一种制造纳米银胶体修饰的柔性电极的方法

    公开(公告)号:CN103413696A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310384185.6

    申请日:2013-08-29

    Abstract: 本发明实施例公开了一种制造纳米银胶体修饰的柔性电极的方法,包括:氧化石墨烯分散于去离子水中,获得氧化石墨烯分散液;进行磺化反应,获得磺化氧化石墨烯分散液;进行还原处理,获得磺化石墨烯;将磺化石墨烯研磨成磺化石墨烯粉末并分散于去离子水,获得磺化石墨烯分散液;在磺化石墨烯分散液中加入纳米银胶体并超声分散,获得纳米银胶体修饰的磺化石墨烯分散液;抽滤纳米银胶体修饰的磺化石墨烯分散液,获得纳米银胶体修饰的磺化石墨烯薄膜。根据本发明的上述实施例的方法制造的柔性电极,具有电导率高、机械性能好、比容量高、质量轻等优点。

    一种制造气体敏感纳米薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103412001A

    公开(公告)日:2013-11-27

    申请号:CN201310331751.7

    申请日:2013-08-02

    Abstract: 本发明实施例公开了一种制造气体敏感纳米薄膜的方法,包括:将氧化石墨烯分散于第一溶剂中,获得氧化石墨烯分散溶液;将铁基氧化剂溶于第二溶剂中,获得铁基氧化剂溶液;以铁基氧化剂溶液为LB成膜法的亚相,用氧化石墨烯分散溶液在气敏器件上形成氧化石墨烯薄膜;将氧化石墨烯薄膜置于导电聚合物单体气氛中进行聚合反应,然后进行还原处理,获得所述气体敏感纳米薄膜。根据本发明的方法制造的气体敏感纳米薄膜的厚度处于纳米级,由导电聚合物与氧化石墨烯复合而成,并且具有多层膜结构,具有良好的气敏性能。

    一种制造高介电复合薄膜的方法

    公开(公告)号:CN103319736A

    公开(公告)日:2013-09-25

    申请号:CN201310246514.0

    申请日:2013-06-20

    Abstract: 本发明实施例公开了一种制造高介电复合薄膜的方法,包括:将微米钛酸钡、纳米钛酸锶和聚偏氟乙烯粉末均匀混合;将混合材料粉末溶于有机溶剂中;将有机混合溶液在室温下真空静置脱泡;将有机混合溶液在基板上流延刮膜形成平板膜;加热平板膜使有机溶剂挥发,获得聚偏氟乙烯-钛酸钡-钛酸锶复合薄膜。通过本发明的实施例中的方法,可将纳米粒径的钛酸锶粒子填充入微米粒径的钛酸钡粒子之间的空隙之中,可以使钛酸钡粒子的堆积更加的紧密,从而可以较大的提高获得的复合薄膜的介电常数并降低损耗。

    一种自供能气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107132248A

    公开(公告)日:2017-09-05

    申请号:CN201710492171.4

    申请日:2017-06-26

    Abstract: 本发明提供了一种自供能传感器及其制备方法,属于传感器技术领域。本发明结构其结构由下至上依次包括层叠的多孔基片、第一银纳米线薄膜、P型多孔导电聚合物、多孔热释电薄膜、N型多孔导电聚合物和第二银纳米线薄膜。本发明自供能传感器采用多孔热释电薄膜材料同时作为敏感单元和能量采集单元,避免了制备不同功能薄膜时各功能薄膜之间所存在的成膜工艺不匹配、成膜不均匀和相容性不好的问题;本发明器件结构设计合理,能够协同实现能量采集与产生气敏信号,使得器件结构高度集成且提高了气敏单元的灵敏度;此外,本发明制备工艺简单可控、成本低廉,在柔性电子器件具有广阔的应用前景。

    一种高介电复合薄膜及其制备方法

    公开(公告)号:CN103465576B

    公开(公告)日:2016-01-20

    申请号:CN201310426421.6

    申请日:2013-09-18

    Abstract: 本发明公开了一种高介电复合薄膜及其制备方法,其属于电子薄膜材料领域,该高介电复合薄膜由聚合物和无机纳米粒子交替复合而成,该方法基于LB膜法沉积聚合物和无机纳米粒子复合结构,通过聚合物与无机纳米粒子之间的良好协同效应来获得复合薄膜的高介电性。本发明基于成熟的LB膜技术,克服了现有技术中所存在的缺陷,易于制备大面积、自支撑膜,制备方法合理简单、易于操作。

    一种制造多孔复合纳米薄膜的方法

    公开(公告)号:CN104480453A

    公开(公告)日:2015-04-01

    申请号:CN201410701715.X

    申请日:2014-11-28

    CPC classification number: C23C16/305 C23C16/06 C23C16/40 C23C28/00

    Abstract: 本发明实施例公开了一种制造多孔复合纳米薄膜的制备方法,包括:采用旋涂法在基片上制备氧化剂/金属纳米粒子薄膜,然后通过水蒸气处理的方法获得多孔氧化剂/金属纳米粒子复合薄膜,接着采用化学气相沉积方法在基片上获得多孔导电聚合物/金属纳米粒子复合薄膜,然后在多孔导电聚合物/金属纳米粒子复合薄膜表面采用原子沉积方法沉积金属氧化物或金属硫化物超薄膜,从而获得多孔复合纳米薄膜。该方法制备的多孔复合纳米薄膜具有比表面积大、结构稳定的特点,在高储能密度电化学电容器和气敏材料上有十分广泛的用途。

    一种制造用于电容器的复合电极的方法

    公开(公告)号:CN104269276A

    公开(公告)日:2015-01-07

    申请号:CN201410476261.0

    申请日:2014-09-18

    Abstract: 本发明实施例公开了一种制造用于电容器的复合电极的方法,包括:将甲基苯磺酸铁溶液加入异丙醇溶液中,并加入吡啶溶液,获得混合溶液;在混合溶液中加入导电纳米粒子并使导电纳米粒子在混合溶液中充分分散,获得涂敷溶液;将涂敷溶液在基片上涂敷至少两层,获得中间电极材料;将中间电极材料置于导电聚合物单体气氛中进行气相沉积,获得复合电极。本发明制备的复合电极材料具有比容量较高、循环性能好、可快速充放电、生产成本低等优点,可广泛使用于超级电容器。

    一种高能量密度电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN102623174B

    公开(公告)日:2014-06-25

    申请号:CN201210112200.7

    申请日:2012-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种高能量密度电容器的制备方法,首先通过真空沉积方法在多孔聚碳酸酯材料内制备金属薄膜,然后在金属膜表面通过原子层沉积的方法制备纳米介电薄膜作为电容器电介质材料,最后在介电薄膜上通过原子层沉积方法获得纳米薄膜作为电极,形成一种金属-绝缘体-金属的纳米电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米超薄结构,使得电容器具有大的能量密度,同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷,并且制备方法合理简单,易于操作。

    一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法

    公开(公告)号:CN102623173B

    公开(公告)日:2014-05-28

    申请号:CN201210112199.8

    申请日:2012-04-17

    Abstract: 本发明公开了一种基于氧化铝有序纳米孔结构的电容器的制备方法,对多孔氧化铝基体材料进行表面等离子体处理;采用原子层沉积的方法制备金属纳米薄膜作为电容器的一个电极;采用原子层沉积方法沉积介电纳米薄膜作为电容器的介质材料;采用化学静电自组装方法制备导电聚合物复合纳米薄膜作为介质材料与另一个电极间的过渡材料;采用原子层沉积方法制备金属纳米薄膜作为电极材料,从而在氧化铝多孔纳米结构中获得一种金属-绝缘体-聚合物半导体-金属的电容器结构。该方法所制备的电容器具有纳米层状结构,使得电容器具有大的能量密度,并易于实现阵列化。同时该电容器制备技术克服了现有技术中所存在的缺陷,并且制备方法合理简单,易于操作。

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