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公开(公告)号：CN112010307A
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN202010844732.4
申请日：2020-08-20
Applicant: 电子科技大学
IPC: C01B32/907 , C09D1/00 , C09D5/32 , C09D5/30
Abstract: 本发明属于雷达隐身技术领域，具体为一种Cr2AlC材料的使用方法。本发明把在航天结构、高温防护、抗氧化涂层等表面防护系统中的Cr2AlC材料，将其作为耐高温的雷达吸波材料，应用于武器装备、飞行器尾喷管等耐高温吸波部件。以克服现有的高温雷达吸波材料在高温下有效带宽窄、抗氧化性能差、吸波性能差等问题。本发明成本低廉，吸波性能优异，Cr2AlC具有高氧化温度800℃，在X波段(8-12.4GHz)的有效带宽(低于-10dB)达到2.2GHz，在2mm厚度下11.08GHz处最小反射损耗能达到-25.09dB，具有良好的抗氧化性能及吸波性能，符合高温雷达隐身材料的要求。
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公开(公告)号：CN108777580B
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201810508691.4
申请日：2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种混合电容翻转技术控制的逐次逼近型模数转换器SARADC电平开关方法，其实现过程是：(1)采用上极板采样技术对输入信号进行采样；(2)比较器第一次比较完成后采用电容阵列同时翻转技术，切换电容阵列开关；(3)在后续转换过程中，采用多电平开关技术，根据比较结果切换电容阵列开关,直至转换完成。本发明提出的混合电容翻转技术由上极板采样技术，电容阵列同时翻转技术和多电平开关技术组成，该技术提高了转换速度，减少了差分电容阵列的电容数量，降低了转换过程需要的能量。
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公开(公告)号：CN108777580A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201810508691.4
申请日：2018-05-24
Applicant: 西安电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种混合电容翻转技术控制的逐次逼近型模数转换器SARADC电平开关方法，其实现过程是：(1)采用上极板采样技术对输入信号进行采样；(2)比较器第一次比较完成后采用电容阵列同时翻转技术，切换电容阵列开关；(3)在后续转换过程中，采用多电平开关技术，根据比较结果切换电容阵列开关,直至转换完成。本发明提出的混合电容翻转技术由上极板采样技术，电容阵列同时翻转技术和多电平开关技术组成，该技术提高了转换速度，减少了差分电容阵列的电容数量，降低了转换过程需要的能量。
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公开(公告)号：CN104113315A
公开(公告)日：2014-10-22
申请号：CN201410336320.4
申请日：2014-07-15
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03K17/567
Abstract: 本发明公开了一种PMOS四相电流源开关驱动电路，主要解决现有PMOS四相电流源的开关驱动信号同步性较差的问题。其包括信号产生电路、一级锁存电路、二级锁存电路、通路控制电路、交叉点调整电路；信号产生电路产生四相开关信号；一级锁存电路及二级锁存电路对该四相开关信号依次作两次延迟；通路控制电路利用四相开关信号及其二次延迟信号产生通路控制信号输出给交叉点调整电路；交叉点调整电路利用通路控制信号对一次延迟的四相开关信号进行调整，并将该调整后的信号输出至外部的PMOS四相电流源。本发明提高了开关驱动信号的同步性，降低了四相开关信号的交叉点，可用于数模转换器集成电路的制作。
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公开(公告)号：CN103441747A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310391182.5
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H17/00
Abstract: 一种低差损低相移高集成度五位步进式超宽带数控衰减器，基于硅基RF CMOS工艺，由传输线TL0、π型结构的8dB衰减模块、电感L1、T型-桥T型组合结构的0～7dB组合衰减模块、电感L2、π型结构的16dB衰减模块、传输线TL1顺序级联的单一信号通路构成，采用MOS管作为控制开关，由五个独立控制端控制三个衰减模块工作，利用电感网络进行相位补偿，工作频率范围为Ku波段，以1dB长度步进在的0～31dB的衰减范围内，可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、生产成本低、芯片面积小和兼容数字处理模块的优点，可用于单芯片超宽带通信系统集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103427781A
公开(公告)日：2013-12-04
申请号：CN201310391271.X
申请日：2013-08-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H03H7/24
Abstract: 本发明公开了一种硅基高线性度低相移超宽带数字衰减器，包括1dB、2dB、4dB、8dB、16dB五个衰减模块，采用带有沟道并联电阻结构和体悬浮结构的两种锗硅BiCMOS工艺的NMOS场效应晶体管作为控制开关，由五组互补数字信号独立控制五个衰减模块工作，利用低通网络进行相位补偿，通过电感进行相邻衰减模块间匹配，通过传输线匹配到50Ω的输入和输出阻抗，工作频率范围为1～25GHz，以1dB长度步进在的0～31dB的衰减范围内，可实现共32种状态低差损低相移的信号幅度衰减。本发明具有差损低、附加相移小、线性度高、生产成本低、芯片面积小的优点，可用于大幅度信号处理和单芯片集成。
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公开(公告)号：CN119562506A
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN202411422906.2
申请日：2024-10-12
Applicant: 电子科技大学
IPC: H05K9/00
Abstract: 本发明涉及电子材料领域，具体为一种飞机除冰/电磁低散射兼容结构及其设计方法。本发明采用周期性的高透波电加热阻抗网络，将阻抗网络共形到吸波结构上，对阻抗网络的图案化设计实现高透波率的性能；并且通过优化吸波结构表面的重点结冰区域进行分区的阻值调控，实现分区加热，集中热量的调整目的，从而实现更有针对性的除冰。本发明能够同时实现电加热除冰和电磁低散射的功能，既能够满足飞机在高空或寒冷环境中除冰的需求，从而保护飞机的飞行安全，又能保证飞机电磁低散射功能不受到影响。有望应用于未来低可探测飞机安全防护与电磁兼容，成为其重要技术积累。
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公开(公告)号：CN118902730A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202411274463.7
申请日：2024-09-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及医疗器械领域，具体涉及一种基于太阳光进行光子治疗的辐射制冷敷料。本发明从内至外依次包括亲肤层、光谱选择层和中红外高发射率层，通过光谱选择层选择性透过所需波段光，以对太阳辐射进行筛选，所需波段光穿过高透的底部亲肤层被皮肤接收，达到光子治疗的效果，解决了光疗技术受限于使用场景的问题，使皮肤只接受有益的所需波段光从而进行治疗伤口或痤疮，而反射除有益光外的太阳辐射还将减少外部热源的输入；同时高透的中红外高发层增加了人体辐射的发射，从而对敷料使用部位实现辐射制冷功能进行降温，化解了传统敷料在户外高温环境下的局部过热风险。
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公开(公告)号：CN115332811B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202210887497.8
申请日：2022-07-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种兼具发射率可调及波束异向反射功能的红外电磁周期结构，属于红外电磁波束控制超材料、电磁吸波材料领域。所述红外电磁周期结构包括衬底，以及位于衬底之上的、M×N阵列排列的多功能结构单元；多功能结构单元由K个1×K排列的单元组成，单元的相位补偿值自左向右从2π/K到2π、以2π/K的间隔等间距依次递增设置，单元包括自下而上依次设置的金属衬底层、第二相变材料层、低折射率低损耗电磁匹配层、高折射率低损耗电磁匹配层和第一相变材料层。本发明通过高折射率低损耗电磁匹配层实现探测光束的异向偏转，同时，采用多层介质的结构，在常温下实现了3‑14μm波段的低发射率，有效降低了目标体被探测的概率，满足军事领域对红外辐射抑制要求。
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公开(公告)号：CN111291320B
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202010047045.X
申请日：2020-01-16
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G06F17/16
Abstract: 本发明公开了一种基于HXDSP芯片的双精度浮点复数矩阵运算优化方法，属于数字信号处理器的底层函数优化领域；双精度浮点复数矩阵运算包含由多次第一双精度浮点复数矩阵中的一个元素与第二双精度浮点复数矩阵的前四列的对应行的四个元素相乘后并与第三双精度浮点复数矩阵对应元素相加的过程构成的内循环；多次由第一双精度浮点复数矩阵中的一行与第二双精度浮点复数矩阵的每个四列的对应四个元素相乘的过程构成的外循环；本发明通过对矩阵乘法的优化避免了内存中的读数冲突带来的卡顿现象，同时，充分利用硬件资源，提高运算效率。
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