一种树脂渗透陶瓷复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN106007802A

    公开(公告)日:2016-10-12

    申请号:CN201610349596.5

    申请日:2016-05-24

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C04B41/83 A61K6/02 A61K6/083

    摘要: 本发明提供了一种树脂渗透陶瓷复合材料,由陶瓷坯体和渗透在所述陶瓷坯体多孔网络结构中的混合树脂固化而成,陶瓷坯体具有多孔的网络结构,陶瓷坯体包括氧化钇稳定的四方相氧化锆,混合树脂包括甲基丙烯酸酯类化合物的混合物和热固化剂。本发明提供的树脂渗透陶瓷复合材料以多孔的陶瓷网络结构和渗透在陶瓷网络结构中的树脂构成,以陶瓷作为基体,可以有效避免复合材料在固化过程中的体积变化,进而克服了传统颗粒增韧树脂基复合材料易于固化收缩,引入残余应力的缺陷;通过渗透的方式,混合树脂能够形成与陶瓷网络结构相贯穿的树脂网络结构,构成具有优异力学性能的陶瓷基复合材料。

    基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料及其制备与应用方法

    公开(公告)号:CN104009112B

    公开(公告)日:2016-08-17

    申请号:CN201410274020.8

    申请日:2014-06-18

    申请人: 清华大学

    摘要: 本发明属于材料科学领域,特别涉及一种基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料及其制备与应用方法。本发明基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料是通过在NiO纳米线的表面制备ZnO纳米棒阵列来获得的。具体的制备过程包括:利用静电纺丝法制备NiO纳米线、在NiO纳米线的表面种植ZnO晶种、利用水热法使得ZnO晶种发育生长、样品烧结。实验结果表明基于本发明基于ZnO和NiO的纳米复合结构材料的紫外光传感器在波长为365nm、强度为400mW/cm2的紫外光的照射下具有很高的光响应电流,电流强度能够达到毫安等级(大约3.5mA)。同时其光响应电流的强度可以通过紫外光的强度来调节,证明其是一种具有广阔应用前景的新型紫外光传感器。

    一种氧化物固体电解质材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN103117413B

    公开(公告)日:2015-09-30

    申请号:CN201310041349.5

    申请日:2013-02-01

    IPC分类号: H01M10/0562

    摘要: 本发明公开了一种锂镧锆氧基氧化物固体电解质材料及其制备方法。所述固体电解质材料由基体材料和掺杂元素组成;所述基体材料为锂镧锆氧固体电解质,其化学式为Li7La3Zr2O12,所述掺杂元素选自下述至少一种:钙、锶、钡和锗,所述掺杂元素的质量不超过所述基体材料质量的15%。制备方法如下:将锂源化合物、镧源化合物、锆源化合物和掺杂元素化合物混匀后进行煅烧和烧结,得到所述锂镧锆氧基固体电解质材料。该材料可以在采用来源广泛的掺杂元素条件下、在较低的烧结温度和较短的烧结时间下制备锂镧锆氧基固体电解质材料,并且总的室温离子电导率均大于1×10-4S/cm,具有重要的应用价值。

    一种齿科用着色氧化锆陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN103708830A

    公开(公告)日:2014-04-09

    申请号:CN201310636724.0

    申请日:2013-12-02

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C04B35/48 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种齿科用着色氧化锆陶瓷材料及其制备方法,包括如下步骤:(1)称取ZrO2、Pr6O11和Er2O3,采用球磨机进行球磨,干燥;(2)在干燥后的粉体中加入高分子粘结剂,进行造粒;(3)将造粒后的粉体进行干压成型;(4)将成型后的陶瓷块体进行冷等静压;(5)将冷等静压后的陶瓷块体进行烧结,得到齿科用着色氧化锆陶瓷。本发明提供的齿科用着色氧化锆陶瓷色泽接近自然牙齿,色度值分布可以覆盖整个比色板,颜色稳定性好。

    一种BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN102643085A

    公开(公告)日:2012-08-22

    申请号:CN201210108160.9

    申请日:2012-04-13

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: C04B35/453 C04B35/622

    摘要: 本发明公开了一种BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料及其制备方法,其中,0≤x≤0.1;包括如下步骤:(1)按照BiCu1-xSeO中的化学计量比,称取Bi、Cu、Se和Bi2O3并进行混合得到混合物料;(2)将所述混合物料进行研磨得到前驱体粉末;(3)所述前驱体粉末经放电等离子烧结即得所述BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料。本发明提供的BiCu1-xSeO基氧化物热电陶瓷材料;通过引入Cu缺陷,所得陶瓷材料既有较高电学性能,同时仍能保持住较低的热传输性能,具有很好的热电传输性能,是一类具有广阔应用前景的新型高温氧化物热电陶瓷材料。本发明的方法与普通的固相烧结相比,具有反应时间短,烧结温度低,同时合成工艺相对简单,可以一步合成BiCu1-xSeO基陶瓷样品。

    锂镧锆氧固体电解质材料及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN102280659A

    公开(公告)日:2011-12-14

    申请号:CN201110182195.2

    申请日:2011-06-30

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01M10/0562 H01M10/0525

    摘要: 本发明公开了一种锂镧锆氧固体电解质材料。该材料的分子式如Li7+xLa3Zr2O12+0.5x所示,其中,-0.35≤x≤+0.35。所述锂镧锆氧固体电解质材料的结构为立方相的石榴石结构;所述锂镧锆氧固体电解质材料在室温下的总离子电导率大于1×10-4S/cm。该方法,包括如下步骤:将锂源化合物、镧源化合物和锆源化合物按照Li、La和Zr的摩尔比为(7+x)∶3∶2混匀后进行煅烧和烧结,得到所述锂镧锆氧固体电解质材料;其中,-0.35≤x≤+0.35。该材料可以在更低的锂含量条件下、在较低的烧结温度下制备锂镧锆氧固体电解质材料,并且总的室温离子电导率均能够大于1×10-4S/cm,具有重要的应用价值。

    磁电随机存储单元及具有该磁电随机存储单元的存储器

    公开(公告)号:CN101834271B

    公开(公告)日:2011-09-14

    申请号:CN201010116951.7

    申请日:2010-03-02

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: H01L43/00 H01L27/22

    摘要: 本发明公开了一种具有所述磁电随机存储单元的存储器包括:多个磁电随机存储单元;多个分别与所述磁电随机存储单元中的第一电极相连的访问晶体管;多个控制所述访问晶体管的字线;多个分别与所述磁电随机存储单元中的第二电极相连的第一板线;多个分别与访问晶体管相连的第一位线;多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁固定层相连的第二位线;和多个分别与所述磁电随机存储单元中的铁磁自由层相连的第二板线。本发明实施例能够实现用电场写入信息数据,具有诸如非易失性、写入功耗低,存储密度高等优点。

    一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法

    公开(公告)号:CN101508560B

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN200910119881.8

    申请日:2009-03-20

    申请人: 清华大学

    摘要: 一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法,涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2-2xZnxGexO3(0<x≤0.20)的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末,混合后在250℃~700℃条件下煅烧,完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具,压实,用放电等离子体烧结成块体材料,烧结温度为850~1000℃,即得到Zn,Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比,具有反应时间短,烧结温度低,能有效克服现有技术反应温度高,反应时间长,能耗大,化合物偏离化学比等缺点;并且烧结的样品性能有很大的提高,在700℃下其ZT值可以达到0.6。

    多铁性薄膜材料的磁电性能测试系统及其测试方法

    公开(公告)号:CN101876691A

    公开(公告)日:2010-11-03

    申请号:CN200910237886.0

    申请日:2009-11-20

    申请人: 清华大学

    IPC分类号: G01R33/12

    摘要: 一种多铁性薄膜材料的磁电性能测试系统及测试方法,涉及材料的性能测试领域。其特征在于:该测试系统包括直流偏置磁场发生装置、交流磁场发生装置、薄膜样品探针夹持装置以及微小信号采集放大装置;并提供了多铁性薄膜材料磁电性能的测试方法。本发明可以通过精确测量薄膜微小电响应信号,识别电磁感应干扰信号与多铁性磁电响应信号的区别,获取真实的多铁性薄膜材料在不同频率和偏置磁场下的磁电系数的幅值,还可以获得薄膜样品电极化随交变磁场的变化规律。