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21.

发明公开
半导体装置及其半导体装置的制造方法无效

公开(公告)号：CN1964046A

公开(公告)日：2007-05-16

申请号：CN200610146311.4

申请日：2006-11-09

Applicant: 精工爱普生株式会社

Inventor： 金本启 , 冈秀明

IPC: H01L27/02 , H01L21/82

Abstract: 以避开P阱(2)及N阱(12)的方式在半导体基板(1)上配置SOI形成区域(R1、R11)，且在P阱(2)及N阱(12)分别配置块状区域(R2、R12)，在SOI形成区域(R1、R11)分别形成N沟道场效应型SOI晶体管及P沟道场效应型SOI晶体管，在块状区域(R2、R12)分别形成N沟道场效应型块状晶体管及P沟道场效应型块状晶体管。降低形成在埋入绝缘层上的半导体层的结晶缺陷，且在同一基板上形成SOI结构和块状结构。

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