一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110663107B

    公开(公告)日:2022-10-11

    申请号:CN201880029289.6

    申请日:2018-11-05

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种晶界扩散材料、R-T-B磁体及其制备方法

    公开(公告)号:CN116403792A

    公开(公告)日:2023-07-07

    申请号:CN202111681329.5

    申请日:2021-12-28

    Abstract: 本发明公开了一种晶界扩散材料、R‑T‑B磁体及其制备方法。该晶界扩散材料包括扩散基体和扩散源;扩散基体包括以下组分:R:28.5~33.5wt.%,R为稀土元素;Ga:0~0.5wt.%;B:0.9~1.02wt.%;Fe:65~70wt.%;扩散源包括以下组分:HR:0~70wt.%但不为0wt.%;所述HR为重稀土元素,所述HR包括Dy和/或Tb;Ga≥10wt.%;Cu:0~10wt.%;Co:0~10wt.%;Al:0~8wt.%;Fe:0~8wt.%。采用本发明的晶界扩散材料制备的R‑T‑B磁体相较于晶界扩散前的扩散基体,矫顽力和温度稳定性有显著的提升,且剩磁基本不变。

    一种粉末冶金烧结的脱脂方法

    公开(公告)号:CN111451498A

    公开(公告)日:2020-07-28

    申请号:CN202010131961.1

    申请日:2020-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种粉末冶金烧结的脱脂方法,将烧结毛坯装入真空烧结炉的加热区内,对炉内抽真空至真空度低于1Pa时,边通入惰性气体边抽真空,使炉内的气压维持在150~200Pa之间,同时启动加热使炉内升温至200~800℃使烧结毛坯的脂类添加物气化,气化的脂类由惰性气体带动流向螺旋式冷凝井,沿冷却螺旋气道螺旋式前进并冷却至小于100℃,脂类冷凝后回收。通过本发明的方法,真空炉壁上冷凝的脂大大减少,降低了材料中的碳含量,提高材料性能;含脂气体通过螺旋式冷凝井使油脂与气体充分分离,洁净度提高,保护了真空设备,减少设备的维护频率,提高设备使用寿命,减少环境污染。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110106334A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201810306660.0

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa-100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

    一种R-T-B系磁体及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN116564638A

    公开(公告)日:2023-08-08

    申请号:CN202210116237.0

    申请日:2022-01-30

    Abstract: 本发明公开了一种R‑T‑B系磁体及其制备方法和应用。该R‑T‑B系磁体包括R、Fe、B和M;R为稀土元素;M包括Al、Cu和Ga中的一种或多种;R‑T‑B系磁体包括主相晶粒A、晶界相A、主相晶粒B和晶界相B;在距离R‑T‑B系磁体的外表面向内的深度100μm的区域内,含有5%~60%的主相晶粒A,百分比为主相晶粒A的体积占距离R‑T‑B系磁体的外表面向内的深度100μm的区域的体积的百分比。本发明的R‑T‑B烧结磁体中Br≥13.4kGs;Hcj≥25.86kOe,且具备较高的方形度。

    钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111223625B

    公开(公告)日:2022-08-16

    申请号:CN202010121473.2

    申请日:2020-02-26

    Abstract: 本发明提供了一种钕铁硼磁体材料、原料组合物及制备方法和应用。所述原料组合物包括:R:28~33wt%;R包括R1和R2,所述R1为熔炼时添加的稀土元素,所述R1包括Nd和Dy;所述R2为晶界扩散时添加的稀土元素,所述R2包括Tb,所述R2的含量为0.2wt%~1wt%;M:≤0.4wt%且不为0wt%,所述M的种类包括Ti、Ni、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Zr、Hf和Ag中的一种或多种;Cu:≤0.15wt%、且不为0wt%;B:0.9~1.1wt%;Fe:60wt%~70.88wt%;原料组合物中不含有Co。本发明的磁体材料具有高剩磁、高矫顽力以及高温性能好的优势。

    一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法

    公开(公告)号:CN110106334B

    公开(公告)日:2021-06-22

    申请号:CN201810306660.0

    申请日:2018-04-08

    Abstract: 本发明公开了一种连续进行晶界扩散和热处理的装置以及方法,其特征在于:所述合金工件或金属工件连同扩散源设置在相对独立的处理箱内,所述装置包括依序设置的晶界扩散室、第一冷却室、热处理室、第二冷却室、以及设置在各个室之间的用以运送所述处理箱的运送系统,所述第一冷却室和所述第二冷却室均采用风冷系统,所述第一冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述晶界扩散室的晶界扩散温度至少相差550℃,所述第二冷却室的冷却风温度在25℃以上、并与所述热处理室的热处理温度至少相差300℃,所述冷却室的压力50kPa‑100kPa。本发明提供的装置可以提升冷却速率和生产效率,提高产品一致性。

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