公开(公告)号：CN106982494A

公开(公告)日：2017-07-25

申请号：CN201710311700.6

申请日：2017-05-05

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  李路 ,  宋旭 ,  朱旭晗 ,  于亮亮 ,  梁龙飞 ,  张波

IPC: H05B33/08

CPC classification number: H05B33/0809 ,  H05B33/0887

Abstract: 一种可调光LED恒流驱动电路，属于半导体技术领域。包括可控硅调光模块、恒流整流模块、功率因素校正模块、滤波模块和电路保护模块，可控硅调光模块通过改变调光电位器RW阻值改变导通延时和导通角大小，使得流过LED的电流占空比发生变化，从而影响LED的亮度；由高反向耐压恒流器件组成的恒流整流模块简化了传统LED驱动电路的结构，使整流功能和恒流功能结合到一起，无需加其它分立恒流器件即可直接接市电来驱动LED灯串；使用高分子正温热敏电阻PPTC防止流过LED的电流过大，双向瞬态电压抑制器TVS保护了LED灯串不会因为瞬态高压而损坏。本发明将整流、恒流和调光功能结合在一起，简化了驱动电路的结构，可实现驱动系统的小型化，降低了成本。

公开(公告)号：CN109216352B

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN201811069367.3

申请日：2018-09-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  叶力 ,  朱旭晗 ,  李珂 ,  林祺 ,  张波

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种BCD半导体集成器件，包括13个器件，13个器件共用一个P型衬底和N型外延层，每一部分之间通过伸入至P型衬底的深P‑sink层及深P‑sink层上方的隔离电极实现器件之间电学隔离，本发明利用低阈值电压MOS管的氧化层介质作为低阈值高压功率LDMOS器件的栅氧化层，将低阈值电压MOS管的表面低浓度阱区设置为低阈值高压功率LDMOS器件的阱区，并将栅电极设置在对称轴处引入JFET的方式使得低阈值电压LDMOS电流路径和承受击穿电压的主要PN结不相同，避免器件因低浓度阱区带来的提前穿通问题，因此，本发明利用BCD工艺平台中的低阈值MOS管和LDMOS，实现了工艺完全兼容的低阈值LDMOS，不需要新增任何工艺菜单和掩膜版。

公开(公告)号：CN109216352A

公开(公告)日：2019-01-15

申请号：CN201811069367.3

申请日：2018-09-13

Applicant: 电子科技大学

Inventor： 乔明 ,  叶力 ,  朱旭晗 ,  李珂 ,  林祺 ,  张波

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种BCD半导体集成器件，包括13个器件，13个器件共用一个P型衬底和N型外延层，每一部分之间通过伸入至P型衬底的深P-sink层及深P-sink层上方的隔离电极实现器件之间电学隔离，本发明利用低阈值电压MOS管的氧化层介质作为低阈值高压功率LDMOS器件的栅氧化层，低阈值电压MOS管的表面低浓度阱区和设置为LDMOS的阱区，并将栅电极设置在对称轴处引入JFET的方式使得低阈值电压LDMOS电流路径和承受击穿电压的主要PN结不相同，避免器件因低浓度阱区带来的提前穿通问题，因此，本发明利用BCD工艺平台中的低阈值MOS管和LDMOS，实现了工艺完全兼容的低阈值LDMOS，不需要新增任何工艺菜单和掩膜版。