公开(公告)号：CN100416642C

公开(公告)日：2008-09-03

申请号：CN200480016024.0

申请日：2004-06-04

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： N·D·杨

IPC: G09G3/32

CPC classification number: G09G3/3233 ,  G09G3/3208 ,  G09G5/02 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/088 ,  G09G2320/029 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/045 ,  G09G2360/148 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3269 ,  H01L31/105

Abstract: 一种彩色有源矩阵电致发光(EL)显示装置，具有包括红、绿和蓝发光像素组的像素(10)阵列，每个像素包括EL显示元件(20)、用于驱动电流流过该显示元件的驱动晶体管(22)、存储用于寻址该驱动晶体管的电压的存储电容器(24)、以及根据显示元件的光输出将存储电容器放电的放电光敏元件(40，42)。蓝像素组中的放电光敏元件(42)包括横向光敏薄膜器件，如横向薄膜晶体管或者栅控或非栅控横向光电二极管器件，而红像素组，并且优选绿像素组中的放电光敏元件(40)也包括垂直pin光电二极管(40)。通过这种方式选择光敏元件使得与颜色有关的光灵敏度增强，从而提高显示装置性能。

公开(公告)号：CN1934708A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580009339.7

申请日：2005-03-22

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： N·D·杨

IPC: H01L27/15

CPC classification number: H01L27/3269 ,  H01L27/3272 ,  H01L2251/5315

Abstract: 有源矩阵显示器件具有像素，每一个具有用于光反馈功能的光敏器件(84)。每个像素具有光阻挡结构(100)，其由光敏器件(84)附近的显示基板的薄膜层形成且基本在光敏器件的输入表面的水平处。该结构防止光(g)从基本横向的方向传播到光敏器件。

公开(公告)号：CN1934605A

公开(公告)日：2007-03-21

申请号：CN200580008438.3

申请日：2005-03-02

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： D·A·菲什 ,  N·D·杨 ,  H·里夫卡 ,  A·吉拉尔多 ,  W·奥普特斯

IPC: G09G3/14 ,  G09G3/32 ,  H01L27/15 ,  H05B33/08

CPC classification number: H01L27/1214 ,  G09G3/2014 ,  G09G3/3233 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2310/0262 ,  G09G2320/043 ,  G09G2320/045 ,  G09G2360/148 ,  H01L23/552 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3269 ,  H01L51/5228 ,  H01L51/5271 ,  H01L2251/5315 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 有源矩阵显示器件包括显示像素阵列，并且每个像素包括EL显示元件、用于检测显示元件的亮度的光相关器件、和用于通过显示元件驱动电流的驱动晶体管电路。响应于光相关器件输出来控制驱动晶体管，以便可以实施老化补偿。光相关器件横向定位于EL显示元件的发光材料区域。这样，光相关器件不引起台阶覆盖问题，并可以集成到像素布局中而不影响像素孔。另外，光相关器件可以与发光材料区域的全部长度并排地延伸，以便它从大部分显示元件区域接收光输入。

公开(公告)号：CN1685488A

公开(公告)日：2005-10-19

申请号：CN03822933.1

申请日：2003-09-12

Applicant: 皇家飞利浦电子股份有限公司

Inventor： N·D·杨 ,  S·Y·永 ,  I·D·弗伦奇 ,  D·J·麦卡洛

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种制造包含薄膜晶体管(42)的电子器件的方法，此方法包含在半导体层(10；20)上形成含氢层(22)，辐照此含氢层以便对此半导体层进行氢化，以及然后在半导体层上形成电极(24；26，28)。为氢提供了扩散长度短的直接路径，从而能够用比较少的高能量密度激光脉冲来进行半导体层的快速氢化。支持用的衬底(12)不被显著地加热，使得此方法特别适用于聚合物衬底上的TFT。半导体层的晶化和氢化能够在同一个辐照步骤中进行。