公开(公告)号：CN100423194C

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200380100254.0

申请日：2003-10-07

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 川崎真一 ,  中武纯夫 ,  北畠裕也 ,  中嶋节男 ,  江口勇司 ,  安西纯一郎 ,  中野良宪

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/50

Abstract: 在等离子体成膜设备中，连接到电源(4)的两个第一种电极(51)和两个接地的第二种电极(52)以第二种电极(52)、第一种电极(51)、第一种电极(51)和第二种电极(52)的顺序安置。在中心第一种电极(51)之间形成的第一种流道(50a)使用于形成到膜中的原材料气体(第一种气体)从其中通过。在两侧的第一种和第二种电极(51、52)之间形成的第二种流道的等离子体放电空间(50b)使可激发气体(第二种气体)从其中通过，可激发气体被等离子体激发使得原材料可形成到膜中，但是可激发气体本身仅仅被激发，但是不形成到膜中。那些气体汇集在第一种和第二种流道之间的交叉部分(20c)，通过共同喷气通道(25a)喷出。这样可以防止设备组成构件例如电极被膜粘附。

公开(公告)号：CN101273081A

公开(公告)日：2008-09-24

申请号：CN200680035809.1

申请日：2006-09-25

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 江口勇司 ,  土山和夫 ,  石田初男

IPC: C08G73/06

CPC classification number: C08G73/06 ,  C07D265/14 ,  C08L79/04

Abstract: 本发明的目的在于，提供介电特性及耐热性优良的热固化性树脂；及含有它的热固化性组合物；以及由它得到的成形体、电子机器用基板材料等。本发明提供以下述通式(I)表示的在主链中具有二氢苯并噁嗪环结构的热固化性树脂及含有它的热固化性组合物；以及由它得到的成形体、电子机器用基板材料等。通式(I)[式(I)中，Ar1表示4价的芳香族基，R1表示具有稠合脂环式结构的烃基，n表示2～500的整数。]。

公开(公告)号：CN1672248A

公开(公告)日：2005-09-21

申请号：CN03817749.8

申请日：2003-06-13

Applicant: 积水化学工业株式会社

Inventor： 江口勇司 ,  中岛节男 ,  伊藤巧 ,  川崎真一

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/316 ,  C23C16/42 ,  H05H1/42

CPC classification number: C23C16/45514 ,  C23C16/401 ,  C23C16/45574 ,  C23C16/45595 ,  C23C16/515 ,  H01J37/3244 ,  H01L21/02129 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/31612

Abstract: 本发明提供一种利用大气压附近的压力条件下的CVD法在基板(S)的表面形成氧化膜的装置，具备供给由TMOS、MTMOS等含硅气体构成的原料气体(A)、由O2、N2O等氧化性气体构成的反应气体(B)这样的2成分工艺气体的工艺气体供给源(3A)、(3B)、放电处理部(1)。通过对工艺气体(A)不进行放电处理，而在基板表面附近混合到用放电处理部1进行了放电处理的工艺气体(B)中，从而在常压下的CVD法中，用较快的成膜速度形成膜质·覆盖性良好的氧化膜。另外，如果混合进行了放电处理或未进行放电处理的H2O则更为理想。