一种光电化学生物传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114137047B

    公开(公告)日:2022-11-15

    申请号:CN202111440681.X

    申请日:2021-11-30

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本申请属于生物检测技术领域,特别是涉及一种光电化学生物传感器及其制备方法和应用。针对适配体DNA在传感器捕捉界面构建研究中,单位面积适配体DNA数量少、肿瘤细胞异质性、与细胞结合的亲和力不够,导致的捕捉效率不高,以及传感体系选用材料光电转化效率低、纳米材料合成质量不高、能级匹配不精确等问题,本申请提供了一种光电化学生物传感器,包括工作电极、参比电极和对电极;所述工作电极包括依次层叠的枝状DNA多联体捕获电极、循环肿瘤细胞和量子点敏化信号放大探针;所述参比电极为饱和Ag/AgCl电极,所述对电极为铂电极。解决现有的光电传感技术在CTC检测灵敏度低、检测限高、难以满足临床要求。

    一种光电化学生物传感器及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN114137047A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111440681.X

    申请日:2021-11-30

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本申请属于生物检测技术领域,特别是涉及一种光电化学生物传感器及其制备方法和应用。针对适配体DNA在传感器捕捉界面构建研究中,单位面积适配体DNA数量少、肿瘤细胞异质性、与细胞结合的亲和力不够,导致的捕捉效率不高,以及传感体系选用材料光电转化效率低、纳米材料合成质量不高、能级匹配不精确等问题,本申请提供了一种光电化学生物传感器,包括工作电极、参比电极和对电极;所述工作电极包括依次层叠的枝状DNA多联体捕获电极、循环肿瘤细胞和量子点敏化信号放大探针;所述参比电极为饱和Ag/AgCl电极,所述对电极为铂电极。解决现有的光电传感技术在CTC检测灵敏度低、检测限高、难以满足临床要求。

    一种氧化钴多孔纳米片及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN114011412A

    公开(公告)日:2022-02-08

    申请号:CN202111315751.9

    申请日:2021-11-08

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种氧化钴多孔纳米片及其制备方法与应用,属于催化剂制备技术领域。本发明提供了一种氧化钴多孔纳米片是通过获得硫掺杂氢氧化钴前驱体,再干燥后,进行两段高温焙烧后冷却制备得到的。该氧化钴多孔纳米片的厚度为5‑20nm。还提供了该氧化钴多孔纳米片的制备方法和应用。该氧化钴多孔纳米片可以负载金属纳米颗粒制成复合催化剂,所制备的Co/CoO催化剂用作高活性的硼氢化钠水溶液产氢催化剂,产氢速率高达3345mlH2·gcat‑1·min‑1。本发明中氧化钴多孔纳米片制备方法简便,所制备的氧化钴多孔纳米片可以作为高比表面积的载体制备硼氢化钠水解产氢的复合催化剂。

    DNA引导的量子点-氧化石墨烯复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN109399627B

    公开(公告)日:2020-07-07

    申请号:CN201811341061.9

    申请日:2018-11-12

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 本发明涉及一种DNA引导的量子点‑氧化石墨烯复合材料的制备方法,其具体为:将巯基修饰过的DNA加入氧化石墨烯溶液中,在室温下搅拌、静置10个小时得到混合溶液,用透析膜在蒸馏水中透析10小时除去游离的DNA,制得DNA‑氧化石墨烯复合物溶液;将镉离子前驱体溶液与氧族前驱体溶液加入DNA–氧化石墨烯复合物溶液中,在pH为9.0~11.0的环境下,加热至50~90℃,恒温反应2~8小时后得到QDs–DNA–氧化石墨烯复合物溶液,经无水乙醇洗涤、离心后,制得DNA引导的量子点‑氧化石墨烯复合材料。本发明成功克服了现有技术的产品性质不稳定、步骤繁琐的缺点,制得的复合材料性质稳定。

    一种高单分散性碲化镉纳米晶体的合成方法

    公开(公告)号:CN102381689B

    公开(公告)日:2013-01-30

    申请号:CN201110334471.2

    申请日:2011-10-30

    Applicant: 燕山大学

    Abstract: 一种高单分散性碲化镉纳米晶体的合成方法,其主要将摩尔比为6~8:8:1:0.02~0.2:0.01的二水合醋酸镉、硬脂酸、碲粉、三辛基膦、十八烯在常温下装入带有冷凝管的三颈瓶中,在-1×104Pa以下的真空条件下,搅拌并加热到80~120℃,并保持该温度1~2小时。然后,通入氮气至104~105Pa,在氮气保护下继续搅拌和加热,生长温度升至220℃,升温速率为5~10℃∕min。本发明克服了现有的碲化镉纳米晶体合成技术中必须预先合成碲前驱体的缺点,简化了合成路径,通过调节生长温度,达到控制碲化镉纳米晶体粒径的目的,合成方法简单,CdTe纳米晶体的单分散性高,重复性好,易于工业化生产。

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