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公开(公告)号：CN114977117A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210521786.6
申请日：2022-05-13
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本发明提供一种基于主动控制耗能的直流断路器及控制方法，断路器包括：并联的主通流支路和主动耗能支路；所述主动耗能支路包括第一耗能支路、第二耗能支路和主动控制支路；所述第一耗能支路与所述主动控制支路串联；所述主动控制支路与所述第二耗能支路并联，所述主动控制支路用于控制所述第二耗能支路参与或不参与耗能。本发明的基于主动控制耗能的直流断路器及控制方法，通过主动控制耗能支路的接入器件，能够满足直流断路器的关断要求，并降低主通流支路的耐压水平要求，从而可以实现更为经济便捷的直流断路器。
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公开(公告)号：CN112968591B
公开(公告)日：2022-07-08
申请号：CN202110251037.1
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本发明涉及一种基于IGCT晶闸管构成的大功率水冷单元结构，单元结构主要部件包括整体框架组件、单元底板、后端直流支撑电容组件模块、支撑电容连接铜排组件和前端IGCT晶闸管构成的阀串模块结构。IGCT晶闸管构成的阀串模块结构由水冷电抗、缓冲回路电容组件、阀串模块框架结构、旁路开关、均压电阻、IGCT电源、单元进出水水管、单元驱动装置和IGCT阀串结构组成。本发明将所有模块、单元和器件集成均匀布置在一个单元内，实现单元结构的高度集成化。所有模块、单元都可独立安装、拆卸和维护，有效的节省了安装和接线的时间。
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公开(公告)号：CN113114052B
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202110251172.6
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
Abstract: 本发明提供一种基于压接式IGCT的水冷大功率全桥单元，包括全桥功率模块、电源模块、直流电容模块、连接母排、固定支架组件和底座；本发明各模块按功能划分更加明确，所有模块都可独立安装、拆卸、维护；当设备出现故障时，方便问题排查；不但可以在没有时间检查问题出处的时候将整个模块进行更换，同时也可将单个模块卸下后，对每一部分进行逐一检查，为维护和维修带来了极大的便利，同时也节省了很多时间。
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公开(公告)号：CN113098457A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN202110252175.1
申请日：2021-03-08
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: H03K17/16
Abstract: 本发明提供一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，所述采用带磁芯的饱和电抗器构造半导体器件功率模块，所述带磁芯的饱和电抗器通过如下步骤获得：A、对于所述半导体器件功率模块，以空芯可调电抗作为换流电抗器，调节所述空芯可调电抗的电抗值为在发生一开关行为时不使所述半导体器件功率模块换流时损坏的第一预期值；B、反复增大所述空芯可调电抗的感值，直到任何电流下开关行为都不会导致低电流振荡，确认此时所述空芯可调电抗的感值L；C、基于所述步骤B中得到的感值L，确定所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值，以设计所述带磁芯的饱和电抗器。本发明所实现的IGCT模块体积小，振荡抑制效果好，效率高。
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公开(公告)号：CN110634851A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911006785.2
申请日：2019-10-22
Applicant: 清华四川能源互联网研究院 , 清华大学
Abstract: 本发明提供了一种晶体管压接封装结构，涉及电力电子开关技术领域。所述晶体管压接封装结构包括第一压接块、第二压接块、弹力压接组件、电路板和晶体管；所述第一压接块与所述第二压接块相对压合设置，所述弹力压接组件、所述电路板和所述晶体管设置在所述第一压接块与所述第二压接块之间，所述弹力压接组件将所述晶体管压接在所述电路板上。这样，结构简单、可靠性高、空间利用率高，而且后期加工封装、拆卸和维护方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106556810B
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201611025137.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: G01R33/12
Abstract: 本发明涉及静态特征优化技术领域，公开了一种基于内部偏置场难轴方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤：步骤1、将易轴偏置场设置为恒定值，设置难轴偏置场的取值获取传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值hFM，将传感曲线经过目标函数优化，获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err；步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值hFM，重复步骤2；步骤4、选取不同的难轴偏置场的取值，重复步骤1‑3，获取在同一个二维坐标A的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线；步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场下使得绝对误差最小的难轴偏置场相应值。通过调节难轴偏置场，获得更大的线性区域。
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公开(公告)号：CN106772149B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201611027078.8
申请日：2016-11-18
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09
Abstract: 本发明公开了一种优化的极大磁场测量方法及装置，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点：将四个正交配置的隧穿磁阻电阻放置到外加磁场中，获取各隧穿磁阻电阻的阻值；根据四个电阻的阻值计算各隧穿磁阻电阻自由层与参考层磁化方向的夹角；根据第一隧穿磁阻电阻、第三隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H1及方向θ1；根据第二隧穿磁阻电阻、第四隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向与参考层磁化方向的夹角计算外加磁场的磁场强度H2及方向θ2；根据磁场强度H1与磁场强度H2确定外加磁场最终的磁场强度H0，根据方向θ2与方向θ1确定外加磁场最终的方向θ；根据方向θ对磁场强度H0进行优化。
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公开(公告)号：CN108075620A
公开(公告)日：2018-05-25
申请号：CN201810001961.2
申请日：2018-01-02
Applicant: 清华四川能源互联网研究院 , 清华大学
IPC: H02M1/00
Abstract: 本发明涉及一种IGCT晶闸管构成的大功率单元，包括框架组件(1)和位于所述框架组件(1)上的IGCT压装模块(2)，所述IGCT压装模块(2)包括外接水冷结构(3)、RC缓冲回路(5)、IGCT器件(10)、二极管(11)、散热器(12)和绝缘件(13)，其中，所述绝缘件(13)、所述二极管(11)、所述IGCT器件(10)、所述散热器(12)、所述RC缓冲回路(5)从下往上依次装配；所述IGCT器件(10)、所述二极管(11)、所述散热器(12)和所述绝缘件(13)通过压装而结合。本发明的优点是：单元集成化所有器件，结构紧凑、美观、分配合理；所有模块、单元都可独立安装、拆卸和维护，有效的节省了安装和接线的时间。
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公开(公告)号：CN107167749A
公开(公告)日：2017-09-15
申请号：CN201611022606.0
申请日：2016-11-18
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/098
Abstract: 本发明公开了一种中大磁场测量方法及系统，涉及磁场测量技术领域。本发明技术要点包括：对于任意外加磁场，测量得到两个不同易轴方向的隧穿磁阻电阻的阻值R1，R2，同时将无磁场时两个隧穿磁阻电阻的初始参考层磁化方向作为给定的参考层磁化方向根据两个隧穿磁阻电阻的阻值分别计算两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角；分别根据两个隧穿磁阻电阻的给定参考层磁化方向及两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向和参考层磁化方向的夹角计算出两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向；根据两个隧穿磁阻电阻的给定参考层磁化方向、两个隧穿磁阻电阻的自由层磁化方向求解外加磁场的磁场幅值及方向等。
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公开(公告)号：CN106556808A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201611025512.9
申请日：2016-11-18
Applicant: 清华大学 , 清华四川能源互联网研究院
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/098
Abstract: 本发明涉及静态特征优化技术领域，公开了一种基于传感方向的磁阻静态特性优化方法。具体包括以下步骤：步骤1、将易轴偏置场、难轴偏置场设置为恒定值，设置传感方向的取值获取传感曲线；步骤2、选取特定的磁场测量范围的最大值hFM，将传感曲线经过目标函数优化，获取灵敏度k、偏置b和绝对误差Err；步骤3、选取不同的磁场测量范围的最大值hFM，重复步骤2；步骤4、选取不同的传感方向的取值，重复步骤1‑3，获取在同一个二维坐标的N条绝对误差Err与磁场测量范围的关系曲线；步骤5、根据所述二维坐标获取特定磁场测量范围和特定的易轴偏置场、难轴偏置场下使得绝对误差最小的传感方向相应值。通过调节传感方向，获取更大的线性区域。
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