、第一传输层、钙钛矿光吸收层、第二传输层、缓冲层以及金属电极。其中,所述第二传输层设有纳米陷光结构,该发明可在紫外到红外的宽光谱范围内有效增加光吸收,从而显著提高钙钛矿太阳能电池的光电转换效率,且制备工艺简单,成本低廉,适合规模化生产。
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公开(公告)号:CN102760835B
公开(公告)日:2015-08-19
申请号:CN201110107437.1
申请日:2011-04-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例公开了一种有机光伏器件的制作方法,该方法包括:采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜;通过旋涂工艺将聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋涂于CdS薄膜上,形成活性层;在所述活性层上依次形成空穴传输层和金属电极层。本发明所提供的有机光伏器件的制作方法,由于首先采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成了CdS薄膜,因此,所形成的CdS薄膜质量较高,高质量的CdS薄膜能够有效地提高后续形成的有机光伏器件的能量转换效率。
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公开(公告)号:CN102730705B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201210237364.2
申请日:2012-07-10
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B33/20
CPC classification number: C01B33/20
Abstract: 一种阵列孔低介电材料制备方法,通过在低介电材料主体中引入微纳小球,使这些微纳小球经过自组装过程后具有一定的排布规则,然后去除小球,从而在材料主体得到规则排布的阵列孔。本发明所提供的利用自组装法制备的单层小球模板,尺寸和分布均匀且可控,薄膜的成型强度较高,性能均一,克服了一般多孔材料机械强度差,容易局部塌陷,各区域性能迥异的缺点。
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公开(公告)号:CN103474586A
公开(公告)日:2013-12-25
申请号:CN201310462670.0
申请日:2013-09-30
Applicant: 苏州大学张家港工业技术研究院
Abstract: 本发明公开了一种OLED器件及其制作方法,包括衬底、位于所述衬底一表面的第一电极层、发光层、介于所述第一电极层与所述发光层之间的第一电荷传输层、第二电极层、介于所述第二电极层与所述发光层之间的第二电荷传输层,其中,所述衬底另一表面设有纳米凹凸结构层,所述纳米凹凸结构层上具有呈准周期或非周期性形状、且其折射率沿出射光方向呈梯度变化的第一纳米凹凸结构;本发明不仅有效提高OLED器件的外量子提取效率,而且制作工序简单、成本低。
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公开(公告)号:CN102760835A
公开(公告)日:2012-10-31
申请号:CN201110107437.1
申请日:2011-04-27
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/48
CPC classification number: Y02E10/549 , Y02P70/521
Abstract: 本发明实施例公开了一种有机光伏器件的制作方法,该方法包括:采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成CdS薄膜;通过旋涂工艺将聚-3烷基噻吩和富勒烯衍生物的混合溶液旋涂于CdS薄膜上,形成活性层;在所述活性层上依次形成空穴传输层和金属电极层。本发明所提供的有机光伏器件的制作方法,由于首先采用原子层沉积法在ITO玻璃表面形成了CdS薄膜,因此,所形成的CdS薄膜质量较高,高质量的CdS薄膜能够有效地提高后续形成的有机光伏器件的能量转换效率。
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公开(公告)号:CN102718226A
公开(公告)日:2012-10-10
申请号:CN201210237331.8
申请日:2012-07-10
Applicant: 苏州大学
IPC: C01B33/159
Abstract: 本发明揭露了一种低介电材料的表面改性工艺,该工艺通过将由旋涂法制得的二氧化硅湿凝胶薄膜浸润在改性溶液中进行表面改性处理,然后再通过大气环境下的热处理,制备出具有低介电常数的二氧化硅薄膜材料。该工艺中由于直接用溶剂浸润和热处理两种简单方便的工艺就能降低材料介电系数的方法,因此材料的孔隙率仍维持在较低的水平,机械强度可以保持较高的水准。
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公开(公告)号:CN115160316B
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202210922085.3
申请日:2022-08-02
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D471/04 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/11
Abstract: 本发明涉及橙红色热激活延迟荧光材料及其制备方法,材料名为4,4',4''‑(二苯并[f,h]吡啶并[2,3‑b]喹喔啉‑3,6,11‑三基)三(N,N‑二苯基苯胺)(3,6,11‑triTPA‑BPQ)和4,4',4''‑(二苯并[f,h]吡啶并[2,3‑b]喹喔啉‑3,6,12‑三基)三(N,N‑二苯基苯胺)(3,6,12‑triTPA‑BPQ)。本发明所提供的化合物具有超高的水平偶极取向和良好的热稳定性,是典型的热激活延迟荧光(TADF)材料,合成制备步骤少,原料易得,合成及纯化工艺简单,产率高,可大规模合成制备。
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公开(公告)号:CN114605412B
公开(公告)日:2023-09-05
申请号:CN202210192683.X
申请日:2022-03-01
Applicant: 苏州大学
IPC: C07D471/14 , C09K11/06 , H10K85/60 , H10K50/11
Abstract: 本发明涉及一种双吡啶吩嗪热激活延迟荧光材料掺杂的白光电致发光器件,在阳极上依次真空蒸镀空穴注入层、空穴传输层、阻挡层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极,得到所述器件,发光层由双吡啶吩嗪热激活延迟荧光材料掺杂蓝光热激活延迟荧光材料制备,引入延迟荧光敏化机制,成功制备了一系列采用两个发光材料的WOLED,并通过调节EML中DPPZ‑DMAC的比例实现了从冷白到正白到暖白的转变,最终实现了基于DPPZ‑DMAC的EQEmax为22.7%的WOLED。这也证明了基于双吡啶并[3,2‑a2',3'‑c]吩嗪受体的发射材料为制备热激活延迟荧光发光层的单层白光电致发光器件展示了无限潜力。
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公开(公告)号:CN115528188A
公开(公告)日:2022-12-27
申请号:CN202211115459.7
申请日:2022-09-14
Applicant: 苏州大学
IPC: H01L51/50 , H01L51/54 , C07D498/22 , C07D498/10 , C07D471/22 , C07F5/02 , C07D471/10 , C09K11/06 , H01L51/56
Abstract: 本发明涉及一种高效率有机电致发光器件及其制备方法,在阳极上依次制备空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极,得到有机电致发光器件,其中发光层包括式Ⅰ结构的化合物。本发明采用新的热激活延迟荧光材料,从而具有优异的发光性能,同时能够实现高效率低滚降,将会带来巨大的应用前景和经济价值。
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