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公开(公告)号：CN103207034B
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201310078587.3
申请日：2013-03-12
Applicant: 清华大学
IPC: G01L1/00
Abstract: 本发明公开了一种微机电系统桥膜结构残余应力的测试方法，包括：S1、形成微机电系统桥膜结构载荷位移曲线，通过所述载荷位移曲线得出实测弹性系数；形成无残余应力载荷位移曲线，通过所述无残余应力的载荷位移曲线得出无残余应力模拟弹性系数；S2、确定所述微机电系统桥膜结构残余应力状态；S3、通过含有残余应力的模拟载荷位移曲线，得出含有残余应力模拟弹性系数；S4、改变所述初始残应力的微机电系统桥膜结构的初始残应力的大小至到所述含有残余应力模拟弹性系数和实测弹性系数相等，此时所述初始残应力的大小为所述微机电系统桥膜结构含有残应力的大小。该方法可以能够相对简单的测试多种桥膜结构残余应力。
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公开(公告)号：CN102142336B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010617623.5
申请日：2010-12-22
Applicant: 清华大学
Abstract: 静电和电磁混合驱动全集成MEMS继电器及其制备方法属于继电器的设计制造技术领域，其特征在于：(1)该继电器采用电磁和静电两种驱动方式；(2)通过键合形成硅—玻璃或硅—硅整体结构；(3)该继电器为双端固支形结构，分为上活动极板13和下固定极板6，上活动极板简称上极板和下固定极板简称下极板均为金属，可降低接触电阻；(4)在硅结构上电镀CoNiMnP形成永磁体阵列；(5)在玻璃结构上电镀Ti/Au或Cr/Au以及淀积Si3N4绝缘层，形成两层线圈结构。本发明MEMS继电器具有驱动电压低、负载电流大的特点，在电子信息、工业控制、能源管理、交通、通讯、航空航天和军用领域中应用广泛。
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公开(公告)号：CN117784572A
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202311838413.2
申请日：2023-12-28
Applicant: 清华大学
IPC: G04F5/14
Abstract: 本申请涉及一种芯片级原子钟物理系统。其包括沿第一方向顺序堆叠设置的激光模块、光学镜片模块、微型气室模块和光电探测模块，激光模块包括第一基板和贴装于第一基板的激光源，光学镜片模块包括第二基板和嵌设于第二基板的光学镜片组，光电探测模块包括第三基板和贴装于第三基板的光电探测器，第一基板、第二基板、微型气室模块及第三基板依次通过焊球阵列固定连接；激光模块、光学镜片模块、微型气室模块及光电探测模块均固定连接于转接板，激光模块、微型气室模块及光电探测模块与转接板电性连接，转接板作为封装基板及连接外接电路。采用焊球阵列作为机械连接结构，实现各模块间的堆叠互连，实现更高集成度和稳定性的芯片级原子钟物理系统。
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公开(公告)号：CN117571043A
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202311423094.9
申请日：2023-10-31
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请提供一种传感器及其制备方法，传感器包括基底，以及设置于基底上的温度传感组件和氧气浓度传感组件；温度传感组件包括设置于基底表面上的热电偶层，热电偶层包括分别设置于基底表面的正极热电偶层和负极热电偶层，正极热电偶层和负极热电偶层之间的基底表面具有空白区域；氧气浓度传感组件设置于空白区域；氧气浓度传感组件包括依次层叠设置的隔绝层、导电层和氧敏感层，隔绝层位于基底表面。本申请将温度传感器和氧气浓度传感器集成在同一个基底上，具有结构简单、尺寸小和成本低等优点。
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公开(公告)号：CN115784142A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211382044.6
申请日：2022-11-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种硅通孔结构和硅通孔结构的制作方法，硅通孔结构至少包括衬底、绝缘层和导电层。绝缘层形成在衬底通孔的内壁上，具有第一凹陷部的导电层形成在绝缘层上。在硅通孔结构内部温度升高而产生热应力时，通过第一凹陷部中的第一应力分散部对热应力进行分散，缓解了硅通孔结构因热失配而产生的翘曲问题，提升了硅通孔结构的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115493712A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211088169.8
申请日：2022-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01K1/024 , G01K7/02 , G01K13/00 , G01K13/024 , G01K15/00
Abstract: 本申请涉及一种热电偶测试装置、温度检测方法、处理设备和存储介质。所述热电偶测试装置包括热电偶、采集模块和处理模块，将热电偶的热端设置于待测的目标管道内，采集模块获取热电偶产生的第一电压和热电偶的冷端温度值，向处理模块传输第一电压和冷端温度值，处理模块根据冷端温度值和预设对应关系确定第二电压，并根据第一电压和第二电压确定目标电压；以及根据目标电压和预设对应关系，确定目标管道的目标温度值，其中，预设对应关系包括不同的电压与不同的温度之间的对应关系。由于本申请采用温度补偿的方法确定目标电压，进而确定目标温度值，从而提高了对目标管道的温度测量的准确性。
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公开(公告)号：CN115200729A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210920531.7
申请日：2022-08-02
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开一种阵列式薄膜温差传感器及其制备方法，阵列式薄膜温差传感器包括基片、正极敏感层及负极敏感层，正极敏感层包括第一正极、第二正极、第三正极及第四正极，负极敏感层包括第一负极、第二负极以及第三负极，第一正极一端与第一负极一端通过第一热结点连接，第二正极一端与第二负极一端通过第二热结点连接，第一负极另一端、第三负极一端均与第三正极一端通过第三热结点连接，第二负极另一端、第三负极另一端均与第四正极一端通过第四热结点连接，第一正极另一端与第三正极另一端分别形成第一测试端与第三测试端，第二正极另一端与第四正极另一端分别形成第二测试端与第四测试端。本发明能用于判断酸碱管道温度均匀性，测试可靠性高。
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公开(公告)号：CN111029256B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201911164821.8
申请日：2019-11-25
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本申请提供一种氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法以及复合结构。通过所述氮化铝和碳化硅复合结构图形化方法，在制备所述碳化硅结构和所述氮化铝结构时，对AlN(氮化铝薄膜层)采用Cl基刻蚀气体，使得AlN侧向腐蚀较小，有效维持AlN的压电性能，在图形化的过程中压电性能不被破坏。同时，通过二氧化硅薄膜层和第二掩膜层(光刻胶掩膜层)形成的SiO2光刻胶复合掩膜层，可以在快速刻蚀SiC(碳化硅基片)的同时保护好AlN图形，提高了图形质量。并且，通过对SiC采用氟基气体刻蚀，在保护好AlN的同时有效提高SiC的刻蚀速率，提高器件的加工效率。
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公开(公告)号：CN113049128B
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202110255505.2
申请日：2021-03-09
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种压电薄膜式温度传感器及其制备方法。压电薄膜式温度传感器包括：衬底，设置于所述衬底的布拉格反射层，设置于所述布拉格反射层远离所述衬底的部分表面的第一电极，设置于所述第一电极和所述布拉格反射层远离所述衬底的表面的压电薄膜层，以及设置于所述压电薄膜层远离所述第一电极的表面的第二电极。所述压电薄膜层为单晶材料层。本申请中，所述压电薄膜式温度传感器采用所述布拉格反射层作为声学反射层，相比于空气型或背蚀空腔型薄膜体声波谐振器结构刚度较好，工艺相对简单，良品率高，更加适合大批量生产。本申请中所述压电薄膜式温度传感器的结构设计简单，可无线化且与互补金属氧化物半导体工艺兼容的良好特性。
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公开(公告)号：CN114564689A
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202210186230.6
申请日：2022-02-28
Applicant: 清华大学
Abstract: 本申请涉及一种数据处理方法、装置和计算机设备。方法包括：获取热电势值、以及所述热电势值对应的分度表；所述分度表包括按照温度大小顺序排列的各插值区间；根据所述热电势值和各所述插值区间，确定所述热电势值对应的目标插值区间；根据所述目标插值区间，确定所述目标插值区间对应的线性插值关系式；根据所述热电势值、以及所述线性插值关系式，确定目标温度值。采用本方法能够提升薄膜热电偶传感器测量的温度值的精确度。
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