公开(公告)号：CN1287469C

公开(公告)日：2006-11-29

申请号：CN200410001049.5

申请日：2004-01-16

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 川田浩孝 ,  安川昌宏

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  G02F1/133

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78633

Abstract: 提供具有充分的耐压特性、具有能够用容易进行的工序形成的栅绝缘膜、进而不需要进行高温的结晶化处理的晶体管及其制造方法、以及具有这种晶体管的电光装置、半导体器件、电子设备。至少具有单晶半导体层1a及设在单晶半导体层1a上的栅绝缘膜2。栅绝缘膜2具有形成在单晶半导体层1a上的热氧化膜2a和形成在该热氧化膜2a上的至少一层气相合成绝缘膜2b。

公开(公告)号：CN1203360C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN01801015.6

申请日：2001-04-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 安川昌宏 ,  山崎泰志

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78633

Abstract: 本发明涉及一种电光学装置，其特征在于：具有第1衬底、配置在该第1衬底上的象素电极；配置在上述第1衬底上且与上述象素电极连接的薄膜晶体管；形成在上述薄膜晶体管的上层和上述薄膜晶体管的周围的绝缘膜；形成在位于上述薄膜晶体管的外侧的上述绝缘膜上的侧壁形成用沟；和在形成上述薄膜晶体管的区域的上述绝缘膜上和上述侧壁形成用沟配置的第1遮光膜。这样，通过对沟道区进行立体的遮光，可以防止光从侧面或斜着入射到象素开关用TFT的沟道区，从而防止TFT的误动作或可靠性的降低。

公开(公告)号：CN1450631A

公开(公告)日：2003-10-22

申请号：CN03108865.1

申请日：2003-03-27

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 安川昌宏

IPC: H01L21/84 ,  G02F1/136

CPC classification number: H01L29/06 ,  G02F1/13454 ,  H01L27/1233

Abstract: 本发明旨在提供能改善设有厚度不同的半导体层的电光装置与半导体装置中的半导体层的形状，进行高成品率制造的电光装置与半导体装置的制造方法。本发明的制造方法包括：将在支持基片10上隔着绝缘膜12形成的单晶硅层(半导体层)206以预定的平面形状进行图案制作，然后将所述半导体层206分割为多个半导体区域210、220的图案制作工序；在通过所述图案制作工序形成的所述半导体区域210、220中，将第一半导体区域210的半导体层201薄层化到预定半导体层厚的薄层化工序。

公开(公告)号：CN1366626A

公开(公告)日：2002-08-28

申请号：CN01801015.6

申请日：2001-04-19

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 安川昌宏 ,  山崎泰志

IPC: G02F1/1368 ,  G02F1/1335

CPC classification number: G02F1/136209 ,  G02F1/133553 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  H01L29/78633

Abstract: 在电光学装置的TFT阵列衬底10上,在TFT30的沟道区1a’的上层侧覆盖扫描线3a、漏极11、第1遮光膜13和数据线6a,下层侧覆盖第2遮光膜14。在TFT30的沟道区1a’的侧面形成侧壁形成用沟16,在该沟内,与第1遮光膜13同时形成遮光性导电膜,由此形成遮光用侧壁131。这样,通过对沟道区1a’进行立体的遮光,可以防止光从侧面或斜着入射到象素开关用TFT的沟道区,从而防止TFT的误动作或可靠性的降低。