公开(公告)号：CN109786230A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811234733.6

申请日：2018-10-23

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/423 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件以及制造该半导体器件的方法，在该半导体器件中，改进了与包括金属栅极电极的场效应晶体管一起封装的可重写存储器单元的保持特性。该半导体器件包括具有金属栅极电极的场效应晶体管和可重写存储器单元。该制造方法包括用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤。在用金属栅极电极替换伪栅极电极的步骤之前，该方法包括使存储器单元的高度低于伪栅极电极的高度并形成用于覆盖存储器单元的保护膜的步骤。

公开(公告)号：CN106024795A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201610191651.2

申请日：2016-03-30

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247 ,  H01L29/792 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/28282 ,  H01L27/1157 ,  H01L27/11573 ,  H01L29/42344 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括形成在存储器单元区中的半导体衬底的主表面之上的控制栅电极和存储器栅电极，和形成在分流区中的半导体衬底的主表面之上的第一电极和第二电极。第一电极与控制栅电极形成一体，第二电极与存储器栅电极形成一体。第二电极包括沿第一电极的侧壁形成的第一部分，和沿半导体衬底的主表面延伸的第二部分。另外，相对于半导体衬底的主表面，第一电极的上表面的高度与第二电极的第一部分的上表面的高度一般是相同的。

公开(公告)号：CN105655339A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201510845866.7

申请日：2015-11-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 三原龙善

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 本公开涉及半导体器件及其制造方法，改进具有非易失性存储器的半导体器件的可靠性和性能。经由第一绝缘膜在半导体衬底上方形成选择栅电极。在选择栅电极的相对侧表面上方，形成侧壁绝缘膜的第二绝缘膜。在半导体衬底上方，经由具有电荷积累部的第三绝缘膜形成存储器栅电极。选择栅电极和存储器栅电极经由第二绝缘膜和第三绝缘膜彼此邻近。第二绝缘膜布形成在存储器栅电极的下方。插入在选择栅电极和存储器栅电极之间的第二绝缘膜和第三绝缘膜的总厚度大于插入在半导体衬底和存储器栅电极之间的第三绝缘膜的厚度。